非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响.pdf

第 4 7卷第 4期 2 0 1 8年 4月 表 面技术 S URF ACE TECHNOLoGY 1 O 9 非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响 李小龙 ，黄鹏，张慧娟 ，李栋，田雪雁 ，李良坚 ，刘政 ( 京东方科技集 团股份有限公司，北京 1 0 0 1 7 6 ) 摘要：目的 增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后 多晶硅晶粒尺寸的均 匀性，并 最终改善低温多晶硅薄膜晶体管 ( L o w T e m p e r a t u r e P o l y S i l i c o n T h i n F i l m T r a n s i s t o r ，L T P S T F T)的特性。 方法 采用 P E C VD技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜 ( A mo r p h o u s S i l i c o n F i l m o利用 高温退 火炉脱氢后进 行准分子激光退 火 ( E x c i me r L a s e r A n n e a l i n g ，E L A )，完成非 晶硅到 多晶硅 的转 变。 通过扫描 电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析 ， 后续完成薄膜晶体管后利用 I V 测试机 台对器件特性进行测试。 结果 随着非晶硅薄膜厚度的增加， 准分子激光晶化的最优能量密度( O p t i m a l E n e r g y D e n s i t y ，O E D)以及工艺窗口 ( 0 E D Ma r g i n) 均增加 ，当膜层厚度大于等于4 7 n m时，0 E D Ma r g i n 均为 2 5 r n J c m 。当膜厚为 4 7 n l T l 时，多晶硅晶粒尺寸均匀性为 0 6 4 ，也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射 率为 4 5时，形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为 0 4 5 ，远优于折射率为 4 3 8时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折 射率为 4 5的非晶硅薄膜形成未掺杂的 L T P S T F T( P MOS )迁移率为 1 2 0 6 c m ( v S ) ，阈值电压为一 1 4 V， 关态电流为 5 3 p A；折射率为 4 3 8时的迁移率为 1 1 2 4 c m2 ( V S ) ，阈值 电压为一 2 0 V，关态电流为 7 1 p A。 结论当非晶硅膜厚 为 4 7 n i n时，准分子激 光晶化 的 O E D Ma r g i n以及 晶化后的 多晶硅 晶粒尺寸均处于较优 的水平。另外，提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅 晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。 关键词 ：非晶硅薄膜 ；准分子激光晶化；折射率；薄膜晶体管器件特性 中图分类号 ：T B 3 4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1 0 0 1 3 6 6 0 ( 2 0 1 8 ) 0 4 0 1 0 9 0 6 D ol ：l 0 1 6 4 9 0 j c n k i i s s n 1 0 0 1 3 6 6 0 2 0 1 8 0 4 0 1 6 Ef f e c t s o f Thi c kne s s a nd Char a c t e r i s t i c s o f Am o r pho us Si l i c o n Fi l m s o n Exc i m e r La s e r Cr ys t a l l i z a t i 0 n L I X i a o - l o n g ， HU A NGP e n g , Z HA NGHu i - j u a n ， L I Do n g ， T I A NXu e - y a n ， L I L i a n g -fia n ， L I UZ h e n g ( BO E T e c h n o l o g y G r o u p C o L t d ， B e i j i n g 1 0 0 1 7 6 ， C h i n a ) ABS TRACT： Th e wo r k a l ms t o i mp r o v e o p t i ma l e n e r g y d e n s i t y p r o c e s s wi n d o ws o f e x c i me r 1 a s e r c r y s t a l l i z a t i o n a n d e n h a n c e g r a i n s i z e u n i f o r mi ty o f p o l y c r y s t a l l i n e s i l i c o n ，a n d fi n a l l y i mp r o v e c h a r a c t e r i s t i c s o f l o w t e mp e r a t u r e p o l y s i l i c o n t h i n fi l m t r a n s i s t o r ( L T P S T F T ) Amo r p h o u s s i l i c o n( a - S i ) f i l ms o f d i f f e r e n t t h i c k n e s s a n d r e f r a c t i v e i n d e x we r e d e p o s i t e d o n g l a s s s u b s tra t e s b y a d o p t i n g P ECVD t e c h n o l o gy Af t e r d e h y d r o g e n a t i o n i n h i g h t e mp e r a t u r e a n n e a l i n g f u r n a c e ， e x c i me r l a s e r a n n e a l i n g w a s p e r f o r me d t o c o m p l e t e t r a n s i t i o n f r o m a mo r p h o u s s i l i c o n t o p o l y c r y s t a l l i n e s i l i c o n f P S i ) G r a i n s i z e a n d s u r f a c e r o u g hne s s o f p o t y c r y s t a l l i n e s i l i c o n we r e a n a l y z e d wi t h s c a n n i n g e l e c tro n mi c r o s c o p e a n d a t o mi c f o r c e mi c r o s c o p e Af t e r c o mp l e t i o n o f t h i n - fi l m tr a n s i s t o r s ， t e s t i n g ma c h i n e w a s u s e d t o t e s t d e v i c e c h a r a c t e r i s t i c s B o t h t h e o p t i mu m e n e r g y d e n s i ty ( O E D ) a n d p r o c e s s wi n d o w( O E D ma r g i n ) o f e x c i me r l a s e r c rys t a l l i z a t i o n i n c r e a s e d wi t h t h e i n c r e a s e o f a mo rph o u s s i l i c o n t h i n fi l m thi c k n e s s W h e n the fil m t h i c kn e s s wa s I4 7 n l n ， OE D ma r g i n wa s 2 5 mJ c m P r o v i d e d wi t h fil m t h i c kn e s s o f 4 7 n n l ， g r a i n s i z e 收 稿 日期 ：2 0 1 7 一 l 1 1 7 ；修 订 日期 ：2 0 1 8 0 2 1 2 Re c e i v e d： 2 01 7 1 1 - 1 7： Re v i s e d： 2 01 8 - 0 2 1 2 作者简介：李小龙 ( 1 9 8 8 一 ) ，男，硕士 ，高级工程师，主要从事柔性 L T P S A MO L E D工艺开发及研究工作。 B i o g r a p h y：L I Xi a o l o n g( 1 9 8 8 一) ， Ma l e ， Ma s t e r ， S e n i o r e n g i n e e r ， Re s e a r c h f o c u s ： f l e x i b l e L T P S AMO L E D p r o c e s s d e v e l o p me n t 友 面 技 术 u n i f o r mi t y wa s 0 6 4 a n d a t o p t i ma l l e v e 1 W h e n r e f r a c t i v e i n d e x o f a mo r p h o u s s i l i c o n fil m wa s 4 5 ， t h e g r a i n s i z e u n i f o r m i t y o f p o l y c r y s t a l l i n e s i l i c o n wa s O 4 5 wh i c h wa s mu c h s u p e r i o r t o t h a t o f p o l y c r y s t a l l i n e s i l i c o n g r a i n wi t h r e fra c t i v e i n d e x o f 4 3 8 F o r u n d o p e d L TP S TF T ( P M0S 1 ma d e f r o m a mo rph o u s s i l i c o n fil m wi t h r e f r a c t i v e i n d e x o f 4 5 ， mo b i l i t y r a t i o wa s 1 2 0 6 c n l ： ( V s ) t h r e s h o l d v o l t a g e一1 4 V， a n d o ff - s t a t e c u r r e n t 5 3 p A； f o r t h a t ma d e f r o m a mo rp h o u s s i l i c o n fi l m wi t h r e f r a c t i v e i n d e x o f 4 3 8 ， mo b i l i t y r a t i o w a s 1 1 2 4 c m ( v s ) ， t h r e s h o l d v o l t a g e- 2 。 0 V， a n d o ff - s t a t e c u r r e n t 7 1 p A P r o v i d e d wi t h a mo rph o u s s i l i c o n fih n t h i c k n e s s o f 4 7 1 1 1 1 1 OE D ma r g i n o f e x c i me r l a s e r c r y s t a l l i z a t i o n a n d g r a i n s i z e u n i f o r mi t y o f c ry s t a l l i z e d p - S i a r e b o t h a t s u p e r i o r l e v e l I n a d d i t i o n i mp r o v e me n t o f r e f r a c t i v e i n d e x o f a mo rp h o u s s i l i c o n fil m i S a l s o b e n e fi c i a l t o e n h a n c e me n t o f P S i g r a i n s i z e u n i f o r mi t y a n d LT P S TF T t ran s f e r c h a r a c t e r i s t i c s KEY W o RDS ： a mo r p h o u s s i l i c o n f l ms ； e x c i me r l a s e r c ry s t a l l i z a ti o n ； r e fr a c t i v e i n d e x ； t h i n fi l m t r a n s i s t o r d e v i c e c h a rac t e r i s t i c s 随着平板显示产业对于高分辨率 、快响应速度 、 窄边框的需求越来越强烈 ， 多品硅薄膜晶体管 目前引 起 了广泛 的 关注相 比 于非 品硅 ，准分 子激光 晶化 形成的多晶硅拥有较高载流子迁移率 、 较低 的材料成 小 、 较高的!l 示面质量 此近年来对于该领域的 研究 一血处于较活跃 的状态I 2 1 ：低温多晶硅作为有 源层 可以实现 L C D及 0L E D 示 ，同时柔性 O L E D 示器也f 1 以采用低温多品硅薄膜晶体管作为背板 ， 冈此为该技术提供 了广阔的应用空间 6 。准分子激光 参数 、激 光品化机 理 、预处 理过 程 、 非 晶硅 的厚度 及 质量 ， 这 都会对多晶硅薄膜晶体管的特性有较大影 向 7 - 9 ： 期 有 文献 介绍 _ 1 ，不 同 的非 晶硅薄 膜厚 度 对于晶体管载流子迁移率有显著影响 ， 但是对于 E L A 品化 的 OE D Ma r g i n的影响 以及 对多 品硅 晶粒尺寸 均 匀性的影响未做详尽说明 另外，氢化非品硅薄膜的 折射率傲认为与其膜层 中 H 含量及微孑 L 含量相关 ， 即 H禽 l 及微孑 L 含量减小 薄膜折射率随之增加】 。 本 义研 究 了不同 非晶硅 厚度 对于 E L A结 晶能 量 、 一 r 艺窗 r 1 以及多 品硅 品粒 寸大 小及 均匀性 的影 响 。 同f f 寸 ， 制 备悌度折射率的非品硅薄膜以研究准分子激 光品化的效果， 高折射率的非品硅薄膜有利于优先晶 化 彤核 1 实验 方 法 在 玻璃 基 板上 先 沉 积 一定 厚 度 的 氮化 硅 和 氧 化 砟复合膜层作为缓冲层 ，该缓冲层在 E L A 晶化时可 以 起 到保 温 作 用 ，有 利 于 品粒 形 核 长 大 。随 后 ，在 A KT 1 6 0 0 P X P E C V D 没备上沉积非 品硅薄膜 ，气体 源为 S i ll 4 和 H! 折射率调整采用全因子 D OE实验设 汁方 法 ，具体沉积 条件 如表l ，温度调整 范 同为 3 9 0 4 3 0 = 不同非品硅薄膜厚度通过调整沉积时间 n 丁 获得，厚度范同 4 0 5 0 n m：薄膜厚度及折射牢 ( ) 采用 C o mp l e t e E AS E光谱椭偏仪测量。 非品硅薄膜沉积后 ， 基饭放置于高温退火炉中进 行去氢处理，退火条件为 4 5 0 9 0 mi n ，保证各条 件下非品硅薄膜 巾氢含量低于 2 ，以防止进行 E L A 时发生氢爆 E L A l 艺采川 J S W 公司 L A3 7 0 N1 一 C 7 一 D7设备 表 1 非 晶硅膜 层折射 率调整 DOE实验 Tab 1 DOE e xper i ment of r e f r ac t i v e i nde x a d j u s t me n t o f a S i fi l m 进行，激光源为 X e C 1 气体，激光波长为 3 0 8 n m。在 整张玻璃基板进行激光扫描之前需要先进行能量密 度 ( E n e r g y D e n s i t y ，E D)条测 试 ，优选 Mu r a状况 最优的能量密度 ( 冈 1 )。结晶后多晶硅的品粒大小 及均 匀性 采用扫 描 电子显 微镜进行 评价 ， 多 晶硅表 面 粗糙度采用原子力显微镜进行评价。 图 1 最优能量密度测试条 F i g 1 Op t i m u m e n e r g y d e n s i t y t e s t b a r 2结果及 分析 2 1 非 晶硅 膜层 厚度对 E L A 结晶能 量及 工 艺 窗 口的影 响 2址 1 薄膜厚度情况下 E L A结f 玳 能 技 l 商 f f 的 化趋势 2 f I J 以吞 ，随 疗 “ I 0 增 J J 】 ，进 行 E L A 捕 所需 的 能 f I L g 增 ，这 P a u l v a n d e r Wi l t 义献 l I 1 介 的 钡乃 敛 1 川 ： fJ 增 加时 勾 证 非品 接近 ， 命熔 m状 念 激 光I 化的能 量 度 也会随之增 J J 【 1 ， 疗 儿 会 J ： 线 f l I 火的父 系 0 层较 薄 【 J 1 ， 激 能 = Jj 仃 波 动 会 多 品 碎 衷 彤 成 条 纹 状 Mu r a -L： i j I ! 增 J J l J ： E L A T 商 门的提 j - 址 r 的 i 膜 池 勾 4 7 5 0 n n l f j l ， O E D Ma r g i n均 为 2 5 m J c m i i i i。I f i l ! 的 瞍 川 、r 丁结 品 的 品粒 、 J 大 小 及 均 仃 ： 响 ( 3 4) 膜层 较 时 多 t I J 、 t 较 小 1 J 寸均 较篪 ， 膜 厚 过 定 池 i - I I ,f ，r f l J 寸均 匀性 会变差 ， 此 综介多J f f J 、 j 久小及均匀一 、OE D Ma r g j n 选 帧 4 7 11 1 1 1为最 伴结 品膜 ， 此 I lf f Jil 粒 J 为 3 5 0 r i m，f 粒 均 一 约 0 6 4( U n i f o r mi t v = ( Ma x - Mi n ) ( 2 AVG) 4 0 0 41 0 4 2 0 4 3 0 4 40 4 5 0 4 6 0 47 0 4 8 0 4 9 0 5 0 0 a Sl t h i c k ne s s n m _划2 I 1 i i i 6 t ： J 。 度 埘 OE DOE D Ma r g i n影响 i g 2 i n flu e n c e o f a S i t h i c k n e s s o n O E DOE D M a r g i n 3 多 能 品粒 J 寸及均 5 j 随 I 1 ：- I l 腆 化趋势 F i g 3 p - S i g r a i n s i z e a n d u n i f o r mi t y t r e n d b y a S i t h i c k n e s s b 4 3 n m c4 611 11 1 4 J lJ 度 f 川 J J 层结 f 后状态 F i g 4 c r y s t a l l i n e s t a t e o f d i ffe r e n t a S i t h i c k n e s s 2 2 非晶硅薄膜折射率对 准分 子激光晶化 的影 响 l 冬 l 5址1 I 4 P E C VD沉积 r 条件下折射牢的变 f 5 OI 1 m 化规律 可以胥 1 随荷 S i N 4流 的增 J J f 1 ，折射率 现 增 加后 减 小 的趋 势 这 魁 为 一 定 范 闹内 ， S i ll 4 流 量增 加 ，膜层 r 1 I l 1 h 茈 小 ，凶此折 射 率增 J i l l ；而 * 忸 “ J l i一 定范 韦 1 后 ，过 I ， J S i ll 4流量 会 导敛 表面技术 2 0 1 8 年 4月 沉积速率迅速增加 ，此时膜层中会形成众多的微孔 ， 从而导致非 晶硅折射率减小。同样 ，H 流量增加导 致非晶硅膜层 中 H 含量增加 ，从趋势图中也可 以看 出折射率随之减小。 折射率随着沉积温度及沉积功率 的变化呈现相反的趋势 ，沉积温度升高 ， 非 晶硅膜层 更加致密 ，因此折射率也增加 ， 并且在各沉积工艺参 数中，温度的影响最为显著【 1 引 。 l oo l 2 o 1 4 0 l 6 o 1 8 0 2 0o 22 o 2 4 o 2 6 0 28 0 F l o wr a t eof s i r L( s c 伽n ) as i r i , 量 R Fp o we r ( C 沉积功率 不同折射率的非晶硅薄膜晶化后， 晶粒尺寸均匀性 变化趋势如图 7所示 ，从图中可以明显地看出，随 着折射率的增加 ，多晶硅晶粒尺寸的均匀性也随之改 善。 这是由于折射率较高时， 激光在非晶硅膜层中经过 的路径较长， 可以保证充分的融化结晶，同时高折射率 下的非晶硅薄膜微孔含量较低 ， 因此晶化后多晶硅的晶 粒尺寸均匀性及表面粗糙度均处于较优水平。 F l o wr a t eo f l I 2 ( s o c n 1 ) b 流量 Te mp e r a t ur e 。 C d 沉积温度 图 5 P E C VD沉积工艺与非 晶硅折射率关系 F i g 5 Re l a t i o n s h i p b e t we e n P E C VD d e p o s i t i o n p r o c e s s a n d r e f r a c t i v e i n d e x o f a S i ： ( a ) S i ll 4 fl o w ， ( b ) H 2 f l o w ， ( c ) d e p o s i t i o n p o we r ， ( d ) d e p o s i t i o n t e mp e r a t u r e 图 6 不同非晶硅折射率下多晶硅晶粒尺寸 均匀性变化趋势 F i g 6 P S i g r a i n s i z e u n i f o r m i t y t r e n d b y d i f f e r e n t r e f r a c t i v e i n d e x o f a S i fi l m 折射率为 4 3 8及 4 5 0的非晶硅薄膜晶化后 ( 见 图 8) 分别完成薄膜晶体管制备 ，T F T转移特性曲线 以及主要特性数值见图 9及表 2 。高折射率非晶硅薄 图 7 不 同非 晶硅折射率下多晶硅表面粗糙度变化趋势 F i g 7 P- S i s u r f a c e r o u g h n e s s t r e n d b y d i f f e r e n t r e f r a c t i v e i n d e x o f a S i fil m 膜晶化后 ， 多晶硅拥有更好 的晶粒尺寸均匀性 以及更 少的晶体缺陷， 因此载流子通过相同长度 的沟道会穿 过更少的晶界及 “ 陷阱”，这种情况下 T F T也拥有 较优 的转移特性较高的电子迁移率 、 更易开启的 阈值 电压以及较低的关态 电流 1 4 - 1 5 。 们铊 鲳 ” 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 】 c 菩 岳_。 芒 譬 】 【 譬v 嗣 _ 譬 a 昌 q 4 7卷 4剐 小 尼等 ：非品 薄膜 度及特性刈准分子激比 化的影响 a n= 4 3 8 b n = 4 5 殳 】 8 品碓 薄 折 射 n = 4 3 8搜 n = 4 5 0时结 f 状 态 F i g 8 Cr y s t a l l i z a t i o l1 s t a t e o f a - S i fil m wi t h r e f r a ct i ve i nde x of n=4 38 4 5 一 j 一、 三 7 9 一 II l 3 V f冬 I 9 f 薄膜 =J 日 t n = 4 3 8及 n = 4 5 0 f 寸L T P S T F T 转 手 ； j 。， r f f I 线 (f f “ ； L = 3 2 6 p m， I = 一0 1 V) Fi g 9 L TPS TFT t r a ns 1 )1c h ar a c t e r i s t i c c ur ve s of a Si f i l n a wi t h r e f r a c t i v e i n d e x， F 4 3 8 4 5 wh e r e = 3 2 6 t u n =一0 1 V 表 2 不 同折射 率的非 晶硅 形成 的 L TP S T F T的转 移特性 Tab 2 Tr ans f e r pr oper t i e s of LTPS TFT f or m e d by a Si wi t h di fie r ent r ef r ac t i ve i nde x 3 结论 1 )随着非 品硅 薄膜 厚度 的增 J I 1 ，激 ) 匕 化 的最 佳能量 也增 加 许 日 膜层厚 度 4 7 5 0 fl I l l 池 f 内， OE D Ma r g i n可 以达到 2 5 mJ c m ， 2)多 晶硅 晶粒 寸 均 性 随膜厚增 J J 【 1 t 脱 允降 低后升 高 的趋势 ， 非品 硅膜厚 为 4 3 l l m 【 i 、f ，多 辟 品粒尺 寸均 匀性最 优 ，f I _I 是结 合 OE D Ma r g i n ，优 选 膜 厚 为 4 7 n m 的非 晶硅 薄膜 ，此 时品粒 r 为 3 5 0 n m，品粒 尺寸 均匀怍 为 0 6 5 3)升高 P E C V D 沉私 l 温度可 以 著提 高非 l I 硅薄 膜的折射率，高折射字非品硅薄膜晶化后，多 I f 】 粒 尺寸均匀性及灰 l半 H 糙度均处 于较优水平 一n = 4 5时 ， 多品硅 品粒尺 寸均匀性 为 0 4 5 ，表面粗糙度 为 7 6 n m 4) 高折射牢非 硅薄膜品化后形成薄H ； l I 体僻 ， 其捌 有较 高的 电子迁 移卒 、 更 易 开启的 阈值 tg J f i 及较 低 的天 态 电流 参考 文献 ： 1 C H OI M， KI M S l H UI J M， e t a 1 A d v a n c e d E L A t b r L a r g e s i z e d AMOL E D Di s p l a s y s J S I D， 2 0 1 4 ( 4 ) ： 】 3 1 6 2 C t t E N B W， C HA NG T C ， HU NG Y J S u r f a c e E n g i ne e r i ng o f Po l y c r ys t a l l i ne Si l i c on f or Lon g t e r n 1 M e - c h a n i c a l S t r e s s E n d u r a n c e E n h a n c e me n t i n F l e x i b l e L o w T e mp e r a t u r e P o l y S i T h i n fi l m T r a n s i s t o r s J A CS Ap p l Ma t e rI n t e r f a c e s ， 2 01 7 9 ( 1 3 1 ：I 1 9 4 2 1 1 9 4 9 3 KE U M C M， KI M J K MOO N S J ， e t a 1 L o w t e mp e r a t ur e Pol y s i l i c on Thi n fih n Tr a n s i s t or De ve l op e d wi t ho ut I o n Do p i n g J J o u rna l o f I n f o r ma t i o n Di s p l a y 2 0 1 4 】 5f 31 ：1 3 5一 l 38 4 MI Y U J E O NG K S YU N H J I n v e s t i g a t i o n o t 、 t h e I ns t a bi l i t y of Lo wt e mp e r a t u r e Po l y s i l i c on Thi n Fi I m T r a n s i s t o r s u n d e r a N e g a t i v e B i a s T e mp e r a t u r e S t r e s s J Di s s e r t a t i o n s T h e s e s Gr a d wo r k s ， 2 0 】 3 ， 9 ( 1 ) ：l 3 1 6 5 L E E S W， NA M D H， YO ON J M， e t a I I mp r o v e me n t o f Ga t e Ox i d e I n t e g r i t y i n L o w Te mp e r a t u r e P o l y S i l i c o n T F T J MR S On l i n e P r o c e e d i n g s L i b r a w 2 0 0 3 ，7 6 2 ： 5 69 57 6 6 岳敛富，父 ， 峰，等秉性低温多 胙 jJ ； l I ff I 体 管的弯曲稳定性 1 发光 ： 报 2 0 1 7 ， 3 8 ( 9 ) ： 1 2 0 5 1 2 0 9 YUE Zh i f u ，W U Yo n gLI Xi f e ng e t a l Be n di ng St a bi l i t v o f Fl e xi b l e Lo w Te mp e r a t u r e P ol y s i l i c o n Thi n nh n T r a n s i s t o r s J C h i n e s e J o u r n a l o f L u mi n e s c e n c e 2 0 l 7 ， 38 f 91 ：1 2 05 一 l 2 09 7 B R O T HE R T ON S D， Mc C UL L 0 c H D J ， G OWE R S J P ， e t a 1 Fi l m Thi c k ne s s Efl e ct s i n La s e r Cr y s t a l l i s e d Pol y Si T F T s J 1 D w， 1 9 9 6 ， 6 3 ： 2 1 2 5 1 1 4 表 面技术 2 0 1 8年 4月 8 9 】 1 0 TE NG T H， HUANG C Y， CHANG T K， e t a 1 De g r a d a t i on of Pa s s i va t e d a nd No n- p a s s i va t e d N- c ha n ne l Lo w t e mp e r a t u r e P o l y c r y s t a l l i n e S i l i c o n TF T s P r e p a r e d b y E x c i me r L a s e r P r o c e s s i n g J S o l i d S t a t e E l e c t r o n i c s ， 2 0 0 2 ， 4 6 ： 1 0 7 9 - 1 0 8 3 CHERN H N LEE C LLEI T F The Ef f e c t s o f H， O2 - P l a s ma Tr e a t m e n t o n t h e Ch a r a c t e r i s t i c s o f P o l y s i 1 i c o n T h i n fi l m T r a n s i s t o r s J I E E E T r a n s a c t i o n s o n E l e c t r o n De v i c e s ， 1 9 3 3 ， 4 0 ( 1 2 ) ： 2 3 0 1 2 3 0 6 HATANO M S HI BA TLa t e Ne WS Pa p e r ：Se l e c t i v e l y En l a r g i