电子线路期末试卷及答案.doc

一 电子线路期末试卷及答案12345678910(1)在半导体内部，只有电子是载流子。(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流ICQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。(8)在单管放大电路中，若VG不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为Av1、Av2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为Av，Av= Av1+Av2。(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。二选择题（210）12345678910(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A少数载流子 B多数载流子 C既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。AvoicRc Bvo -Rcic Cvo -IcRc(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。AR100或R1000挡 BR1 CR10K挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。A大电阻 B断开的开关 C接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将( )。A随IB增加而增加 B随IB增加而减小 C与IB无关，只决定于RC和VG(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。A同相位 B相位差90 C相位差180(7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。A基极电流不变； B集电极对发射极电压VCE下降； C集电极对发射极电压VCE上升(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。A增大 B反向 C中断（9）在基本放大电路中，基极电阻RB的作用是( )。A放大电流 B调节偏置电流IBQC把放大了的电流转换成电压； D防止输入信导被短路。（10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（ ）。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态三填充题 （210）(1)晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是_，ICIB的比值叫_。(2)PN结具有_性能，即：加_电压时PN结导通；加_电压时PN结截止。(3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_V，锗二极管的正向压降为_V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是_型半导体，集电区是_型半导体，基区是_型半导体。(5)晶体二极管因所加_电压过大而_，并且出现_的现象，称为热击穿。(6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位VCVG，则该放大器的三极管处于_工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_，所以热稳定性_三极管较好。(8)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_。(9)放大器的静态是指_时的工作状态。(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_的相位关系，所以该电路有时被称为_。四问答题 (210)(1)两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V，将它们组成图所示两种电路，设输入端电压V1值是20V，求各电路输出电压V2的值是多少? (2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为锗管)。五计算题 (20)如图所示单管放大电路中，设晶体管的40，rbe1.4k。估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ；估算放大倍数。3 / 3电子线路期末试卷及答案12345678910二选择题(将正确答案填人表格内) （210）12345678910CBACCCBCBC三填空题（120）1. IE=IB+IC，交流电流放大系数2. 单向导电性，正偏，反偏3. 0.7V，0.3V4. N，N，P5. 反向，击穿，烧毁6. 饱和7. 大得多，硅8. 增大9. 没有输入信号10. 倒向，反相器四问答题 (210)（1）（a）7V(b)16V(2)(a)放大状态（b）截止状态（c）截止状态（d）饱和状态五计算题 (20)解：(1)IBQ=(VG-VBEQ