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硅基太阳能电池集成技术的进展,制作人：陈培芬学号：19920078103611,引言,太阳能电池的发展,硅基太阳能电池集成技术的进展,现状分析,前景展望,目录,引言,太阳电池作为重要的清洁能源而越来越受到世界各国的重视。1954年，贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6的单晶硅光电池，为太阳能光伏发电奠定了技术基础，成为现代太阳电池时代的划时代标志。硅太阳能电池产业的研制和生产日益壮大,1990年以来,年均增长率高达16%，每年的贸易额达10亿美元,以Si材料为主的光伏工业增长率已高于集成电路工业。,太阳能电池的发展,第一代,第二代,第三代,晶体硅太阳电池,各种薄膜太阳电池,新概念太阳电池,硅基太阳能电池,微晶硅薄膜太阳电池,单晶硅太阳电池,多晶硅太阳电池,非晶硅薄膜电池,以硅材料为基本材质,单晶硅太阳电池,材料,加工工艺,以高纯的单晶硅棒为原料,纯度要求99.999%。地面使用材料性能指标有所放宽，可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。,在电池制作过程中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术形成太阳电池阵列，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。,多晶硅太阳能电池,多晶硅薄膜太阳能电池是将多晶硅薄膜生长在低成本衬底材料上,用相对薄的晶体硅层作为太阳能电池的激活层,不仅保持了晶体硅太阳能电池的高性能和稳定性,而且材料用量下降,成本降低,多晶硅由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来,浇铸多晶硅技术是降低成本的重要途径之一,该技术省去了昂贵的单晶拉制过程,也能用较低纯度的硅作投炉料,材料及电能消耗方面都较省,材料,多晶硅的生产方法,非晶硅薄膜太阳能电池,由于非晶硅对太阳光的吸收系数大,因而非晶硅太阳电池可以做得很薄,通常硅膜厚度仅为12m,是单晶硅或多晶硅电池厚度(0.5mm左右)的1/500,所以制作非晶硅电池资源消耗少。,非晶硅薄膜太阳能电池加工工艺,制备方法有反应溅射法、低压化学气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),一般采用PECVD使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。连续在多个真空沉积室完成，由于沉积分解温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。,硅基太阳能电池比较,优点：技术最为成熟，转换效率最高缺点：成本价格高，大幅度降低其成本很困难,非晶硅薄膜,优点：成本低重量轻，转换效率较高缺点：不稳定，其材料会引发光电效率衰退效应,多晶硅,优点：与单晶硅比较,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池缺点：转换效率低于单晶硅电池,各类太阳电池产量比重（单位：%）,现状分析,2009年产量达到4GW，超过全球份额的40,多结晶Si产量还将扩大,薄膜太阳能电池的发展也在稳步推进,中国太阳能电池产业现状分析,太阳能电池展会“SOLARCONChina2010”,前景展望,在未来世界太阳电池的主流产品仍旧为硅基太阳电池。
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