微电子器件试验-晶体管开关特性的测试分析.doc_第1页
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电子科技大学 微固 学院标 准 实 验 报 告（实验）课程名称 微电子器件 电子科技大学教务处制表电 子 科 技 大 学实 验 报 告学生姓名： 学 号： 指导教师：张有润实验地点： 211楼605 实验时间：2017.6.12一、实验室名称： 微电子器件实验室 二、实验项目名称：晶体管开关特性的测试分析三、实验学时：3四、实验原理：图1如图1所示，如果在晶体管基极输入一脉冲信号Vi，则基极和集电极电流波型如图所示。故由图可读出其延迟时间Td、上升时间Tr、存储时间Ts和下降时间Tf。晶体管开关时间参数一般是按照集电极电流iC的变化来定义： 延迟时间td：从脉冲信号加入到iC上升到0.1ICS。 上升时间tr ：从0.1ICS上升到0.9 ICS。 存储时间ts ：从脉冲信号去除到iC下降到0.9 ICS。 下降时间tf：从0.9 ICS下降到0.1 ICS。 其中td + tr即开启时间、 ts + tf即关闭时间 。五、实验目的：掌握晶体管开关特性测量原理。并能熟练地运用仪器其对双极晶体管的开关时间进行测试。六、实验内容：掌握晶体管开关特性测量原理，用如下实验装置图2观察晶体管输入输出波型，读出各参数。改变外电路偏置，研究电路偏置对开关时间的影响。图2七、实验器材（设备、元器件）：双踪示波器、脉冲发生器、直流稳压电源、测试盒、9031NPN八、实验步骤：1、按上图2连接仪器，校准仪器。2、上脉冲，记录输入输出波型及NPN的开关参数。九、实验数据及结果分析：测量9103NPN的开关参数即：延迟时间Td、上升时间Tr、存储时间Ts和下降时间Tf。Td（ns）Tr(ns)Ts(ns)Tf(ns)104120150130十、实验结论：通过测试，可以知道：晶体管的开关时间中存储时间比例最高。十一、总结及心得体会：晶体管开关时间是衡量晶体管开关速度特性的重要参数。据了解，晶体管开关作用优点如下：控制大功率、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关，以及简单和优化的基极驱动造就的高性能。从而可以知道它对数字电路的工作频率和整机性能有直接影响。本实验的使我掌握了晶体管开关时间的物理性质和测量原理方法，理解了双极晶体管开关特性的基本参数。促进了我能够结合课本更加直观地认识晶体管开关作用的相关概念，继而提高了自己对于晶体管的学习兴趣，为将来的学术和工作都打下了良好的的
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