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文档简介

,PN 结(PN Junction)的形成,原因： 载流子的浓度差,名称：空间电荷区/耗尽层/PN结,特点: 无载流子,P,N,3.2.3 PN结的特性,1. 外加正向电压(正向偏置) forward bias,内电场,外电场,外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。,扩散运动加强形成正向电流 IF 。,IF = I多子 I少子 I多子,3.2.3 PN结的特性,2. 外加反向电压(反向偏置) reverse bias,漂移运动加强形成反向电流 IR,IR = I少子 0,PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,3. PN结V- I 特性表达式,正向特性,Uth,死区 电压,IS,iD = 0,Uth = 0.5 V,0.1 V,(硅管),(锗管),U Uth,iD 急剧上升,0 U Uth,IS 反向饱和电流,VT 温度的电压当量,且在常温（T=300K）为26mV,UD(on)= 硅管 0.7 锗管 0.2 V,3. PN结V- I 特性表达式,正向特性,Uth,反向特性,IS,U (BR),反向击穿,U(BR) U 0,iD = IS, 0.1 A(硅),U U(BR),反向电流急剧增大,(反向击穿),反向击穿类型：,电击穿,热击穿,反向击穿原因：,齐纳击穿： (Zener),反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V),雪崩击穿：,反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。, PN 结未损坏，断电即恢复。, PN 结烧毁。,(击穿电压 6 V),在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。,(1) 点接触型二极管,PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。,3.3.1 二极管的结构,(3) 平面型二极管,往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,(2) 面接触型二极管,PN结面积大，用于工频大电流整流电路。,(b)面接触型,(4) 二极管的代表符号,3.3.2 二极管的特性,同PN结的伏安特性,1. IF 最大整流电流(最大正向平均电流),2. URM 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2,3. IR 反向电流(越小单向导电性越好),第 1 章 半导体二极管,3.3.3 二极管的主要参数,练习题,1. 二极管最主要的特性是 。,2.二极管按其击穿的方式分为 和 两种。,3.当PN结外加正向电压时，扩散电流_漂移电流，耗尽层_。当PN结外加反向电压时，扩散电流_漂移电流，耗尽层_。 A、大于 B、小于 C、等于 D、变宽 E、变窄 F、不变,4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A、 增大 B、 不变 C
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