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文档简介

cmos模拟集成电路设计,稳定性和频率补偿,2019/12/16,提纲,2,提纲,1、概述2、多极点系统3、相位裕度4、频率补偿5、两级运放的补偿,2019/12/16,概述,3,1、概述,反馈系统存在潜在不稳定性振荡条件（巴克豪森判据）,1、在1下，围绕环路的相移能大到使反馈变为正反馈2、环路增益足以使信号建立,2019/12/16,概述,4,增益交点相位交点,在一般反馈电路的处理中，小于或等于1，且与频率无关；当ccce,(gmii=gm9),(millerpole),(outputpole),可以计算得到,（补偿前(cc=0)：）,2019/12/16,两级运放的补偿,20,密勒补偿（续）,密勒补偿中，零点的影响不可忽略右平面的零点减缓增益的下降（增益交点外推），延迟相位（相位交点向原点移动）,考虑零点的影响，cc的选取：pm=60时，gb处,若pm60,p22.2gb，并由z=10gb,令z=10gb时,2019/12/16,两级运放的补偿,21,密勒补偿（续）,消除密勒补偿中零点的方法增加与补偿电容串联的电阻,切断补偿电容的前馈通路,将零点移到右平面无穷远处，或者左平面并抵消第一非主极点,2019/12/16,两级运放的补偿,22,带补偿的两级运放的转换,正转换速率(红色)，当i1iss,负转换速率（青色），当i1iss,当i110gb,2019/12/16,二级运放设计实例,26,设计步骤0.确定正确的电路偏置，保证所有晶体管处于饱和区。,为保证良好的电流镜，并确保m4处于饱和区,（sx=wx/lx）,i6=i7,2019/12/16,二级运放设计实例,27,设计步骤（续）1.根据需要的pm60deg求cc（假定z10gb）2.由已知的cc并根据转换速率的要求（或功耗要求）选择iss（i5）的范围；3.由计算得到的电流偏置值(i5/2),设计w3/l3（w4/l4）满足上icmr（或输出摆幅）要求，即饱和区条件；4.验证m3处镜像极点是否大于10gb5.设计w1/l1（w2/l2）满足gb的要求6.设计w5/l5满足下icmr（或输出摆幅）要求；,2019/12/16,二级运放设计实例,28,设计步骤（续）7.根据p22.2gb计算得到gm6；并且根据偏置条件vsg4=vsg6计算得到m6的尺寸8.根据尺寸和gm6计算i6，并验证vout,max是否满足要求9.计算m7的尺寸。并验证vout,min是否满足要求；10.验证增益和功耗11.若增益不满要求，
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