锑化铟多晶、单晶及切割片.pdf

i c s2 9 0 4 5 h8 3 a 目 中华人民共和国国家标准 g b t1 10 7 2 - - 2 0 0 9 代替g b t1 1 0 7 2 1 9 8 9 锑化铟多晶、单晶及切割片 i n d i u ma n t i m o n i d ep o l y c r y s t a l ，s i n g l ec r y s t a l sa n da s c u ts l i c e s 2 0 0 9 - 10 - 3 0 发布 2 0 1 0 - 0 6 - 0 1 实施 宰瞀髁鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘1 1 前言 g b t11 0 7 2 - - 2 0 0 9 本标准代替g b t1 1 0 7 2 - - 1 9 8 9 锑化铟多晶、单晶及切割片。 本标准与g b t1 1 0 7 2 - - 1 9 8 9 相比，主要有如下变化： 将原标准中直径1 0m m 5 0m m 全部改为1 0m m 2 0 0m m ； 在原标准的基础上增加了直径 5 0m m ，厚度不小于12 0 0p m ，厚度偏差士4 0p m ； 将原标准中位错密度级别1 、2 、3 中直径3 0m m 5 0m m 全部改为3 0m m 2 0 0m m ； 在原标准的基础上增加了直径为1 0 0m m 、1 5 0m m 、2 0 0m m 的切割片直径、参考面长度及其 偏差； 将原标准中的附录a 去掉，增加引用标准g b t1 1 2 9 7 ； 增加了“订货单( 或合同) 内容”一章内容。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。 本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： g b t11 0 7 2 一1 9 8 9 1 范围 锑化铟多晶、单晶及切割片 g b t1 1 0 7 2 - - 2 0 0 9 1 1 本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 1 2 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑 化铟多晶、单晶及切割片。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单( 不包括勘误的内容) 或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 g b t4 3 2 6 非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 g b t8 7 5 9 化合物半导体单晶晶向x 衍射测量方法 g b t1 1 2 9 7 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 3 产品分类 3 1 导电类型、规格 3 1 1 多晶 多晶的导电类型为n 型，按载流子迁移率分为三级。 3 1 2 单晶 锑化铟单晶按导电类型分为n 型和p 型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度 分为三级。 3 1 3 切割片 按3 1 2 分类与分级，其厚度不小于5 0 0p m 。 3 2 牌号 3 2 1 锑化铟多晶与单晶的牌号表示为： l 用p i n s b 表示锑化铟多晶，m i n s b 表示锑化铟单晶 2 化学元素符号表示掺杂剂； 3 阿拉伯数字表示产品等级。 若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。 3 2 2 锑化铟单晶切割片牌号表示为： g b t11 0 7 2 - - 2 0 0 9 1 m i n s b 表示锑化铟单晶； 2 化学元素表示掺杂剂； 3 c s 表示切割片； 4 阿拉伯数字表示产品等级。 若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。 注：1 级掺碲锑化铟单晶切割片表示为； m i n s i 卜t e _ c s - 1 4 技术要求 4 1 多晶 4 1 1 多晶不应有裂纹和机械损伤，不允许有夹杂物。 4 1 2 多晶的电学性能应符合表1 的规定。 表1 多晶的电学性能( 7 7 k ) 载流子浓度迁移率 导电类型级别 c l - i l 一。 e c r u 2 ( v s ) 15 1 0 ”1 1 0 “ 6 1 0 5 25 x 1 0 1 3 l 1 0 1 4 5 1 0 5 6 1 0 5 35 1 0 ”1 1 0 1 4 4 l o5 5 1 0 5 4 2 单晶及切割片 4 2 1 单晶及切割片不得有裂纹、空洞和孪晶线等缺陷，切割片表面不得有肉眼可见的刀痕，因切割而 引起的缺口或崩边应在2m i d 以内。 4 2 2 非掺杂和掺杂锑化铟单晶的电化学性能与位错密度应符合表2 的规定，用于磁敏元件的锑化铟 单晶及切割片的电学性能应符合表3 的规定。 表2 非掺杂和掺杂锑化铟单晶电学性能( 7 7 k ) 和位错密度 导电载流子浓度迁移率电阻率直径 位错密度 牌号 掺杂剂 c m 类型 c m 一。 c m 2 ( v - s ) ( n c m ) 不大于 5 0 0 m i n s b 非掺杂( 1 5 ) 1 0 “4 5 x 1 0 50 0 2 7 1 0 2 0 0 10 0 0 5 0 0 m i n s b - t et e1 1 0 i s 7 1 0 ”2 4 1 0 5 1 x 1 0 0 0 2 6 0 0 0 011 0 2 0 0 10 0 0 5 0 0 m i n s b - s ns n1 1 0 t 5 7 1 0 82 4 1 0 5 1 1 0 40 0 2 6 0 0 0 011 0 2 0 0 10 0 0 表2 ( 续) g b t11 0 7 2 - - 2 0 0 9 导电载流子浓度迁移率 电阻宰直径 位错密度 牌号掺杂剂 c m - 类型e o m 2 ( v s ) ( n c m )m m 不大于 5 0 0 m i n s b r g e p g e1 1 0 1 5 9 1 0 1 71 x 1 0 6 1 0 20 6 2 0 0 1 2 1 0 2 0 0 10 0 0 5 0 0 m i r l s b - z n p z 1 11 x 1 0 1 s 9 x 1 0 1 7i x l 0 4 6 1 0 2o 6 2 0 0 1 2 1 0 2 0 0 10 0 0 5 0 0 m i n s 卜c d p c d1 x 1 0 ”9 x 1 0 1 1 1 0 6 1 0 2o 6 2 o d 】21 0 b 0 0 10 0 0 表3 用于磁敏元件的锑化铟单晶电学性能( 3 0 0 k ) 载流子浓度e m 一， 迁移率位错密度直径 导电类型掺杂剂晶向 不大于 c 群( v 8 ) 3 ，不小于 c m ，不大于 非掺杂 2 3 1 0 1 6 6 5 1 0 5 0 01 0 2 0 0( 1 1 1 ) 非掺杂 2 3 1 0 1 66 5 1 0 410 0 01 0 h 2 0 0( 1 1 1 4 2 3 于0 5 。 4 2 4 锑化铟单晶棒两端面的法线方向与所要求的晶向偏离应不大于3 。切割片的晶向偏离应不大 切割片厚度及偏差见表4 。 表4 切割片的厚度及偏差 直径1 3 1 0 2 0 2 0 3 0 3 0 4 0 4 0 5 0 5 0 厚度p f n ， 5 0 06 0 08 0 010 0 012 0 0 不小于 厚度偏差 士2 0土2 5士3 0士3 5 土4 0 4 2 5 非掺杂和掺杂单晶及切割片按位错密度和直径分为三级，见表5 。 表5 位错密度等级 位错密度n o 直径d 级别 ( 个c 1 1 3 。) 1 1 0 0 3 0 - - 2 0 0 1 0 0 5 0 0 10 0 01 0 2 0 0 4 2 6 ( 1 1 1 ) 晶面切割片的参考面如图l 所示。其直径、参考面长度及其偏差见表6 。 g b t1 1 0 7 2 - - 2 0 0 9 图1( 1 1 1 ) 晶面的切割片参考面 表6 切割片直径、参考面长度及其偏差单位为毫米 副参考长度岛 直径直径偏差 主参考长度岛 主参考长度偏差 不大于 4 0土51 2土38 5 0土51 2士38 1 0 0 士5 3 2 士3 1 8 1 5 0士55 7土3 3 7 2 0 0土56 2土34 2 5 试验方法 5 1 锑化铟多晶、单晶及切割片的表面质量用目视或用5 1 0 倍放大镜检查。 5 2 锑化铟多晶、单晶及切割片的电学性能测量按g b t4 3 2 6 进行。 5 3 锑化铟单晶晶向测定按g b t8 7 5 9 进行。 5 4 锑化铟单晶棒及切割片的直径用精度为0 1m m 游标卡尺测量，切割片的厚度用精度为0 0 1m m 的千分尺测量。 5 5 锑化铟单晶的位错密度观测按g b t1 1 2 9 7 进行。 6 检验规则 6 1 产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 6 2 需方可对收到的产品进行检验，若检验结果与本标准规定不符时，在收到产品之日起两个月内向 供方提出，由供需双方协商解决。 6 3 单晶应逐根进行电学性能、位错密度和表面质量等检验。 6 4 单晶位错密度检测试样从单晶头、尾取样，在( 1 1 1 ) 铟面进行检测。切割片按总片数的5 抽样， 但不应少于3 片。 6 5 如检验结果有一项不合格，则加倍取样进行该不合格项目复验，若仍有一项不合格时，则重新组批 验收。 7 标志、包装、运输和储存 7 1 每根单晶或多晶装入聚乙烯袋内，再置于适宜的包装盒中，四周用软物塞紧，以防碰伤。切割片用 软物包裹，置于特殊的厚泡沫塑料中，再装入硬质塑料盒或有机玻璃盒内。最后将装有产品的包装盒置 于木箱内，四周用软物塞紧，钉盖固紧。 4 g b t11 0 7 2 - - 2 0 0 9 7 2 包装盒上应注明：供方名称、产品名称、产品编号、产品牌号、产品质量或面积、各项检验结果及生 产日期。外包装箱上应注明：产品名称、产品牌号、批号、产品净重、供方名称、出厂日期、需方名称与地 址，并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志。 7 3 每批产品应附有质量证明书，注明：