磁介质ppt课件

第五章,磁介质,1,本章主要内容,1.磁介质的磁化,3.电磁场在分界面上的边界条件,2.各种磁介质的磁化机制,2,1.磁介质的磁化,1.磁性、磁介质、磁化,2.磁化强度,3.磁化电流,4.磁化电流与磁化强度的关系,5.磁介质中的安培环路定理,6、举例,3,1.磁性、磁介质、磁化,在磁场的作用下会发生变化，并能反过来影响磁场的物质，称为磁介质(magneticmedium),磁性：物质的基本属性之一，即物质的磁学特性；吸铁石天然磁体具有较强磁性；多数物质一般情况下没有明显的磁性。,磁化（magnetization）：在外磁场的作用下，原来没有磁性的物质，变得具有磁性，称为磁化。,理论模型：磁荷观点、分子环流（以此观点讨论）。物质的磁性起源于原子的磁性；严格的磁学理论应该建立在量子力学基础上。,一般物质在较强磁场的作用下都显示出一定程度的磁性,即都能对磁场产生影响，所以都是磁介质；,磁介质被磁化后，会产生附加磁场，从而改变原来空间磁场的,4,分布。,其实在安培时代，对于物质的分子、原子结构的认识还很初浅，电子尚未发现，所谓“分子”泛指介质的微观基本单元。,现代观点：物质是由分子或原子构成的，它们所包含的每一个电子都同时参与了两种运动：电子的自旋(spin)以及电子绕原子核的轨道运动,分子的环形电流具有磁矩分子磁矩，它在外磁场的作用下可以自由地改变方向。,自旋和轨道运动都对应着一定的磁矩，分别称为电子的自旋磁矩(spinmagneticmoment),不同类型的物质对磁场有不同的响应,即具有不同的磁性；这与物质内部的电磁结构有着密切的联系。分子电流安培的大胆假设：磁介质的“分子”相当于一个环形电流，它是由电荷的某种运动形成的，它没有像导体中的电流所受的阻力；,5,ms和轨道磁矩(orbitalmagneticmoment)ml,2.磁化强度,为了描述磁介质的磁化状态（磁化方向和强度），引入磁化强度矢量M,磁化后在介质内部任取一体积元,在没有外磁场作用时，大量分子电流无序随机分布；但加上外磁场后，介质发生磁化。磁化了的介质内分子磁矩矢量和：；,分子磁矩的整齐排列产生宏观上的磁化电流I.,每一个分子磁矩都可以用一个等效的圆电流来表示，称为分子电流(molecularcurrent),整个分子的磁矩是它所包含的所有电子的自旋磁矩和轨道磁矩的矢量和，称为分子的固有磁矩，简称分子磁矩(molecularmagneticmoment)，用m表示,6,体积元内的分子磁矩的矢量和mi不等于0.,3.磁化电流,由于分子的热运动，对固有的分子磁矩不为零的物质，在没有外磁场时分子磁矩的排列是杂乱无章的，,M:单位体积内分子磁矩的矢量和。对如图所示的分子电流圈，其磁矩为：,n为的单位法向矢量，与电流正向构成右手关系。,磁介质中的磁化强度M定义为：,因此分子磁矩的矢量和为零，所以宏观上并不显示出磁性；,在外磁场的作用下，分子磁矩所受到的力矩将使其倾向于沿外磁场方向排列起来，而产生宏观磁矩。,7,在均匀的磁介质内部，成对的方向相反的分子电流互相抵消，仅在磁介质的边缘形成了环形电流，称为磁化电流(magnetizationcurrent)磁化电流是束缚在分子内部的电荷运动的宏观表现，磁化电流也叫束缚电流。它也能产生磁场，即附加场B，也遵从毕奥-萨伐尔定律。附加场反过来要影响原来空间的磁场分布。,8,各向同性的均匀磁介质只有在介质表面，分子电流未被抵销，形成宏观磁化电流。,以前，我们还讨论过电荷在宏观尺度上的运动导致的电流，即传导电流。传导电流：载流子在宏观尺度上的定向流动，产生焦耳热，产生磁场，遵从毕奥萨伐尔定律。,磁化电流：磁介质受到磁场作用后被磁化，大量分子电流叠加形成宏观电流，这是大量分子电流的宏观效果；与传导电流比较，其相同之处：同样可以产生磁场，同样遵从毕奥-萨伐尔定律；不同之处：电子都被限制在分子范围内运动，与因电荷的宏观迁移引起的传导电流不同；无热效应。,9,4.磁化电流与磁化强度的关系,下面我们用一个简单的模型来求由于磁化产生的通过磁介质中的任意一个曲面S的电流，即磁化电流。,设磁化强度为：,不同地方，分子电流圈及其数密度n可以不同。,从右图可以看出，只有被S的边界线套住的电流圈对通过S面的磁化电流才有贡献。,规定S面的磁化电流正向与S面边界线环绕方向为右手螺旋关系。放大边界线上的一小段dl如下页图。,10,以a作底面，dl作中线得到一圆柱，中心不在该柱体内的分子电流圈对磁化电流没有贡献。,只有中心在柱体内的分子电流圈对磁化电流才有贡献。,设磁化电流密度为或j，得：,从上式也可以写出积分表达式：,11,类似方法可得,在磁介质的边界上的磁化面电流密度k为：,n为边界的外法向单位矢量.如果电流分布在一个曲面上，把通过一点垂直电荷流动方向上的单位长度的电流强度，即单位时间里通过单位垂直长度的电量定义为该点的面电流密度，方向为正电荷流动的方向。,12,5、磁介质中的安培环路定理,由于传导电流和磁化电流产生B的规律是相同的，因此，,仅用上述公式计算磁场是不够的，这是由于磁化电流和B是相互影响的;从B-S定律和安培环路定理求B只有在已知电流分布的情况下才能实现。,利用前面得到的公式：,即：,2,1,1化为：,13,由下式定义一个新物理量磁场强度H：,即：,H的单位为安培每米，即A/m.,利用H的定义，上页2可以写为,上式就是磁介质中的安培环路定理。在方程的右边只有传导电流，磁化电流的作用包含在H中,如果知道了H和B的关系，就可以从I0去求H，从而求出B.,M在只有少数分子时没有定义，因此H也没有定义。,这里B是比H更基本的物理量，这是因为B是由电荷的运动产生的，,与电介质相似，根据M与H的关系，磁介质可以分为线性和非线性，各向同性和各向异性。,14,cm称为磁化率。,对线性、各向同性磁介质，,对这类磁介质，,m称为磁导率，mr为相对磁导率。,注意,只对线性、各向同性磁介质成立；,15,16,6、举例,例1、利用有磁介质时的安培环路定理，计算充满磁介质的螺绕环内的磁感应强度B,解：设螺绕环的平均半径为R，线圈的总匝数为N.取与环同心的顺时针圆形积分环路L，传导电流I0共穿过此环路N次,已知磁化场的磁感应强度为B0，介质的磁化强度为M,利用有磁介质时的安培环路定理得,16,17,例2、一个带有很窄的缝隙的永磁环，已知其磁化强度,即,此外，磁化场的磁感应强度B0就是空心螺绕环的磁感应强度，即,1,2,比较1、2得,根据B与H的关系式：,为M，方向如图所示，,解：按分子电流观点，介质表面分布的磁化面电流为kMn由图可见，窄隙永磁环宛如一个面电流密度为kM的螺绕环它产生的沿着M方向的附加磁感应,求图中所标各点的B和H,17,18,强度为,这里，传导电流I0=0，于是有,根据磁场强度H的定义式，考虑到,得到,由此可见，对于B来说，窄隙的作用可以忽略不计；然而，场点是否在磁介质体内，对于H值的确定却是重要的,18,2.各种磁介质的磁化机制,1.磁介质的分类,2.顺磁质的磁化,4.铁磁质,5.铁磁质的磁化机制,6.磁性材料的分类及其应用,19,3.抗磁质的磁化,7.磁荷方法,19,1.磁介质的分类,磁介质的磁性有强弱的差别：弱磁性：顺磁质、抗磁质；强磁性：铁磁质。分子可以分为非极性分子和极性分子：非极性分子的分子磁矩m0；无外场时，mi=0；加入外场时，mi0；表现为抗磁质；极性分子的分子磁矩m0，mi=0；加入外场时，mi0；一般为顺磁质；,此外，在固有的分子磁矩不为零的物质中，还有一类磁性很强的磁介质铁磁质，它们具有不同于顺磁质的性质。,2.顺磁质的磁化,在外磁场的作用下，对分子固有磁矩不为0的磁介质，分子磁矩所受到的力矩将使其倾向于沿外磁场方向排列起来，而分子的热运动却妨碍这种趋势,在一定的,20,温度下，两者将会达到平衡；,尽管这时分子磁矩mi并没有整齐地排列起来，在室温下分子磁矩的取向往往还是相当混乱的，但这时分子磁矩却有趋于沿着外磁场B0的方向排列的倾向，,外磁场一旦撤除，分子磁矩立即回到完全无序的混乱状态，M=0这种磁性称为顺磁性(paramagnetism)，,因此它们的矢量和不再为零外磁场越大，温度越低，磁化强度M越大；,具有顺磁性的物质称为顺磁质(paramagneticsubstance)，例如锰、铬、铂、氮和氧等都属于此类,21,3.抗磁质的磁化,在固有的分子磁矩为零的磁介质中，尽管每个分子的固有磁矩m为零，但是分子中每个电子的运动都相当于一个圆电流，其磁矩用me来表示,其方向分别向里和向外，电子在垂直于其角动量L的力矩的作用下将产生拉莫进动(J.Larmor,1857-1942)*，进动的方向由磁力矩决定，进动角速度都向上，,由于电子带负电，电子的角动量L与其磁矩me方向相反，见下页中、右图，在外磁场中，电子磁矩受到磁力矩,22,这相当于增加了向下的磁矩me由此可见，无论电子的运动方向如何，me的方向都与外磁场相反，即产生了抗磁性(diamagnetism),23,总之，无论电子的运动方向如何，m的方向都与外磁场相反，即产生了抗磁性(diamagnetism)具有抗磁性的物质称为抗磁质(diamagneticsubstance)，例如汞、铜、铋、金、银、氢和氯等都属于此类,如果电子转动的角速度与磁场方向在同一直线上，,通过分析加入磁场后电子受到的洛仑兹力导致的角速度改变得到电子增加的磁矩为（过程从略*）,24,对线性各向同性磁介质，,M和B0同向，顺磁质；,M和B0反向，抗磁质；,在真空中，M=0，,无磁化现象。,对于各向同性线性介质，cm是一个没有量纲的标量；对均匀介质，cm是常数；,对各向异性磁介质，磁化率是二阶张量；对铁磁质，M与H不成正比关系，甚至也不是单值关系；,对非均匀介质，cm是介质中各点坐标的函数，甚至可能也是时间的函数；,当M与H为非线性、非单值关系时，虽然仍可以象以前一样定义磁化率和磁导率，但它们都不是恒量，而是H的函数；,对铁磁质，cm1，其数量级为102106以上，一般说来，当M与H无单值关系时，不再使用磁导率和磁化率来描述磁介质的性质。,25,4.铁磁质,铁磁质(ferromagneticsubstance)是以铁为代表的一类磁性很强的物质在纯化学元素中，过渡族的铁、钴、镍以及稀土族的钆、镝、钬等都属于铁磁质,假定在磁化场为零时铁磁质处于未磁化的状态，当H逐渐增加时，B(或M)先是缓慢地增加(图中OA段)，然后经过一段急剧增加的过程(AB段)之后，,与顺磁质相同的是，铁磁质也是固有的分子磁矩不为零的物质；,然而，常用的铁磁质多是它们的合金和氧化物，如稀土钴合金和铁氧体(ferrite)等,与顺磁质不同的是，在铁磁晶体中，由量子效应产生的交换相互作用，,使相邻原子的磁矩自发地规则取向，抵制了分子热运动的干扰，从而使铁磁质具有一系列不同于顺磁质的性质,26,又逐渐缓慢下来(BC段)，最后当H很大时B(或M)逐渐趋于饱和(CS段),从未磁化到饱和磁化的这段磁化曲线OS，称为铁磁质的起始磁化曲线；,如下页左图所示，当H由零开始增加时，m由起始值mi开始增加，在达到最大值后急剧减少,而饱和值Ms和Bs，则分别称为铁磁质的饱和磁化强度(saturationmagnetization)和饱和磁感应强度。,mi称为起始磁导率(initialpermeability)，,27,mm称为最大磁导率(maximumpermeability),如右图所示，在B达到其饱和值Bs之后，如果使H逐渐减小到零，则B并不随之减小到零，而是保留有一定的值Br，该剩余值称为剩余磁感应强度；,而与相应的磁化强度值，称为剩余磁化强度(remanentmagnetization)为了使B减小到零，必须加一反向磁场，,28,该值称为矫顽力(coerciveforce)Hc,当反向磁场继续加大时，B又将达到它的反向饱和值(点)S.,当铁磁质在交变磁场的作用下反复磁化时，会由于磁滞效应而造成能量损耗，称为磁滞损耗(hysteresisloss)磁滞回线的面积越大，磁滞损耗也就越大,当磁场H在正负两个方向上往复变化时，在B-H或M-H图上形成一条条闭合曲线,称为磁滞回线(hysteresisloop),后面将证明：B-H图中磁滞回线所包围的“面积”代表在一个反复磁化的循环过程中单位体积的铁芯内损耗的能量。,当铁磁质在交变磁场作用下反复磁化，由于磁滞效应，磁体要发热而失去能量。,此后，如果使反向磁场的值逐渐减小到零，随后又沿正方向增加，铁磁质的磁化状态将经R回到正向饱和磁化状态S,磁滞回线越胖,曲线包围的面积越大，损耗越大；磁滞回线越瘦，曲线下面积越小，损耗越小。,29,5.铁磁质的磁化机制*,铁磁质的磁性主要来源于电子的自旋磁矩即使在没有外磁场时，铁磁质中电子的自旋磁矩也会在小范围内自发地排列起来，形成一个个小的自发磁化区，称为磁畴(magneticdomain),磁畴的大小约为(1012108)m3在未磁化的铁磁质中，由于热运动，各磁畴的磁化方向不同，因而在宏观上对外界并不显示出磁性当铁磁质受到外磁场作用时，它将通过以下两种方式实现磁化：在外磁场较弱时，,这种自发磁化的发生，来源于电子之间存在着的一种交换作用(exchangeinteraction)，它使得电子在它们的自旋平行排列时能量较低交换作用是一种量子效应，在经典理论中并没有相应的概念.,使电子的磁矩平行排列起来而达到自发磁化的饱和状态单晶和多晶磁畴结构的示意图（下页）。,30,31,自发磁化方向与外磁场方向相同或相近的那些磁畴的体积将逐渐增大(畴壁位移)；在外磁场较强时，每个磁畴的自发磁化方向将作为一个整体，在不同程度上转向外磁场方向；当所有磁畴都沿外磁场方向排列时，铁磁质,的磁化就达到了饱和由此可见，饱和磁化强度Ms就等于每个磁畴中原来的磁化强度，该值是非常大的，所以铁磁质的磁性比顺磁质强得多（见下页图）,31,32,磁化过程如图：a：未磁化时状态；b：畴壁的可逆位移阶段OA段；c：不可逆的磁化AB段；d：磁畴磁矩的转动BC段；e：趋于饱和的阶段CS段。在外磁场撤消后，铁磁质内掺杂和内应力或因为介质存在缺陷阻碍磁畴恢复到原来的状态。,等于每个磁畴中原有的磁化强度,32,33,左：片形畴（L=8微米）；中：蜂窝畴（L=75微米）；右：楔形畴；其中左、中为Ba(钡)铁氧体单晶基面上的磁畴结构，L为晶体厚度。,磁畴,影响铁磁质磁性的因素当铁磁质的温度超过某一临界温度时，分子热运动加剧到了使磁畴瓦解的程度，从而使材料的铁磁性消失而变为顺磁性，这个临界温度称为居里点(Curiepoint),如纯铁的居里点为1043K，镝的居里点为89K；强烈震动也会瓦解磁畴。,33,34,6.磁性材料的分类及其应用*,软磁材料：矫顽力HC小，磁滞回线瘦，磁滞损耗小。有的剩余磁感应强度BR小，通电后立即磁化获得强磁场，断电立即退磁，如右上图，适合用于强电；有的起始磁导率大(左上图)，适合用于弱电；见下页表。,如果在磁化达到饱和后撤除外磁场，铁磁质将重新分裂为许多磁畴，但由于掺杂和内应力等的作用，磁畴并不能恢复到原先的退磁状态，因而表现出磁滞现象,34,35,35,36,硬磁材料:HC大，BR大。HC：约为104106A/m；磁滞回线胖，磁滞损耗大；撤外场后，仍能保持强磁性。,电表、扬声器和录音机等都离不开永磁体特别是，稀土永磁材料钕铁硼等的发展，将使电机的效率和性能大大提高，发展前景引人瞩目,此外，还有磁滞回线接近于矩形的矩磁材料（下页图），它总处在两种状态之一，可用作“记忆”元件,由于硬磁材料的剩余磁化强度和剩余磁感应强度都很大，因此人们称它为永磁体(permanentmagnet),36,37,随着信息时代的到来，多种磁性材料在信息高新技术中获得广泛而重要的应用。,磁记录：主要有存储装置和写入、读出设备。存储装置是用永磁材料制成的设备，包括磁头和磁记录介质。,磁头：写入过程中，磁头将电信号转变为磁场；读出过程中,磁头将磁记录介质的磁场转变为电信号。,磁记录介质:内存,外存,磁盘和磁带等。,37,38,磁性功能材料：,压磁材料也叫磁致伸缩材料铁磁质磁畴中磁化方向改变会导致介质中晶格间距的改变，从而伴随着发生磁化过程铁磁体的长度和体积的改变，称为磁致伸缩(magnetostriction),磁电阻材料磁场可以使许多金属的电阻发生改变，这种现象称为磁电阻效应，相应的材料为磁电阻材料(MR)；磁电阻材料(MR)：巨磁电阻效应（简称GMR）:超巨磁电阻材料：在小型化的微型化高密度磁记录读出磁头、随机存储器和微型传感器中获得重要应用。,液体磁性既具有固体的强磁性，又具有液体的流动性。,38,7.磁荷方法*,这部分只要求定性了解。分子电流理论较符合磁介质微观本质的现代认识。研究磁介质的另一种方法磁荷方法也常被采用。,磁荷观点在形式上与电介质的理论相似。但在磁荷理论中，不存在自由磁荷。磁介质的最小单元是（分子）磁偶极子，其磁偶极矩为：.它与电偶极矩的定义类似。,以下是磁介质与电介质的对应关系（令自由电荷处处为0）：,在磁介质未磁化时，分子磁偶极矩pm的取向是随机的，它们的作用互相抵消，宏观上，磁介质不显示磁性。,把磁介质放入磁场中，各pm就在一定程度上沿磁场方向偏转，产生（束缚）磁荷。与电介质相似，引入磁极化强度（不同于磁化强度）矢量：,39,静电场,磁荷观点,场强环路积分梯度极化强度,磁库仑定律,40,静电场,磁荷观点,偶极矩势偶极层势,偶极层场强外场中的力矩,41,退磁因子：可以类比求极化电荷产生附加电场来求退磁场H.H与J成正比Nd被称为退磁因子。,退磁场H：在磁介质内部：退磁场与外磁场方向相反，削弱外场；在磁介质外部：退磁场与外磁场方向相同，加强外场；,42,比例系数Nd由磁体几何因素L/d决定。一般0Nd1.,43,退磁因子,44,磁化规律磁极化强度矢量J与总磁场强度H的关系,影响,注意这里的H0、H均不包括传导电流的磁场；或者H0虽然包括传导电流的磁场，但任意的空间回路没有套住传导电流。对线性磁介质：磁极化强度矢量J与总磁场强度H为正比关系：,磁化率：由物质的属性决定,1,45,环路中有传导电流时：磁荷方法中的磁场与磁介质(下面的Hf是传导电流产生的；Hm是磁荷产生的磁场，H是前2者之和，即总磁场),定义：,在无磁荷的真空中：,由此看见，磁荷方法与分子电流方法中的对应关系：,46,由上述H和J的闭合曲面积分公式得：,最后2个等式只对线性、各向同性磁介质才成立。,47,闭合电流回路与磁偶极层的磁场的等效性,这里tm是单位面积上的磁偶极矩。,电流环与磁偶极子对应的“力线”见上图。,48,电流环与磁偶极子受力的等效性。,49,B与H曲线比较：,B的方向与外磁场一致（顺磁质），随l/d的减小而减小；,H的方向与外磁场相反，随l/d的减小而增加。,50,导出磁偶极子在非均匀磁场中受力的公式,Pm与H同方向时：F指向H变大的方向，右上图；,Pm与H反方向时：F指向H变小的方向*。,51,求抗磁小球的受力,一抗磁小球质量为m0，密度为r，磁化率为cm，放在一个半径为R的圆线圈的轴线上距圆心l处，线圈中载有电流I，求电流作用在这抗磁小球上的力。,52,求pm：,抗磁质的磁偶极矩方向与磁场方向相反，它受的力方向指向H减少的方向，即指向右*。,53,3.电磁场在分界面上的边界条件,1.两种介质分界面上的边界条件,2.电流线、电场线和磁感应线在边界上的“折射”,3.磁屏蔽,54,55,1.两种介质分界面上的边界条件,界面上介质的性质有一突变，这将导致静电、静磁场也会有突变。电磁场的高斯定理、环路定理等的积分形式在边界上依然成立，可以把不同介质的场量用积分方程联系起来。,设界面上有