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文档简介
超净扩散方阻异常分析,1,摘要,方阻的影响因素a.排废b.温度、时间c.气体流量方阻偏高a.整组偏高b.单点偏高方阻偏低a.整组偏低b.单点偏低方阻不稳定a.扩散不均匀b.均值不均匀,2,排废排废的变化对管内温度、气流、杂质源均有影响，但主要影响杂质源浓度。排废过大：管内杂质源浓度降低，硅片P扩散不充分，方阻偏高，且气流速度加快，片内均匀性较差；排废过小：管内杂质源浓度相对偏高，P扩散过饱和，方阻偏低。温度、时间温度时间共同决定着结深，温度越高，扩散时间越长，反应更剧烈，硅片对P的吸收加强，P往内部的推结也越深，方阻越低。D为扩散系数，Do为本征扩散系数，Ko为波尔兹曼常数，T为绝对温度；Xj为结深，A为常数。,3,气体流量大氮：整个扩散反应过程中的保护气体，它的变化将会导致炉管内温度以及气氛场强发生变化。大氮流量偏小导致气氛压强偏小，源浓度从炉尾到炉口呈梯度降低，炉尾到炉口方阻梯度升高；大氮偏高可能导致杂质源反应不充分，方阻偏高；同时大氮偏高导致气氛压强偏大，源浓度从炉口到炉尾呈梯度升高，炉尾到炉口方阻梯度降低。小氮：小氮是携带杂质源的重要气体，它的变化将很大程度的影响扩散薄层电阻，小氮偏高则杂质源的浓度相对偏高，P扩散过饱和，方阻偏低。小氧：小氧在整个工艺过程中起到了一个辅助的作用，通过先生成SiO2可以促使P的均匀分布减少由于扩散引起的缺陷，同样避免了直接扩散可能带来的死层现象。小氧偏高将会产生厚厚的氧化层阻碍P的扩散，小氧偏低将会使杂质源的反应不充分，且均匀性下降，两种情况均会导致方阻偏高。,4,气体未能通入炉管内反应,管内反应的小氮偏小,杂质源未能通入炉管反应,液位以上源温度低影响小氮携带,小氮携带的源浓度偏低,5,6,PS：大
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