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Mosfet的介绍：,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,绝缘栅型场效应管,1. mosfet的符号（以N沟增强型为例）：,G：栅极 D：漏极 S：源极,符号：,Mosfet的输出特性曲线,Mosfet的转移特性曲线：,东芝SSM6J08FU小信号MOSFET的详细描述： 部件型号 SSM6J08FU 极性 P沟 漏源电压VDS -20 V 漏极电流ID -1.3 A 门阈值电压Vth, max -1.1 V 门阈值电压Vth, min -0.6 V 门-源电压VGSS (V) 12 V 漏源导通电阻RDS(ON) (标准) 0.2 VGS=-2.5 V 漏源导通电阻RDS(ON) (最大) 0.26 VGS=-2.5 V 产品分类 小信号MOSFET,东芝公司MOSFET的图片：,品牌:SINO-IC （上海光宇睿芯微电子有限公司） 型号:1N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TV/电视 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 最大漏极电流:800（mA） 最大耗散功率:800（mW）,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的介绍：,IGBT是有BJT和mosfet组成的复合器件，兼具二者的优点：速度快，能耗低，体积小，而且大功率、大电流、耐高压。,IGBT的开关作用是通过正向栅极电压控制的，施加一定的正向电压即栅极电压大于发射极电压时，IGBT导通，反之IGBT关断。,特色标志:现货 型号:IKW40N120T2 厂家:INFINEON 批号:12+ 封装:TO-247,美国仙童飞兆半导体公 FairchildSemiconductor FGH40N60UFTU,美国国际整流器公司,International Rectifier IRG4BC30KDPBF,英飞凌公司 Infineon Technologies,IGW25N120H3,MOSFET 和IGBT的差别：,MOSFET全称功率场效应晶体管。 它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。 缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。 总的来说：MOSFET在低功率，较高频 应用中较好，100KHz。IGBT在较低频，高功率应用中较好。,关于IGBT的一些产品的图片：,日本富士公司的产品2MBI200S-120集电极和发射极之间最高限压是1200V、最大限流是200A.,日本富士公司的EVL31-050 集电极和
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