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西南大学电子信息工程学院,1,6.1 存储器的分类和主要性能指标,存储器是计算机系统的记忆设备。它用来存放 计算机的程序指令、要处理的数据、运算结果以 及各种需要计算机保存的信息,是计算机中不可 缺少的一个重要组成部分。 1、存储器的分类 (1)按存储器与中央处理器的关系分 内部存储器 外部存储器,西南大学电子信息工程学院,2,作用:保存正在执行的程序和数据; 掩膜型ROM 主存储器 可一次编程PROM (内存) ROM 紫外线擦除的 EPROM 电可擦除的EEPROM 微型计算机 元件: 快擦型Flash MEM 的存储器由 静态RAM RAM 动态RAM 作用:保存主存的副本或暂时不执行的 辅助存储器 程序和数据; (外存) 软/硬磁盘 介质: 光盘 磁带等,西南大学电子信息工程学院,3,(2)按存储介质划分 磁芯存储器 半导体存储器 磁泡存储器 磁表面存储器 激光存储器等 本章主要讲授半导体存储器。 在微型计算机中,半导体存储器主要作为 内存储器使用。,西南大学电子信息工程学院,4,半导体存储器的分类: 按工作方式分 按制造工艺分 按存储机理分 双极型RAM 随机存取存储器 静态读写存储器(SRAM) (RAM) 金属氧化物型 (MOS)RAM 动态读写存储器(DRAM) ROM PROM 只读存储器 EPROM (R0M) E2PROM 闪速E2PROM(FLASH),西南大学电子信息工程学院,5,2、内存储器的主要性能指标 内存储容量 表示一个计算机系统内存储器存储数据多少的指标。 存储容量=字数 字长 注意: 以字节为单位。 内存容量与内存空间的区别 内存容量:若某微机配置2条128MB的SDRAM内存条, 则其内存容量为256MB。 内存空间:又称为存储空间、寻址范围,是指微机的寻址 能力,与CPU被使用的地址总线宽度有关 。,西南大学电子信息工程学院,6,芯片容量 是指一片存储器芯片所具有的存储容量。 例如: SRAM芯片6264的容量为8K8bit,即它有8K个 单元,每个单元存储8位(一个字节)二进制数据。 DRAM芯片NMC4l256的容量为256Klbit,即它 有256K个单元,每个单元存储1位二进制数据。 最大存取时间 内存储器从接收寻找存储单元的地址码开始, 到它取出或存入数码为止所需要的最长时间。,西南大学电子信息工程学院,7,功耗 包括“维持功耗”和“操作功耗”两种。 可靠性 一般指存储器对电磁场及温度等变化的抗干 扰能力。通常用“平均无故障时间”来表示。 目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间 隔时间(MTBF)约为5l06l108小时左右。,西南大学电子信息工程学院,8,集成度 每片存储器芯片上集成的基本存储单元的个数。 常用存储器芯片有: 1K位/片, 如:Intel 2115A (1K1); 16K位/片,如:MCM2167H35L(16K1); 64K位/片,如: MCM62L67-35L(64K1); 256K位/片,如: MCM6205NJ17(32K8);,西南大学电子信息工程学院,9,6.2 半导体存储器件 只读存储器(ROM) ROM具有掉电后信息不会丢失的特点,一般用于存放 固定的程序和数据等。如监控程序、BIOS程序、字库等。 ROM的结构和特点,西南大学电子信息工程学院,10,薄栅氧化层的 管子为正常开启 厚栅氧化层的 管子为高开启, ROM的分类 按生产工艺和工作特性分为: 掩膜编程的ROM(Mask Programmed ROM) 例如:采用“并联单元阵列”的掩膜ROM,西南大学电子信息工程学院,11,可编程只读存储器(Programmable ROM) 有“熔断丝型”和“PN结击穿型”两种。用户可以对其一次性编程,重复读出。 熔断丝型PROM是以 熔丝的接通或断开来 表示存储信息是“1/0”。 例如: 熔断丝型84ROM,西南大学电子信息工程学院,12,可擦可编程只读存储器(EPROM),EPROM 2732 4K8,EPROM 27C020 256K8,西南大学电子信息工程学院,13,可电擦除只读存储器(E2PROM),E2PROM 有多种电路 结构。右图为Flotox结 构的E2PROM结构剖面 图。 厚度200埃,在场 强107V/cm时,下漏与 浮栅之间可以进行双向 电子运动,实现对单元 的擦和写。 例如:Intel 2816 E2PROM 容量为 2K8,Flotox E2PROM 的单元电路,西南大学电子信息工程学院,14,快擦除读写存储器(Flash Memory),写入速度类似于RAM, 掉电后内容又不丢失的一 种新型EPROM。 Intel 公司的Flash Memory: 28F001BX (1Mb); 28F200BX (2Mb); 28F400BX (4Mb); 28F008SA (8Mb); Flash Memory的主要应用: 作为代码存储器; 作为固态大容量存储器; 用作固态盘。,西南大学电子信息工程学院,15, 随机存取存储器RAM RAM主要用来存放当前运行的程序、各种输入/输出数据、中间运算结果及堆栈等,其内容可随时读出、写入或修改,掉电后内容会全部丢失。 SRAM的基本结构,西南大学电子信息工程学院,16,实用静态存储器芯片举例 6264芯片是8K8bit的CMOS SRAM静态存储器。 6264存储芯片的引线及其功能,西南大学电子信息工程学院,17, SRAM 6264操作时序图 写操作时序图,读操作时序图,西南大学电子信息工程学院,18,6264在8088系统中的应用,6264的全地址译码连接图,用138译码器实现全地址译码连接,西南大学电子信息工程学院,19,6264芯片在上述系统中的地址范围: A19A18A17A16A15A14A13A12A11A0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 所以该6264芯片的地址范围为3E000H3FFFFH,西南大学电子信息工程学院,20,6.3 SRAM、ROM与CPU的连接方法 要解决的技术问题 SRAM、ROM的速度要满足CPU的读/写要求; SRAM、ROM的字数和字长要与系统要求一致; 所构成的系统存储器要满足CPU自启动和正常运行条件。 存储器扩展技术 当单个存储器芯片不能满足系统字长或存储单元个数 的要求时,用多个存储芯片的组合来满足系统存储容量的 需求。这种组合就称为存储器的扩展。 存储器扩展的几种方式: 位扩展 当单个存储芯片的字长(位数)不能满足要求时,就 需要进行位扩展。,西南大学电子信息工程学院,21,位扩展方法: 将每个存储芯片的地址线、控制线 “同名”并连在一起,数据线分别连接至系统数据总线的不同位上。 例如: 用4K4位的SRAM芯片构成4K8位的存储器。,西南大学电子信息工程学院,22,字扩展 当单片存储器的字长满足要求,而存储单元的 个数不能够时,就需要进行字扩展。 字扩展方法: 将每个芯片的地址线、数据线和读/写控制线等 按信号名称并连在一起,只将选片端分别引到地址 译码器的不同输出端,即用片选信号来区别各个芯 片的地址。,西南大学电子信息工程学院,23,例如: 用两片64K8位的SRAM芯片构成容量为128KB 的存储器。,两片芯片的地址范围:20000H2FFFFH和30000H3FFFFH。,西南大学电子信息工程学院,24,字位扩展 在构成一个实际的存储器时,往往需要同时进行位扩展 和字扩展才能满足存储容量的需求。 设系统存储器容量为:MN位 使用的存储器芯片容量为:LK位 (LM, KN) 则需要存储器数量为:(ML)(NK) 片,西南大学电子信息工程学院,25,例如: 用Intel 2164构成容量为128KB的内存。 解:求所需存储器芯片数量 2164是64K1位的芯片 所需的芯片数为 (128/64)(8/1)=16 (片) 地址线的分配 寻址(217=128K)个内存单元至少需要17位地址信号线。其中,寻址2164内部(216=64K)需要16位地址信号(分为行和列),余下的1根地址线用于区分两个64KB的存储模块。,西南大学电子信息工程学院,26,画出逻辑电路图 (控制线未画) 芯片地址范围:00000H-0FFFFH和10000H-1FFFFH,西南大学电子信息工程学院,27,片选信号的产生方法 产生片选信号的方法很多,归纳起来有三种: (设该存储器工作在8088CPU系统中) 线选法 用剩余的高位地址线作为片选信号。 上例中芯片使用地址线A0A15,则A16A19为剩余的 高位地址线,都可以作为片选信号。 优点:线路简单,成本低; 缺点:芯片组地址不连续,容易产生总线冲突。,西南大学电子信息工程学院,28,全译码法 用剩余的所有高位地址线经译码器产生各存储器芯片的片选 信号,使每一个存储器单元在整个内存空间中具有唯一的一个 地址。 在上例中,可用高位地址线A16A19,经译码器产生24个译 码输出,从中选择Y0-Y1作为片选信号。 优点: 每个存储单元地址是唯一的,芯片组地址连续,不会产生 总线冲突; 缺点: 译码电路太复杂,成本高。,西南大学电子信息工程学院,29,部分地址译码法 仅用剩余高位地址线的一部分(而不是全部)译码 产生片选信号。 在上例中,仅用A16经译码器产生Y0-Y1作为片选信号。 优点: 译码电路简单,且可使芯片组地址连续,也不会产生 总线冲突; 缺点: 每个存储单元有多个重叠地址,但不影响 正常操作。,西南大学电子信息工程学院,30,应用举例 8位存储器接口 (用于8088、80188的8位数据总线) 例1:用UVEPROM 2764和SRAM 6264组成8088的内存储器, 要求形成16KB ROM和16KB RAM。 解:分析 UVEPROM 2764和SRAM 6264 都是8K8的存储器; 而系统存储器都是16KB=16K8。 ROM和RAM都只需要进行字数扩展,各需要 16K/8K8/8=2 (片) 系统存储器需要地址线: log232K=15 (根) 存储器芯片需要地址线: log28K=13 (根) 用15-13=2根高位地址线译码产生片选信号线。,西南大学电子信息工程学院,31,地址分配 要考虑CPU自启动条件,在8088系统中存储器操作时IO/M=0, ROM要包含0FFFF0H单元,正常运行时要用到中断向量区 0000:0000-0000:003FFH,所以RAM要包含这个区域。 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A0 芯片地址 芯片号 0 0 0 0 0 00000H SRAM 1# 0 0 1 1 1 01FFFH SRAM 1# 0 1 0 0 0 02000H SRAM 2# 0 1 1 1 1 03FFFH SRAM 2# 1 0 0 0 0 0FC000H ROM 1# 1 0 1 1 1 0FDFFFH ROM 1# 1 1 0 0 0 0FE000H ROM 2# 1 1 1 1 1 0FFFFFH ROM 2#,西南大学电子信息工程学院,32, 画出逻辑电路图,西南大学电子信息工程学院,33,例2:分析P245 图6.12电路,写出各存储器芯片的地址范围,西南大学电子信息工程学院,34,按图写出译码器和各存储器芯片地址分配 G2B G2A C B A 存储芯片 A19 A18 A17 A16 A15A14 A13 A12 A11 A10A0 芯片地址 芯片号 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00000H ROM0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 007FFH ROM0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 00800H ROM1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 00FFFH ROM1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 01000H ROM2 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 017FFH ROM2 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 01800H ROM3 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 01FFFH ROM3 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 02000H RAM0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 027FFH RAM0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 03800H RAM3 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 03FFFH RAM3,西南大学电子信息工程学院,35,结论 该存储器电路不满足8088 CPU自启动条件,若取消A14-A19 的控制,还必须将RAM和ROM的片选线对调。 16位存储器接口(用于8086,80186,80286,80386SX 16位总线) 8086的存储器结构,西南大学电子信息工程学院,36, 应用举例 P247 例6.3 在8086系统中,存储器操作时M/IO=1,按要求确定各芯片 地址: 片选 芯片 片选 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12A9 A8A5 A4A1 A0 BHE F8000H 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 00 0 1 FBFFFH 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 11 1 0 FC000H 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 00 0 1 FFFFFH 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 0,西南大学电子信息工程学院,37,教材中 这里有错,西南大学电子信息工程学院,38, 32位存储器接口 (用于80386DX、80486 32位总线) 在80386DX和80486系统中,用BE3、BE2、BE1和BE0选择 4个存储器体。如下图所示:,西南大学电子信息工程学院,39,80386DX和80486系统中的存储器写信号,西南大学电子信息工程学院,40,P250 图6.17 与80486接口的 256KB SRAM 存储器系统,西南大学电子信息工程学院,41, 64位存储器接口 (用于Pentium系列 64位总线) Pentium系列微处理器(除P24T外)均采用64位数据总线, 存储器分为8个存储器体,用BE7-BE0进行选择。如下图所示:,西南大学电子信息工程学院,42,Pentium系列微处理器的写选通电路,西南大学电子信息工程学院,43,P253 图6.20 64位存储器接口电路,西南大学电子信息工程学院,44,6.4 动态随机读写存储器(DRAM) 在DRAM中,信息以电荷形式存储在电容器上,需要不 断“刷新”才能保持信息不丢失。 DRAM的集成度高、容量大、 价格低,但速度较慢。常用作 微机的内存储器。 单管DRAM基本存储电路,西南大学电子信息工程学院,45,DRAM的工作过程 以2164A为例,2164是64K1bit的DRAM存储器。,数据读出时序图,数据写入时序图,2164A引脚图,DRAM刷新时序图,西南大学电子信息工程学院,46,DRAM在系统中的连接 在微型机系统中,DRAM芯片的连接既要能够正确读写,又要能在规定的时间里对它进行刷新。因此,DRAM的连接和控制电路要比SRAM复杂得多。,西南大学电子信息工程学院,47,PC133 SDRAM,PC150 SDRAM,72线EDO DRAM,DDR SDRAM,内存条简介 内存条的种类 FPM DRAM(快页式DRAM) EDO DRAM(扩展数据输出DRAM) SDRAM(同步DRAM) DDR SDRAM(双速同步DRAM) RDRAM 主要技术指标 速度 数据宽度的带宽 内存条的“线” 内存容量 内存的电压 内存时钟周期 CAS等待时间,西南大学电子信息工程学院,48,例如:金帮公司PC-133内存条的技术指标 存储容量:128MB CAS周期;2或3 刷新周期: 4KB/64ms,自动刷新 突发长度:1,2,4,8,全页 制造工艺:0.2um,6层印制板 (Intel JEDEC标准) 电源电压:单3.30.3V 接口电平:LVTTL,西南大学电子信息工程学院,49, DRAM控制器 完成多路复用地址和产生控制信号。 例如:Intel 82C08 最多可控制2个存储体; 共256K16位 DRAM。,西南大学电子信息工程学院,50,用82C08 DRAM控制器组成的1MB存储器系统,西南大学电子信息工程学院,51,引入Cache的原因 原来的计算机,CPU 直接与主存交换数据。 主存的存取速度越来越 跟不上CPU的处理速度。,6.5 高速缓冲存储器Cache,程序执行的局部性原则: 在一段很短的时间内,被执行的程序代码和使用的数据, 集中在很小的地址范围内。 根据局部性原则,把正在执行或将要执行的程序代码和 数据提前调入高速缓冲存储器中,而将暂时不执行的程序代 码和数据保存在内存中,需要时再按相应的算法进行调度, 以提高运行速度。,西南大学电子信息工程学院,52,于是,现在的计算机, 在CPU和主存之间加了适量 高速缓冲存储器(cache),它 能高速地向CPU提供指令和 数据,加快了程序的执行速 度。解决了CPU和主存之间 速度不匹配的问题。,CPU片内cache,CPU片外cache,西南大学电子信息工程学院,53, Cache的组成和结构 Cache的组成,西南大学电子信息工程学院,54, Cache的结构 旁视cache,通视cache,Cache和主存并接在系统总线上, 同时监视CPU的一个总线周期。,Cache 位于CPU和主存之间,CPU 读主存周期受cache的监视。,西南大学电子信息工程学院,55, Cache的基本原理 CPU与Cache之间以字为单位交换数据,而Cache与主存 之间以块为单位交换数据。 设主存有2n个单元,分成M=2n/B块,每块B有2b字节; Cache有2s个单元,分为C=2s/B块,每块B也为2b字节。,当CPU读取主存中一个字时,便 发出此字的内存地址到cache和主存。此时,cache控制逻辑依据地址判 断此字当前是否在 cache中。若在, 此字立即传送给CPU;否则用主存读 周期把此字从主存读到CPU,并同时 把含有该字的整个数据块从主存读到 cache中,以备用。,西南大学电子信息工程学院,56,例如:某计算机Cache的逻辑结构,页面地址 DATA1 DATA2,Cache 共有256字, 每字有40位,存 一个“地址数据对”,64K内存分为128页, 每页有512个地址单 元,每个单元存一 个16位二进制数。,页面地址 单元地址,0 DATA2 选择位 1 DATA1,Cache中存储的数据: 2256=512 与内存的一页相同: 1512=512,西南大学电子信息工程学院,57, cache的命中率 命中率是指CPU要访问的信息在cache中的比率。 设:在一个程序执行期间,Nc表示cache完成存取的总次数, Nm表示主存完成存取的总次数,则命中率定义为: 若cache的访问时间为tc,主存访问时间为tm,1-h表示 未命中率,则cache主存系统的平均访问时间ta为: ta=htc+(1-h)(tc+tm),当h=1时,ta等于cache的访问时间, 当h=0时,ta等于cache与主存的访问时间之和。 因此,增加cache的目的,是使cache的命中率接近于1, 使cache主存系统的平均访问时间尽可能接近cache的 访问时间。由于程序访问的局部性 ,这是可能的。,Nc h = Nc+Nm,西南大学电子信息工程学院,58,设r = tm/tc表示主存慢于cache的倍率,e表示访问效率, 则有,由上式可知,为了提高访问效率,命中率h应接近 于1。r值以510为宜,不宜太大。 命中率h与程序的行为、cache的容量、组织方式、 块的大小有关。,tc tc 1 e = = = ta htc+(1-h)(tm+tc) r (1-h)+1,西南大学电子信息工程学院,59,例如: CPU执行一段程序: 完成cache存取的次数为Nc 1900次; 完成主存存取的次数为Nm100次; 已知:cache存取周期为tc50ns; 主存存取周期为tm250ns。 求:cache/主存系统的效率和平均访问时间。 解: h=Nc/(Nc+Nm)=1900/(1900+100)=0.95 r = tm/tc=250ns/50ns=5 e=1/(r (1-h)+1)=1/(5 (1-0.95) + 1)=0.8 ta=tc/e=50ns/0.8=62.5ns,西南大学电子信息工程学院,60, 主存与cache的地址映射 常用的址映射方式有三种 : 全相联映射方式 将主存中一个块的地址与块的内容一起存于cache的行中。 可使主存的一个块直接拷贝到cache中任意一行上,非常灵活。,设: cache的数据块大小称为行Li, i=0,1,2m-1,共有m=2r; 主存的数据块大小称为块Bj, j=0,1,2n-1,共有n=2s ; 行与块等长,均由k=2w个连 续的字组成。,28=256块,西南大学电子信息工程学院,61,全相联映射的检索过程:,由CPU访内存指令指定一 个内存地址,它由块号( s ) 和字( w )组成; 将指令中的s与cache中所有 行的标记同时进行比较; 如果s被命中,就在cache中 按w读取一个字。 如果s未命中,则按内存地 址读取该字,并同时把内存块 读入Cache行中。,西南大学电子信息工程学院,62,全相联cache应用举例,西南大学电子信息工程学院,63,全相联映射的主要缺点是比较器电路难于设计和实现, 因此只适合于小容量cache采用。 直接映射方式 一个主存块只能拷贝到cache 的一个特定行位置上去。 设:cache的行号为i; 主存的块号为j。 则有: i=j mod m m为cache的总行数。 例如:设m=8,主存有256块。 则: 允许存于L0行的主存块有B0,B8,B16B248; 允许存于L1行的主存块有B1,B9,B17B249;,西南大学电子信息工程学院,64,直接映射方式的检索过程:,由CPU访内存指令指定一 个内存地址,它由tag(s-r), 行号(r)和字(w)组成; 先用地址中的r找到cache中 的此行; 后用地址中的s-r 位与此行 的标记进行比较; 若命中,则用地址中的w位 在cache中读取所需的字。 若未命中,则从内存中读取 该块。,西南大学电子信息工程学院,65,直接映像cache举例,西南大学电子信息工程学院,66,直接映射方式的主要优缺点: 优点:硬件简单,成本低。 缺点:不灵活,每个主存块只有一个固定的行位置可存放, 容易产生冲突;Cache利用率不高。因此适合大容量 cache采用。, 组相联映射方式 是前两种映射方式的折衷。 它将cache分成u组,每组v行, 主存块存放到哪个组是固定的, 至于存到该组哪 一行是灵活的, 即有如下函数关系: muv 组号 q j mod u,西南大学电子信息工程学院,67,组相联映射方式的检索过程: 由CPU访内存指令指定一个内存地址,它由tag( s-d )、 组号( d )和字( w )组成。,先用d在cache中找到相应组; 再用 s-d 位与该组中所有行 标记同时进行比较; 如果有一行的标记与之相符, 则命中此行,再用w 读取相应 的字。 如果任意行的标记不相符, 则cache未命中,从内存读取 数据。,西南大学电子信息工程学院,68,例如:设u=4组,v=2行,m=uv=8,主存容量为256块 则:组号 q j mod u 分别为,S0组:B0,B4,B8,B252; S1组:B1,B5,B9,B253; S2组:B2,B6,B10,B254; S3组:B3,B7,B11,B255. 组相联映射方式的优点: 每组行数v一般取值较 小,这种规模的v路比较 器容易设计和实现。而块 在组中的排放又有一定的 灵活性,可减少冲突。,西南大学电子信息工程学院,69,例如:80486 CPU内部的8KB高速缓冲器结构 采用4路组相连结构:每路2KB,128集,每集对应416字节高速 缓冲器行。,西南大学电子信息工程学院,70, 替换策略 当cache已被占满,又要将新的主存字块调入时,如何 替换cache存储器中的内容? 对直接映射的cache 只要把此特定位置上的原主存块换出cache即可。 对全相联和组相联cache 要从允许存放新主存块的若干特定行中选取一行换出。 硬件实现的常用替换算法有三种: 最不经常使用(LFU)算法 将一段时间内被访问次数最少的那行数

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