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文档简介

多晶硅的制绒工艺,主要内容,多晶硅制绒的目的多晶硅制绒的原理实验步骤实验结果分析实验结论,1.多晶制绒的目的,在硅片表面腐蚀出绒面,增加表面的粗糙度，降低表面的反射率，以吸收更多的光子。,在刻蚀槽中使用HF-HNO3溶液，对硅片进行酸腐蚀制备出绒面；大致的刻蚀机制是HNO3腐蚀，在硅片表面形成一层SiO2,然后这层SiO2在HF酸的作用下除去。酸与硅的反应可以看成是局部的电化学过程，在反应发生的地方形成了阴极和阳极，阳极是硅的溶解反应，阴极是HNO3的消耗反应。阳极:Si+2H2O+nh+SiO2+4H+(4-n)e-SiO2+6HFH2SiF6+2H2O阴极:HNO3+3H+NO+2H2O+3h+总反应式为:3Si+4HNO3+18HF3H2SiF6+4NO+8H2O+3(4-n)h+3(4-n)e-,2.多晶硅制绒的原理,5,酸腐蚀液为HF、HNO3和去离子水按一定比例混合而成,其中HNO3为强氧化剂,在反应中提供反应所需要的空穴;HF的作用是与反应的中间产物SiO2反应生成络合物H2SiF6以促进反应进行;去离子水对反应起缓冲作用;反应中还会生成少量的HNO2,它能促进反应的发生,因此这是一种自催化反应。,酸性溶液中各组分作用,3.实验步骤,实验流程,4.实验结果分析,HF：HNO3：去离子水=1:5:1时,HF：HNO3：去离子水=1:3:1时,HF：HNO3：去离子水=1:1:3时,HF：HNO3：去离子水=3:1:6时,HF：HNO3：去离子水=6:1:6时,HF：HNO3：去离子水=9:1:6时,HF：HNO3：去离子水=12:1:6,HF：HNO3：去离子水=15:1:6时,各组分刻蚀10min汇总,5.实验结论,通过使用分光光度计对制绒后的硅片样品表面进行反射率的测定，在对得到的测试结果分析后，初步得到以下结论：在富氢氟酸的制绒溶液中过长时间的制绒会使硅表面抛光，而增加其表面的反射率；最佳的溶液配比为HF：HNO3：去离子水=12:1:6时的制绒溶液，其相应的最佳制绒时间为10min；用酸溶液腐蚀的多晶硅片表面反射率较低,且腐蚀过程时间短,减少了生产周期。,实验展望,由于受本人水平和时间等原因的限制，研究的深度和广度非常有限，还有很多非常有意义的工作有待进一步展开：腐蚀时间和反应溶液的温度对绒面的形成至关重要，因此，要进一步观察试验并进一步优化反应条件。气泡状的腐蚀坑是否还和反应过程中产生的气泡有关还有待进一步试验。关于多晶硅片表面形貌,优化表面陷光作用
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