半导体存储器和可编程逻辑器件_第1页
半导体存储器和可编程逻辑器件_第2页
半导体存储器和可编程逻辑器件_第3页
半导体存储器和可编程逻辑器件_第4页
半导体存储器和可编程逻辑器件_第5页
已阅读5页,还剩2页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件8-1ROM由主要由哪几部分组成?8-2试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同?8-3PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点?8-4RAM由主要由哪几部分组成?各有什么作用?8-5静态RAM和动态RAM有哪些区别?8-6RAM和ROM有什么区别,它们各适用于什么场合?8-7试用ROM实现下列组合逻辑函数。8-8 比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同?8-9 试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示,写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D的逻辑关系表达式。图题8-98-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示,写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11可编程逻辑器件有哪些种类?有什么共同特点?8-12在下列应用场合,选用哪类PLD最为适合。(1)小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。(2)产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。(3)要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。图题8-108-13选择题1一个容量为1K8的存储器有 个存储单元。A.8 B.8K C.8000 D.81922要构成容量为4K8的RAM,需要 片容量为2564的RAM。A.2 B.4 C.8 D.323寻址容量为16K8的RAM需要 根地址线。A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K4若RAM的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个,则它们的输出线(即字线加位线)共有 条。A.8 B.16 C.32 D.2565某存储器具有8根地址线和8根双向数据线,则该存储器的容量为 。A.83 B.8K8 C.2568 D. 2562566.采用对称双地址结构寻址的10241的存储矩阵有 。A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列7随机存取存储器具有 功能。A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写8欲将容量为1281的RAM扩展为10248,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为 。A.1 B.2 C.3 D.89欲将容量为2561的RAM扩展为10248,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为 。A.4 B.2 C.3 D.810只读存储器ROM在运行时具有 功能。A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写11只读存储器ROM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容 。A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变12随机存取存储器RAM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容 。A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变13一个容量为5121的静态RAM具有 。A.地址线9根,数据线1根 B.地址线1根,数据线9根C.地址线512根,数据线9根 D.地址线9根,数据线512根14用若干RAM实现位扩展时,其方法是将 相应地并联在一起。A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线15PROM的与陈列(地址译码器)是 。A.全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列 C.非全译码可编程阵列 D.非全译码不可编程阵列第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件8-1 ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2 相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 或1。 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改。 PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。8-3 PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器,使用最方便。8-4 RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单 元排列而成。在给定地址码后,经地址译码,这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制,实现对这些单元的读写操作。8-5 静态RAM的存储单元为触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。动态RAM的存 储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻,在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的,由于栅极电容存在漏电,因此,工作时需要周期性地对存储数据进行刷新8-6 只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随意改写。随时读出数据或 改写存储的数据,并且读/写数据的速度很快,因此,RAM多用于需要经常更换数据的场合,最典型的应用就是计算机中的内存。但RAM在断电后,数据将全部丢失。8-7 电路如图所示:8-8 PAL有双极型熔丝工艺和E2CMOS两种工艺。前一种不能改写,后一种能改写。它们的 输出电路的结构类型由型号决定,在一些定型产品中仍在使用,一般不再用来开发新产品。GAL,采用E2CMOS工艺,改写方便。GAL器件采用了可编程的输出逻辑宏单元OLMC,通过编程设置成不同的输出方式,可以用同一种型号的GAL器件实现PAL器件所有的各种输出电路工作模式,从而增强了器件的通用性,它是目前应用最广泛的PLD。8-9 Y1=AB+BC+CD+AD Y2= Y3= Y4=8-10 驱动方程:D1= ;D2= 状态方程:Q1N+1= Q2n+1=状态转换图: 8-11 目前适用最多的PLD产品主要有可编程阵列逻辑PAL(Programmabel Array Logic的缩写)、通用阵列逻辑GAL(Generic Array Logic的缩写)和在系统可编程器件ISP-PLD(In-System Programmabel

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论