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(材料物理与化学专业论文)外延薄膜晶体失配位错形成的动力学条件.pdf.pdf 免费下载
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文档简介
摘要 而负失配条件下的挤出成核仅需薄膜表层的几个原子位置改变即可,它们的挤 出所需克服的能垒更低。 关键词:薄膜;分子动力学;失配位错:温度;增原子 ab s i 人r c t amo l e c u l a r d y nan】 i c ss t u d y o f f o r m a ti o n o f mi s fi t d i s l o c a ti o n i n e p i t a x i a l t h i n c rys tal abs tract c ry 汹 de fe c ls inth i n fi lins most lyfo rm in阮 ato而c d epositionp r oc es s, c u rr e n t ex pe ri m e n l a l means donot h a v e eno u g h 二 so luti onp o w e r inboths p a c e ad d ti me toana lyze any p r o ces se s atatom i stic sc ale, w hi lec o m p u t e r s 如ul ationb ased on mole culard yn田 m l c s o ffersane ffec t iv e w a yfor gr o 初hofu 五 nfillns anditsd efect fo n n a t i on- usi ngti ir e e d ime n s l o 耐 m ol e c u l ard y n ami c s m e th o d , 胡 d t aki ngo 时, h (x 片 1 ; 否则, h (x 目。 凡、 凡、 ak 、 rk 为常数, 并且 有ri 凡, rl rz r6 , 它们的 值随金属性质的不同 而有所不同。 基于e a m势的 势函 数还有 很多 种 13 9 .40。 本 文 所选 择的 具 体模 拟对象 铝, 采 用了ercol es si与adams l41 建立的e a m势, 它拟合了 铝的结构、 弹性模量、结 第一章 绪论 合能、空位能、层错能等多项物理性质,已被成功应用于许多结构研究,被证 实是十分可靠的,在本文2 . 1 节中再具体列举。 1 . 4 . 2 . 3温度和压强控制方法 和在真实的材料物理实验中一样,在分子动力学模拟中我们也经常需要控 制体系的温度和压强, 包括它们的调节和恒定。 系统的 温度t 通过原子的动能k 来体现: 二 = 全 。 ,1: 12 / 2 = 。 , 一 、 卜 , r / 2 ( 1 . 1 9 ) n是 原 子数, 凡是 约束 数,凡是bol t刀 m a n n 常 数,气 是 原 子1 的 速 率。 所 有控制温度的方法实质上都是对原子的运动速度进行调节。目 前常用的温度控 制 方 法 有 四 种 : 直 接 速 度 标 定 方 法 142 】 , bren 山 记 n 方 法 143 】 , n o se 一 h oo ver朋 方 法, l ange v in 方 法 1肠 闷 7 1 。 前 两 种 方 法 因 过 于 简 单 而 易 带 来 体 系 状 态 失 真, 已 很 少使用, 现在普遍采用的是 后两种温度 控制 方法。 本文 采用l . 、 ge v in方 法对体 系进行恒温控制,其原理和算法如下。 在经典动力学中, 作用在质量为m : 、 位置为元 的 原 子上的 力,由 势能的 梯 度一 v 刀给出 , 而 在l an g e v in方 法中 , “ 摩 擦力” 项和g 即s s i an项( 随机项) , d z 尸 砚了 = 经典运动方程中力的计算部分还要加上 方程变成: 一 v u一 脚, 只十 g ( 1 . 2 0 ) 其中摩擦项和g a u s s i an项并不相互独立, 它们由 耗散一 涨落理论( diss ip a t i on 一 fl uc t u al l o n t h e o 咖 ) 相联系, 共同 调节体系的 温度, 阻尼系数r 的值正比 于材 料 的d e b ye频 率 , 可 取 为 威 b 。 。 / 6h, 其 中 。 。 为d eb ye温 度. l an g e v in 恒温 算 法在 处 理具 有强 局 域 微 扰扩展 体 系 时, 如 处理 快 速原 子穿 过固 体、 液 体中 的 反 应 和蛋白 质的 动 力 学时 , 有明 显的 优 势 【 闷 刀 , 而 薄 膜沉 积 生长过程中沉积原子与表面的碰撞就是一个典型强局域微扰例子, 所以 我们选 择了该恒温算法进行温度控制。 类似于温度控制的方法,也有许多 方法用于体系压强控制, 常用的 方法有: b erend s en方 法 143 1 , ande r son 方 法 48 1 , p amnello一 r 油 . 明方 法 滩翔 。 前 两 种 方 法 都可有效地调节和恒定体系压强,而 p a 币nel l 。 一 r ab n l ad 方法用途更广,实际上 第一章 绪论 是一种控制体系应力状态的方法, 压强控制只是其中的一个特例。在涉及恒压 条 件的 计 算 模 拟中 本 文 采 取了p arrine l lo . r ab m an方 法, 其 原 理 和 算 法 如 下 149 52 : 令 m d 元 胞 的 三 边 可 以 分 别 由 矢 量 舀 , 石 , : 来 表 示 , 那 么 卜 万 ,月 就 构 成 了 3 x 3 的矩阵h 。该元胞的体积可由下式给出: v = h l = 压 ( 万 x 万 )( 1 . 2 1 ) 第1 个 原 子 的 位 置 弓 则 可以 由 矩 阵h 和 行 向 量瓦 来 表 示 : 元 = 城 = 点 云 + 枯 b + 么 云 ( 1 . 2 2 ) 其 中 , 或 , , , 和或 是 行向 量瓦 的 三 个 分 量 . 显 然 , 0 点 , , , , 么 1 , 1 = 1 , , n。 由 此, 原子1 与 原子j 之间的 距离 的 平方可以由 下 式 给出 : 亏 = 貌 一 瓦 了 峨一 动 这里张量g= h ,h , 而计算元胞的大小与形状可由 矩阵叮 = 来描述。 莎 x 民云 x j , 厅 x b ( 1 . 2 3 ) = 冷 一 , 定义参考状态矩阵 标了 通过弓 = 气 了 来 表达。 场,在这个参考坐标系中, 当元胞从场变化到h时, 尸 = 厉= 战一 元 空间中的一点可以由矢量坐 凡 会 变 化到尸 , 则 有 关 系 式 : ( 1 . 2 4 ) 那么位移为: 尸 一 几 = (h ho 一 , 一 1) 弓 ( 1 . 2 5 ) 由此应变矢量也可以表示成: : = 工 流 一 1哪 一 1 ) 2、 ( 1 . 2 6 ) 如 果 设 外 压 为 几, 水 静 压 力 为 户 , 那 么 弹 性 能 可 表 示 为: 凡一 烈 犷 一 动 十 叽 tr (,a一 户 片 在小应变的条件下,有: ( 1 . 2 7 ) tr 矛 二 v / vo = 仓 一 气 )/ 叽 ( 1 . 2 8 ) 由此,弹性能则可以表示为: 凡。 气 tr 流习 ( 1 . 2 9 ) 第一章 绪论 这样,体系的l agrangi an方程式可以表示为: 、 一 一 告 tr 公 流 一 , 火 “ vg ) ( 1 . 3 0 ) 其中l为元胞是处于水静压力的条件下时体系的方程式,即: : 一 喜 女 , ,5: 华 零 一 堂 女 , (r, ) 十 卜 外 尊 粤 ) 一 , 。 百at at言 言“、 at atj ( 1 .3 1 ) 贾 相当于质量参数, d z 元 dt2 根据( 1 . 3 0)式,我们就可以得到体系的运动方程: = 一 艺 m 尸 分 / 乓 取一 毛 ) 一 g 刁 1 = 1 , 二, n( 1 3 2 ) 二 佘 = (n 一 亦 一 心 帆 一 瓶 一司 ( 1 . 3 3 ) 至此,就可以对每个原子进行相应的积分运算了. 1 .4. 3应用 分子动力学方法现在己真正作为材料科学领域的一个重要研究方法和研究 复杂凝聚 态系统的 有力 工具了 153 1 。 这一方法既能 得到体系中 每 个原子的 运动轨 迹及其在每个时刻的能量,又能像做物理实验一样对体系和过程作原子尺度的 观察。对于平衡系统,可以在一个分子动力学观察时间内作时间平均来计算一 个物理量的统计平均值,对于一个非平衡系统过程也可以用分子动力学计算进 行直接模拟。特别是许多与原子有关的微观细节,在实际实验中无法获得,而 在分子动力学模拟中可以方便地得到。分子动力学方法的这许多优点使它广泛 应用于晶体生长、无定型结构、离子移植、缺陷运动、表面与界面等问题的模 拟研究。 同时对于薄膜沉积生长过程中,因沉积原子与表面的相互作用发生在皮秒 级时间范围内而适合于采用分子动力学方法对它进行模拟研究。近十几年来国 际上出现了一些薄膜沉积生长过程的分子动力学模拟研究报道,主要包括 s ro lovitz研 究 组 154 乃 刀 , , 伯 d ley研 究 组 队 59. 60.61 月 科 1 和h u a n g 研 究 组 165 俐的 工 作 。 这些工作建立了薄膜沉积生长的分子动力学基本模型和基本模拟方法,以此研 究了各种薄膜缺陷结构问题,但对模型和方法本身则还缺乏研究考察,在所用 第 一章 绪论 模型和边界处理方法上相互也存在一些差异,这有待研究考察它在模拟中再现 的基本物理过程、性质及参数影响的基础上再对它进行确认和完善了。 1 .5国内外对失配位错形成的原子模拟研究 失配位错的形成不可避免地要经过成核和扩展的过程,这期间需要克服某 种能垒,同时它所能释放的应变能也是在此过程中逐渐增大的。然而我们对原 子尺度上发生在薄膜中的失配位错形成的过程和机理还缺乏足够认识,不能真 正基于过程机制来确定过程需要的条件:以及上述这些分析都基于连续介质模 型,不能包含原子尺度上的结构变化,更无法考虑薄膜的原子沉积生长等实际 过程及其与失配位错形成的动态藕合。 要在外延膜沉积生长等过程中对失配位错形成的原子过程进行动态观察, 目 前为止的分析检测手段在空间和时间分辨能力上都难以达到理想水平。近十 年来计算机和计算模拟技术的高速发展,为科学研究开辟了新的道路。分子动 力学方法基于经典力学和拟合了材料物理性质的原子间作用势,是较为可靠的 原子尺度模拟方法,它可以提供体系中每个原子的运动轨迹,从而提供原子尺 度上体系结构与演变过程的全部信息,对于研究揭示这类过程是十分有力的工 具。虽然近年来分子动力学模拟在材料内部、薄膜和表面结构研究中大行其道, 表明其可信性和价值的例子有很多,但对外延薄膜中失配位错问 题的分子动力 学模拟研究目 前 在国内 外还没有多 少公开报道( 中国 学术期刊数据库检索结果 )o 这些 工作大部 分 有明 显的 局限 性: 或者是二 维模 拟5 . 7. ,ol , 过于简 化; 或者 是预 设失配位错的静态模拟171 72, 不涉及薄膜动态 沉积生长和失配位错的 成核过程. 真正进行三维动态过程模拟的只有两个研究组,到目 前为止发表了四篇论文: 20 02年li u 等 167 .6s对 外 加应 变的 体 心 立 方 金 属 钨 薄 膜 生 长 中 失 配 位 错 的 形 成 进 行了三维分子动力学模拟研究,他们分析出了 体心立方金属薄膜中失配位错的 类 型, 并 像 二 维 模 拟 一 样观 察 到失 配 位 错 从 表 面 开 始 成 核; 2 0 04年z ho u 等 队t3 用分子动力学模拟研究了a ul 入 1 等面心立方金属外延生长体系,对位错结构和 组态得到了与 实验观察吻合很好的结果: 然而与l in的结果不同, 这里位错都是 在外延 膜与 衬底间 界 面上成核。 本 课 题 组在前 期的 工作中 1 1 6.1 7,9 3 取得了 一定的 认 识进展, 得到了像保持薄膜表面的原子级平整将可 抑制失配位错的形成以 及失 配性质对薄膜中失配位错形核的影响等结果。这些认识必将推动这一领域工作 第一章 绪论 的深入发展。 总的来说,已有工作充分证实了分子动力学模拟方法对深入研究失配位错 问题的独到长处和可行性,然而这些研究还处在初步阶段,不仅涉及的体系结 构和生长条件十分有限,未能对失配位错的形成规律包括各种材料和生长条件 的影响等得出可靠结论,对所研究体系和过程中失配位错的成核及其控制条件 也未给予足够的关注,没有能够得出可信的成核机制。在实现这些目标之前, 还需要有大量的研究工作可做。值得一提的是这些初步结果揭示出一些很有实 际意义的问题:就许多晶体薄膜而言,重要的是薄膜内部的完整性,如果薄膜 中的位错都在成核初期集中 在与衬底相接触的界面上,使失配应变在开始就得 以充分释放,然后在其上得以生长无应变的完整晶体,那么失配位错问题就得 到了很好的解决:或者只要维持在纳米厚度以内抑制位错的表面成核生长,也 能很好解决失配位错问题,因大多数晶体薄膜厚度就在纳米尺度,那么如何控 制失配位错的成核,使之或者一开始就成核,或者被抑制住不成核呢?显然对 失配位错问题的原子模拟有其广阔的发展空间。 1 .6本文研究内 容与目的 本文采用分子动力学计算模拟技术, 对薄膜晶体缺陷的特征、形成与控制 进行了模拟, 对外延生长面心立方晶体铝薄膜中失配位错的成核与控制问 题进行研究,主要内容有: 1 .温度对外延生长薄膜中失配位错形成的影响: 表面增原子对外延薄膜失配位错形成的诱发作用: 外延薄膜晶体中失配位错与失配性质的关系。 : 2内 第二章 温度对外延薄膜夫配位错形成的影响 第二章 温度对外延薄膜失配位错形成的影响 外延生长薄膜中失配位错的形核往往发生在原子尺度和纳秒时间内,在实 验上很难分析失配位错形成的微观动态过程与其中的条件。在本文中, 我们保 持外延薄膜表面原子级平整,而逐步提高外延膜温度,考察温度对不同失配度 的外延薄膜中失配位错形成的影响,为进一步认识失配位错形成的动力学条件 提供参考依据。 21模型和参数设置 模拟时我们以 预置了一定应变的同质材料作为衬底,这样的体系中外延晶 体和衬底之间只有几何结构上的失配而无化学交互作用,有利于排除后者的可 能影响而在单纯的几何失配作用下研究失配位错的结构与形成。到目前为止的 失配位错理论分析也都完全是基于外延晶体与衬底之间的几何交互作用而完全 不考 虑 其中 任何可能 的 化学 物 理 交互作用的 167 .6sl。 这些理论在多 方面的 成功 事实 上也表明几何失配作用对失配位错结构与形成的决定性作用。 本文中我们只在x 方向施加了应变,相当于一维失配的情况。 模型中的另一个简化是将预置了应变的衬底中的原子在模拟中保持位置固 定。在实际外延体系中, 相对于外延薄膜,衬底厚度往往可以 被看作为无穷大, 这样应变都集中在薄膜中而衬底可以 被近似看作是刚性的,这种处理在现有的 涉及薄膜应力应变问题的理论分析中己被普遍接受。因此这一简化也是有物理 基础和理论背景的。 图2 . 1 为模拟的 外延薄膜体系和采用的坐标体系示意图。在图中分别 设置了固定层、恒温层和自由 层, 它们表示的含义如下: 固定层 该层中每个原子位置固定在其完整晶体点阵位置,目的是在为生长提供一 个稳定的基础,否则体系将在高温等外界条件下发生漂移。固定层的设置同时 也确定了 体系2方向 底部的 边界 条件。 对固定层中的原子本身无需 进行受力和 运动的计算,但它们对相邻层原子提供相互作用,因此固定层的厚度应大于所 第二章 表面增原子对外延薄膜失配位错形成的诱发作用 第三章 表面增原子对外延薄膜失配位错形成的诱发作用 在外延薄膜中,由于失配位错的数量和残余应力的大小对薄膜物理性能有 明显的影响,从而吸引了人们广泛的关注。从上世纪中叶开始人们对失配位错 进行了理论分析 19,10,s l g2, 得到像热力 学临界厚度14. 9-1 1. 52 等一些很有价值的 结 果。按照热力学临界厚度理论,当外延薄膜晶体厚度大于热力学临界厚度时, 形成失配位错所释放的应变能要比引入的位错能更多,能量上有利于失配位错 的形成:然而,失配位错的形成要克服一定的能垒,已有模拟研究曾发现表面 原子级光滑的薄膜在厚度远高于热力学临界厚度仍不形成失配位错1 1 6.8 习 。两 个 基本的动力学扰动薄膜表面增原子的出现和薄膜内部原子的热振动能 否诱使失配位错的形成,以 及要多 少的增原子或多高的生长温度才能提供足够 的能量去跨越失配位错的形成能垒呢? 这对控制失配位错的形成和提高外延薄 膜晶体质量具有重要的理论参考价值。 本文考察了在不同生长温度和小的不同的薄膜表面增原子数下对外延膜失 配位错形成的影响,为进一步认识失配位错形成的动力学条件提供依据。 3 . 1模型和参数设置 运用四 阶p re di c 卜 一 c o rrect算法 12 8 求 解体系 运动方 程, 时间 步长 取1 0 一 1 5 50 采 用ercol es si 和a d aj 的 s ll 】建 立 的 嵌 入原 子 法 (e a m ) 多 体 势 来 计 算 铝原 子 间 的 相 互作用。在预置了一定应变的铝衬底上设置同质外延层, 这时拉应变对应着正 失 配条 件下的异质外延生长, 压应变则与负失配的 体系对应。在薄 膜表面预置 几个增原 子, 外延 膜生长面为 1 1 1 , 模拟胞设置如图3 1 所示: 在x和y轴方 向 上运用周期边界 条件以模拟无限大的生长面: 最底部4 层原子在x轴方向即 【 1 10 方向 预置 应 变5 : 并固 定 位置 作为 衬 底。 这一 模 拟胞 理 论上相当 于无穷 厚 ( 刚性 ) 的 衬底上面 积无穷大的外延生长 薄 膜中 的一部分, 薄 膜本身 在横向 没有 伸 缩 余 地, 与 衬 底 之间 在x 方向 有一 定 的 晶 格失 配, 失 配 度人= e : 。 模 拟 胞的 尺 寸为 :n : dll 。 x 24 dl lz x l3 dl , , , 其中 编 为 ( 阴) 面 间 距。 在 模 拟 实 验中 有 不同 取 值 的 n : 则 根 据 失 配 度 由 n : = 1/1 人 1 来 确 定 , 其目 的 是 使 模 拟 胞 内 外 延 膜 在 形 成 总结 总结 本文以 l1 卜外延生长面心立方金属铝为对象, 采用三维分子动力学方法对 外延生长薄膜中失配位错形成的原子机理与控制方法进行了原子模拟研究,原 子间相互作用力采用e a 扮 1 多 体势函数来计算。 本文就以下内容进行了 研究: 外 延生长薄膜的分子动力学模型、模拟方法及其原子弛豫过程; 温度对外延生长 薄膜中失配位错形成的 影响;表面增原子对外延薄 膜失配位错形成的 诱发作用; 外延薄膜晶体中失配位错与失配性质的关系, 得到了以下研究结论: 对光滑表面的静态原子弛豫过程, 1) 失配位错的形成在同一失配度大小 和相同的温度时,正失配下的薄膜比负失配下的更难以形成失配位错; (2) 在同一失配度下,失配位错形成所需时间与生长的温度有关,温度越 高,位错的形成越容易; ( 3 )当 生长 温度接近或高于 铝的 熔点时, 负失配下的薄膜比 正失配下的更 难熔化。 对表面有增原子的静态原子弛豫过程, ( 1) 较高的温度会促进失配位错 的形成;对表面原子级光滑的外延薄膜而言,同样条件下的薄膜中难以形成失 配位错:而同 样条 件下有增原子的表面却可以形成失配位错; ( 2 ) 表面增原子会诱发外延膜失配位错形成,较大的原子团其驱动作用 也较大。模拟中发现了两种失配位错形成机制;一种是经历多余半原子面挤出 过程而直接得到一个全位错,另一种是先形成由两个部分位错夹着一片层错的 扩展 位错, 之后 才得 到全位错; 但它们的 伯 格斯 矢量 都是 与失配 应变方向1 /2 1 10 1 平行的刃型位错。 ( 3)同样条件下的薄膜体系,薄膜中失配应变能 ( 超过了 对应失配度下 的临界厚度) 对薄膜失配位错的形成起决定作用。 同时,正失配条件下的滑移成核需要薄膜内 部和表层的一大片原子参与, 而负失配条件下的挤出成核仅需薄膜表层的几个原子位置改变即可,它们的挤 出所需克服的能垒更低。 致谢 致谢 本论文是在导师 周浪教授的悉心指导和亲切关怀下完成的,周老师渊博的 知识、 严谨的治学态度和勤奋求实的 作风深刻地影响着我, 是我学习 和工作的 楷模。三年来,在学习 和研究中,周老师给了 我谆谆的教诲和亲切的鼓励;在 生活中也给予了 无 微不至 地关怀和帮助,这些将是我永恒的 财富, 令我终生 难 忘。在此,谨表示崇高的 敬意和诚挚的感谢. 感谢周耐根老师 在我三年求学的过程中在实验和本论文的完成过程中给予 的耐心的指导和热情的帮助:感谢本课题组其 他老师和同学:魏秀琴博士、 谭 敦强 博士、黄惠珍博士、罗 岚博士、黄 俊硕士等,感谢他们在学习 和生活中 给予的帮助和支持. 感谢一同学习 工作的 廖福平硕士,感谢三年来在学习中的 鼓励以 及在论文 完成中 所做的有益的讨论。 感谢我的家人, 他们的关爱和支持是我永远的 精神动力,激励着我在工作 和学习 中不断战胜困 难,勇 往直前。 感谢所有关心和支持我的朋友! 潘华清 2 0 0 7 年5 月 参考文献 参考文献 t l黄 昆原著. 韩 汝琦 改 编.固 体物理学, 高 等教 育出 版社, 2 00 2 , 8 : 邪1 12 1 潘金生, 全健民,田民 波. 料科学基 础, 清华大学出 版社, 2 o 04, 7 : 2 64 3 杨 顺华,丁 棣 华. 晶 体 位错理 论基础, 科学出 版社,1 998 , 3 : 223 一 2 33 14 吴自 勤,王 兵薄 膜生长,科学出 版社, 2 0 03. 7 :1 18 5 tho m p s o ncv s 1 rij c t u r ee vol u t i o nd unn gp r oce s s i ng of p o ly c 口 s ta l l i 加 f i l m s . a nnual 砒v i e wo f ma t e ri a l s s c ie nc气2 0 0 0 , 3 0 : 1 5 9 一 1 90 6 n a k a m u ras , pea n o n s , f asol gthe b l uel as e r d i o de. b e r l i n : s p ri l1 g e r, 2 0()0 , 4 7 7 扮。 st a , d a d g ara . g an一 b as e d opto e l ec tron i c s ons i l i c o n s ubs t r a t e s . m ateri al s s c i enc e an d e n gi n e e ri n g b , 2 0 0 2 , 9 3 : 7 7 一 84 sl 冯 端等著金属物理学,第一卷结构与缺陷, 科学出版社,1 9 98, 5 : 4 63一 65 9 f r a n k f c , van der me rwe j h . o n e- d i m e nsi o nal d i s l o c at i o n . 1 . s t a 吸 i c t h e o ry . p r oce e d i n g s of th e r 0 y als o c i ety o f lond呱 1 9 4 9 , 1 9 8 ( 1 0 5 3 ) : 加5 一 2 1 6 1 0 m a tt h e wsj w.b 】 a k e s l eea e . d e fe ctsi n e p i t a x i alm u l t i l a y e rsl .m l s fi t d i s l o c at i o n s . j o u n l a l o f c 乃 5 切 i g ro wt气1 9 7 东2 7 : 1 1 名 一 1 2 5 1 1 p e o p l e r , b ean j cc a l c u l at i o n o f c ri t i c all a y e r t h i c kne ssvers usl atti c e mi s m atchfor g e x s i 卜 xj s i st ra ine d 一 l a y e r h e te ro s l ru c tu re s . a p p lie d p h y s i c s l e u e rs , 1 9 8 5 , 4 7 ( 3 ) : 3 2 2 召 2 4 1 2 d o d s on bw, tsa o j 丫阶1 田 。 t i ou ofs t r a ined- l 即e r s e m i c o o d u c 仍 r s i nj c l u r e s 训 a p l as l ic f l o wa p p l i e d p hys i c s l e tt e r s , 1 9 8 7 , 5 1 ( 1 7 ) : 1 3 2 5 一 1 3 3 1 1 1 3 h i rt h j rs o m e c u rr e n t top i c s i n d i s l o c at i o n the o ry . a c t a m 砒ri al i a.2 0 0(), 4 8 ( 1 ) : 9 3 一 1 0 4 1 4 z h o ux w, w 扭 d l e yh n q mi s fi td i s l o c at i o ni ng o l d /p e rma l l oy m ut l i l a y e rs . p h i l o s o p hi c alm a g azi ne, 2 0 0 4 , 8 4 ( 2 ) : 1 9 3 一 2 1 2 1 5 l w e g s c hei de r w, c e rv a h . e ffedofc o m p r e s s i v e an d ten s i l e s 1 r a i n o n m i s fi t d i s l o c at i on hije ct i o n i n s i g e e p itaxi all ay e 路儿 u n 旧 ! o f 、 乞 c u 呱 s c i enc e a l l d tec hao l o gyb . 1 9 9 3 , 1 1 ( 3 ) : 1 0 5 6 一 1 0 6 3 【 16 1周耐根, 周 浪. 外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究. 物理学 报, 2 0()5 , 5 4 ( 0 7 ) : 3 2 7 8 一 3 2 8 3 日 71周耐 根. 薄 膜晶体 缺陷 形成与 控制的 分子 动力 学模拟研究:【 博 士学 位论文 1 . 南昌: 南昌 大学, 2 0 0 5 1 1 8 a l d e r bj . w 台 n 丽ght te . p h 次 沁t r ans i t i o nfo r a h a r d s p he res y st e m . t h e jo u m a l o f c hem i c alp h y s i c s , 1 9 5 7 , 2 7 : 1 2 0 8 一 1 2 0 9 1 1 9 c ar民p a 州 nel l o m , u n i 幻 ed a p p r o a c h for m o lecu lar dyn am油 即d d e n s i ty-fun c t i o n a 】 t h e o ly.p b y s i c a l rev i e wl ette r s , 1 9 8 5 , 5 5 ( 2 2 ) : 2 4 7 1 一 2 4 7 4 2 0 l aasonenk.p 咧u arel lo a , c arr.从 an d e rb i it d . c ar-p a rr in e l lo m o lec u 】a r 伪n a m ic s w it h 、 乞 盯 d e rb i it u h r as o ft p s e u d o pet e nt i a l s . p h y s l c alr evi ew b , 1 9 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