最新的IGBT芯片技术创新ppt课件

新的IGBT技术为逆变器应用提供更高的过载能力,1,逆变器应用中的过载,速度电流结点温度,时间,Tj=125,2,什么都没有发生，但是.,3,最新的IGBT芯片技术创新,4,(第1代)“128”正温度系数最大Tj=150“软穿通”电焊机,(第3代)“126”正温度系数“场截止”最大Tj=150逆变器应用,5,新旧IGBT芯片技术的比较,啤酒厂的拉货马,比赛用马,速度慢;强壮的;不需要驾驶执照自己可以找到路,迅捷敏感;只能用于观赏娱乐:在照顾和控制的时候不能原谅犯错,NPT3,1V;25mJ/100A600V,125C100%功率,Trench42,1V;21mJ/100A600V,125C135%功率,6,(第4代)“T4”Tj=最大175优化的垂直结构减少切换损耗(30%),非常快正温度系数“场截止”,相比于Trench3(126,KT3,KE3)，T4具有更低的功耗,7,与现在的IGBT技术的比较,IGBT技术的创新电流密度从85A/cm增加至130A/cm低的导通损耗(VCE(sat)开关损耗的减少(Eon+Eoff)门极电荷减少(QG),8,和126相比较-E4模块具有更高的电流,饱和损耗,切换损耗,9,IGBT4更高的强度,IGBT技术的创新电流密度从85A/cm增加至130A/cm低的导通损耗(VCE(sat)低的切换损耗(Eon+Eoff)门极电量的减少(QG)ICRM增加至3xICnom,10,T4有更低的开关损耗,T3,T4,11,T4开关损耗的减少,T4有更低的开关损耗,T4需要一个出色的封装,12,交变电路的寄身环节,13,竞争对手:+/-没有并联=高杂散电感,14,内部直流母线连接,没有并联,15,低电感设计规则,机械设计对杂散电感有极大的影响接头一定要并联=反并联电流=没有磁场,Lstray=100%,Lstray20%,16,赛米控:+/-并联=低杂散电感,17,赛米控低杂散电感并联,18,赛米控:低杂散电感模块设计,模块自身非常重要的低电感设计可以承受更高的di/dt低的端子损耗,LCE,stray20nH,19,赛米控:RBSOA,端子的最大电压:,完美适合T4芯片,20,SKM400GB128D,没有安全运行区域,21,SKM600GB126D-SKM400GB12T4D,在该规格以内=150度,超出规格,22,IGBT增加Tjmax1200V,IGBT技术的创新运行温度增加至Tj,max=175C,Tjmax=150C,23,我们必须考虑什么？,SKM400GB128DESKM600GB126DSKM400GB12T4,具有更高的电流密度的T4IGBT模块,24,损耗,Iout=250A,50Hz,400V,fsw=2Khz,最大结点温度是150旧的芯片技术最大结点温度是175新的芯片技术,IGBT技术,损耗的种类,损耗,125,25,损耗,Iout=250A,50Hz,400V,fsw=4Khz,最大结点温度是150旧的芯片技术最大结点温度是175新的芯片技术,芯片技术,损耗,损耗的种类,26,损耗,Iout=250A,5Hz,50V,fsw=4Khz,最大结点温度是150旧的芯片技术最大结点温度是175新的芯片技术,芯片技术,损耗,损耗种类,27,不同供应商的比较,Iout=250A,5Hz,50V,fsw=4Khz,最大结点温度是150旧的芯片技术最大结点温度是175新的芯片技术,供应商,损耗,类型,28,SKM300GBxxxx,SKM300GB逆变电流,29,SKM400GBxxxxx,SKM400GB逆变电流,30,T4,提供更高的可靠性,31,T4和E4SEMITRANS-34mm/62mm封装,和SPTIGBT模块相比较有更高的定义芯片等级,32,T4芯片技术的SEMiX以及SKYPER,新模块技术的表现,T4IGBT,33,E4芯片的SEMiX,34,标准结构,内部有3xDCB,35,标准结构合适吗？,36,IGBT并联规则,T4关断导通非常快,37,标准结构,每一个IGBT可以获得自身的门极电阻非常均匀的电流分布更高的可靠性,SEMiX技术,38,客户的SEMiX适配板,以优化电流平衡的客户的适配板,39,结论,IGBT4的改善电流密度从85A/cm增加到130A/cm(更小的逆变器)切换损耗的减少(Eon+Eoff)门极电荷的减少(QG)ICRM增加至3xICnom运行温度增加至Tj,max=175切换特性外部门极电阻不能减少di/dt或过电压，推荐使用非常小的门极电阻对于软关断e.g.在短路的情况下增加RGoff,40,我们的建议,T4有不同的命名T4电流命名是芯片的电流,SKM400GB128D-SKM4