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文档简介

预习情况检查,1. 半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义。,一.实验目的,2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。,3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。,进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。,二、实验原理,1.共射输入特性曲线 以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关系。,vBE,iB,o,vON,vBE,IB1,IB2,VCE=1V,VCE=10V,工程上近似为一条输入特性曲线,2.共射输出特性曲线 以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。,3.三极管输出特性测试电路,iB0,iB1,iB2,iB3,半导体特性图示仪操作面板,2019/8/20,7,可编辑,1晶体管输出特性的测量 （1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。 （2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。 （3）测量反向击穿电压 BVCEO（基极开路，功耗电阻取5 k） （4）测量 、 。 设VCE =5V，适当选择和记录IBQ,1008：NPN型,三、实验内容,VCE =5V,2晶体管输入特性的测量 （1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。 （2）求出导通电压Von。 （3）根据曲线求线性变化区的输入电阻 ： 设置功耗电阻为2501k ,四、实验报告要求,1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确
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