基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt_第1页
基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt_第2页
基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt_第3页
基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt_第4页
基于Cadence的电路版图绘制及验证.ppt_第5页
已阅读5页,还剩23页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

Exp#3 基于Cadence的电路版图绘制及验证,中国科学技术大学软件学院,中国科学技术大学软件学院,Contents,中国科学技术大学软件学院,芯片设计流程,电路设计,前端仿真,版图设计,后端仿真,其它,中国科学技术大学软件学院,版图设计,完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形,中国科学技术大学软件学院,设计规则:设计者和工艺工程师之间的接口,中国科学技术大学软件学院,基于Cadence的版图设计,工具:Virtuoso Layout Editor 设计规则检查 DRC 版图原理图一致性检查LVS 从版图中提取电路网表,然后将这个网表同电路原理图进行比较 版图寄生参数提取LPE 提取出包含寄生参数的spice网表,用于带有寄生参数的后仿真,中国科学技术大学软件学院,CSMC双硅三铝混合信号工艺,TB:tub,n阱,作为pmos器件衬底 TO:Thin Oxide,有源区,作为mos的源漏区 GT:gate,多晶硅1,作为mos栅极 SP:P注入区 SN:N注入区 W1:接触孔,金属1到多晶硅和有源区的接触孔 A1:铝1,第一层金属 W2:通孔1,金属1和金属2的接触孔 A2:铝2,第二层金属 W3:通孔2,金属2和金属3的接触孔 CP:bond pad,pad开孔 IM:第二层多晶硅电阻阻挡层 PC:poly Cap,用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅 PT:p tub,p阱,作为nmos器件衬底,中国科学技术大学软件学院,CSMC05MS工艺库文件,中国科学技术大学软件学院,CMOS反相器版图设计与验证,中国科学技术大学软件学院,中国科学技术大学软件学院,版图绘制,中国科学技术大学软件学院,设计规则验证DRC,中国科学技术大学软件学院,指定输入输出文件,中国科学技术大学软件学院,查看DRC结果并调整Layout,中国科学技术大学软件学院,一致性验证LVS,DRC,Project下创建DRC、LVS、PEX用于版图设计不同环节,文件归类存储,中国科学技术大学软件学院,一致性比对文件指定,中国科学技术大学软件学院,等待并查看LVS验证结果,Net描述,中国科学技术大学软件学院,参数提取PEX,中国科学技术大学软件学院,指定输出文件格式,中国科学技术大学软件学院,Map与输出布局设定,中国科学技术大学软件学院,指定提取参数与原理图中模型映射关系,中国科学技术大学软件学院,生成后仿电路config图,源文件,目标文件,中国科学技术大学软件学院,(1)指定新文件类型,中国科学技术大学软件学院,(2)获取源文件,中国科学技术大学软件学院,(3)生成config图,中国科学技术大学软件学院,运行后端仿真,中国科学技术大学软件学院,实验报告,完成CMOS版图设计,DRC检查无误 完成LVS检查,获得正确结果 完成PEX,生成寄生参数图 完成后仿电路中CMOS反相器的DC、Trans仿真,记录

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论