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场效应管的伏安特性（1）,场效应管的特性,转移特性：,漏极特性:,漏极特性可分为可变电阻区、恒流区和夹断区三个部分。,预夹断轨迹,可变电阻区,夹断区,恒流区,夹断区：,特点：ID=0,等效：,条件：UGSUGS(th),可变电阻区：,特点：UDS=RDSID,等效：,条件： UGSUGS(th)、UDSUGS-UGS(th),恒流区：,特点： ID=GmUGS,等效：,条件： UGSUGS(th)、UDSUGS-UGS(th),以N沟道增强型MOS管为例,直流跨导,场效应管的伏安特性（2）,UDS=6V,ID0,转移特性曲线是UDS使管子工作于恒流区时ID与UGS的关系曲线，可近似为：,其中，ID0是UGS=2UGS(th)时的ID值。,场效应管的伏安特性（3）,场效应管的主要参数（4）,end,开启电压UGS(th)：增强型MOS管形成电流ID所需的最小电压。,夹断电压UGS(th)：使耗尽型MOS管电流ID为零所需的电压。,直流输入电阻RGS：RGS=UGS/IGS，一般大于109。,低频跨导gm：表明电压UGS对电流ID的控制，定义,最大漏极电流ID：指管子工作时允许的最大漏极电流。,漏源击穿电压U(BR)DS：指管子工作时允许的最大漏源电压UDS。,栅源击穿电压U(BR)GS：指管子工作时允许的最大栅源电压UGS
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