ICT测试局限性.doc

ICT测试局限性在实际的电路板上,大量各式主,被动组件通过串,并联方式连接起来. 下述情形,ICT无法测试或无法准确测试.1) 探针不可即的零件一般来说,每个零件的两端(或各引脚)所在的铜箔面均有探针触及才可测试.目前, 本厂SMT零件,IC脚(包括悬空引脚)少数因没有相应的Test Point而未取探针,致使这颗零件以及与之相关的开短路不可测. 今后可考虑在同一金道上加装双针(确保探点接触良好)来解决.Sub-Board上的零件,多数零件没有取到针号,故不可测. 最好是生产时Sub-Board亦用ICT测试.2) 小电容并联大电容(C1/C2),小电容不可测两电容并联后,容值为C1+C2, 一般而言,如果C2的容值是C1的10倍以上,则C1不可测.假设: C1=100nF ;C2=1uF.通常,实际之电容均以标准电容量的20%的误差表示之. 故在编制程序时,通常设Tolerance为20. 设标准值为100nF+1uF=1100 nF.则:下限为1100 nF*(1-20%)=880 nF;上限为1100 nF*(1+20%)=1320 nF.当C1缺件时, C1+C2=1000 nF, 仍在880 nF1320 nF的范围内,故C1不可测.实际电子线路中,常见大,小电容并联,或者是小电容经电感或小电阻与大电容并联. 所以小电容不可测的情形最常遇到.3) 大电阻并联小电阻R1/R2,大电阻不可测一般而言, 如果R1的阻值是R2的20倍以上,则R1不可测.两电阻并联后,其阻值为R1*R2/(R1+R2),比小电阻略小. 这时大电阻缺件不可测. 当然,如果R2错成R1,只要下限小于50,仍然可测.计算方法同样可参照以下计算方法，假设R1是10欧姆，R2是200欧姆，上下限为10%，则设定标准值为R1*R2/(R1+R2)=9.5 下限为9.5*(1-10%)=8.55 上限为9.5*(1+10)=10.45当R2缺件时，R1/R2=10,仍然在8.5510.45的范围内，故R2缺件不可测。如果R2错件成R1，则R1/R2=5,不在8.5510.455的范围内，所以错件可以测出。同理, 与跳线并联的电阻(J/R),不可测.4) 小电阻过小, 无法准确测试.虑及探针接触电阻,排线公母连接器之间电阻(反复插拔会增大)等影响,(约几百毫欧至几欧),故上限要放宽.例如: 四颗0.47ohm的电阻并联,假设其中一颗缺件,系统不可测. 另外通过PIN Search 可以探测到探针到开关板之间的阻抗值，应保证在1欧姆以内，测试小电阻就比较准确了，也可以尝试四线制测试小电阻。具体0.1ohm 的电阻误差=+/-20%5) 同一金道上的跳线以及相并联的的跳线不可测, 不同粗细或不同材质的跳线不可测.6) 大电阻/大电容, 大电阻无法准确测试.这是所说的大, 实际调试时才能判定是否可测.从测试原理部分分析：例如：R1为100k欧姆的电阻同1mf的电容C1并联，电容的容抗为：Zc=1/(2*3.14*50*1*0.001)=3.18电阻的阻抗为： Zr=100000欧姆R1/C1=Zr*Zc/Zr+Zc=100000*3.18/（100000+3.18）=3.17所以可以看出，大电阻无法准确测试，具体电路还要具体分析，套用上述公式计算是否可以准确测试。7) 小电容/小电阻,小电容无法准确测试.釆用AC法,小电容呈现高阻抗, 与大电阻并联小电阻同理, 小电容无法测.釆用交流相位分离法,当电容,电阻均较小时,其相拉差渐趋于0.故小电容也无法准确测量.8) 与小电感并联的较大电阻,常不可测.釆用定电流法,电感通直流,使电阻两端短接而不可测.釆用交流相位分离法, 小电感并联大电阻,其相拉差渐趋于/2. 故常不可测.而与大电感并联的小电阻,则可试蓍以相位分离法测量出来.9) 电容并联电感, 两者往往都不可测.这时所说的电感,包括变压器,继电器等.小电容并联小电感, 同理于小电容/小电阻,小电容无法准确测试.当电容较大时,其本身一般可以测. 电容较小时,电感感值可以测. 当然,如把电感当成一小电阻(一般须加延时测试), 始终可以测出内部断开或缺件的情形.10) 二极管/小电阻, 二极管插反或漏件均不可测对于硅材质的二极管,其正向偏置电压约为0.7V.当R约为3545ohm以下时,二极管插反或漏件均不可测.因ICT系非破坏性测试,所提供电流较小,一般最大约为20mA（MODE 1）. 当R约为35ohm以下时,其正反向所量到的电压小于V=I*R=0.7V. 则二极管插反甚至漏件,所量到的结果不变. 11) 与跳线或电感并联的二极管(L/D,J/D)不可测通常二极管的正向压降为0.7V,反向压降0.7V.与第10条同理, 如果D/J或D/L.则,正反向压降约为0. 这时,二极管插反,漏件, ICT测到的结果仍为0,和正确时相同,故不可测.12) 两个二极管同向并联, 其中一个漏件或空焊不可测l 但插反应在可测之列l 而两个二极管异向并联,其漏件或插反均应在可测之列.(以上两点须釆用正反向双步测试, 方可有效检出.)另外：TR518EP以上测试设备（TR5001,TR8001）通过测试漏电流的原理，可以测试出漏件，空焊。此处所说的二极管泛指PN结.包括Diode,Transistor,FET, Photo Coupler,SCR,IC等内的PN结.13) ZENER的齐纳电压因ICT系统TR518F,TR518FE,TR518FV最大仅提供10V的电压, 故如果齐纳电压大于10V, 则无法测试.当然,如果错成齐纳电压小于10V的ZENER,仍在可测之列.TR518FR可提供48V,此部分可以测试。14) 电容极性ICT利用电解电容正反向漏电流之差异,判定其是否插反. 但在整个网络中,常遇到电感(包括变压器),IC,小电阻等的分流作用,正反向漏电流并无明显差异,则极性无法测试. 故电容极性测试比较有限.针对电解电容一般使用三端测试，效果很好，并联电解电容掉件，反向可测率接近100%。15) 电容容值过小时,常不可测ICT可以侦测1pF的电容, 其方法是扣除杂散电容而得一较稳定的值. 但是,如果测量值受旁路影响而使其极不稳定,变化幅度超过被测电容容值,则电容缺件不可测. 当然,如果其错件为一较大电容,仍然可测.晶振,突波吸收器作小电容测试,有时漏件不可测.调试时要细心试验.16) 小电感错件为跳线或被短路例如: Bead错件为跳线或短路. 当然,其缺件或断开仍然可测. 而变压器宜将每绕组作电感来测试，以利于测出短路情形。17) IC内性能不良ICT通过测其保护二极管,可判定IC空焊,开短路,插反,错件以及保护二极管不良.但对于IC内部性能不良须仰赖其它测试. 另外,共地的若干个IC脚空焊常不可测.18) CONNECTOR,打开的SWITCH缺件或插反不可测因其处于OPEN(每Pin之间)状态. 但若是以HPTestJet 技术在其上加装Sensor Plate来进行测试,仍可测出空焊, 缺件等.19) 可调电阻(VR),热敏电阻无法准确测试20) FET常遇空焊不能测例如,N型沟道增强型绝缘栅场效应管(MOSFET),通常在D-S间存在一PN结,可作Diode来测试,而G极处于绝缘状态. 对于ID的测试,常因受旁路分流而使其在G极空焊时仍量到一没有多大变化的值.故对于FET,