电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题和答案.doc

最新电大光伏检测与分析形考作业任务01-04网考试题及答案100%通过考试说明：光伏检测与分析形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务01任务_0001一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 缓冲剂一般是（ ）。 A. 强酸强碱 B. 弱酸弱碱 C. 弱酸 D. 弱碱2. 一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（ ）的硅单晶。 A. 小于1000cm B. 11000cm C. 大于1000cm D. 以上皆不是3. 目前国内外广泛采用（ ）测量半导体硅单晶电阻率。 A. 两探针法 B. 四探针法 C. 扩展电阻法 D. 范德堡法4. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。 A. P型 B. N型 C. PN型 D. 以上皆不是5. 半导体器件厂就是用一定型号的（ ）来生产出所需要的半导体元件。 A. 单晶 B. 多晶 C. 非晶 D. 以上皆不是6. 漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（ ）。 A. 大 B. 小 C. 一样大小 D. 未知7. （ ）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。 A. 空位 B. 位错 C. 层错 D. 杂质沉淀8. （ ）是最简单的点缺陷。 A. 空位 B. 填隙原子 C. 络合体 D. 外来原子9. 三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。 A. 温差电效应 B. 整流效应 C. 以上二种皆可 D. 以上二种皆不可10. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。 A. 点缺陷 B. 线缺陷 C. 面缺陷 D. 微缺陷二、多项选择题（共 10 道试题，共 30 分。）1. 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。 A. 冷热探笔法 B. 三探针法 C. 单探针点接触整流法 D. 冷探笔法2. 半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（ ）。 A. 星形结构 B. 杂质析出 C. 系属结构 D. 点缺陷3. 高频光电导衰退法的优点主要有（ ）。 A. 样品无需切割成一定的几何形状 B. 测量时不必制作欧姆电极 C. 样品较少受到污染 D. 应用广泛4. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。 A. 使整个样品加底光照 B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射 C. 将硅单晶加热到5070 D. 将硅单晶加热到60805. 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（ ）有直接影响。 A. 太阳能电池的光电转换效率 B. 晶体管的放大倍数 C. 开关管的开关时间 D. 太阳能电池的填充因子6. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。 A. Sirtl腐蚀液 B. Dash腐蚀液 C. Wright腐蚀液 D. Shimmel腐蚀液7. 直流光电导衰退法的缺点主要有（ ）。 A. 对样品有几何形状和几何尺寸的要求 B. 要求制备符合一定要求的欧姆接触 C. 测量下限较高 D. 仪器线路比较复杂8. 高频光电导衰退法的缺点主要有（ ）。 A. 仪器线路比较复杂 B. 干扰比较大 C. 测试方法比较简单 D. 依靠电容耦合9. 半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（ ）。 A. 点缺陷 B. 位错 C. 层错 D. 杂质沉淀10. 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（ ）。 A. 光电导衰退法 B. 扩散长度法 C. 光磁法 D. 光脉冲法三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。 A. 错误 B. 正确2. 半导体的陷阱中心数量是变化的。 A. 错误 B. 正确3. 硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。 A. 错误 B. 正确4. 用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。 A. 错误 B. 正确5. 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。 A. 错误 B. 正确6. 测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。 A. 错误 B. 正确7. 用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以4050为宜。 A. 错误 B. 正确8. 被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。 A. 错误 B. 正确9. 半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。 A. 错误 B. 正确10. 当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。 A. 错误 B. 正确四、连线题（共 10 道试题，共 30 分。）1. 将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。（1）样品电阻率1000 A.样品电流1（2）样品电阻率301000 B.样品电流0.1（3）样品电阻率130 C.0.01（1）C（2）B（3）A2. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。（1）HCL A.冰醋酸（2）HAc B.36%（3）H2O2 C.30%（1）B（2）A（3）C3. （1）A（2）B（3）C4. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。（1）宏观缺陷 A.杂质沉淀（2）微观缺陷 B.星形结构（3）表面机械损伤 C.加工损伤（1）B（2）A（3）C5. 将下列微观缺陷种类与说法一一对应。（1）空位 A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面（2）填隙原子 B.占据晶格空隙处的多余原子（3）络合体 C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体（1）A（2）B（3）C 6. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。（1）Shimmle腐蚀液 A.1015min（2）Wright腐蚀液 B.20 min以上（3）Sirtl腐蚀液 C.5min（1）C（2）B（3）A7. 将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。（1）样品电阻率0.01 A.样品电流100（2）样品电阻率0.011 B.样品电流10（3）样品电阻率130 C.1（1）A（2）B（3）C8. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。（1）Sirtl腐蚀液 A.1015min（2）Dash腐蚀液 B.20 min以上（3）Secco腐蚀液 C.116h（1）A（2）B（3）C9. 将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可（1）冷热探笔法 A.10-4104cm（2）整流法 B.11000cm（3）两探针法 C.1000cm以下（1）冷热探笔法 C（2）整流法 B（3）两探针法 A10. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。（1）HF A.70%（2）HNO3 B.49%（3）H2O2 C.30%（1）B（2）A（3）C02任务02任务_0001一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 样品制备中选择样品厚度的原则是使吸收峰处的透射率为（）。 A. 10%-70% B. 10%-80% C. 20%-70% D. 20%-80%2. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（）。 A. 较高 B. 相同 C. 较低 D. 无法判断3. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（）。 A. B. C. D. 4. K系辐射线可以细分为 及 ，他们辐射的强度比约为（）。 A. 1：1 B. 2:1 C. 3:1 D. 4:15. X射线剂量用伦琴表示，符号用r,根据国际放射学会议规定，普通人的安全剂量应为每周不超过（）r。 A. 0.2 B. 0.3 C. 0.4 D. 0.56. 晶面间距可用字母d表示，以下哪项表达式为立方晶系的晶面间距（）。 A. B. C. D. 7. 抛光时，抛光液HF与体积比为（）。 A. 1:1 B. 1:2 C. 1:4 D. 1:68. 红外线通过样品时，对于硅单晶反射率R为（）。 A. 10% B. 20% C. 30% D. 40%9. X射线在医疗诊断方面得到广泛应用，主要是依赖其（）。 A. 感光作用 B. 电离作用 C. 穿透性强 D. 衍射作用10. 参比样品应不含有被测杂质，一般要求氧和碳原子含量在（）以下。 A. B. C. D.二、多项选择题（共 10 道试题，共 30 分。）1. 抛光时对于样品表面有（）要求。 A. 无划道 B. 无浅坑 C. 无氧化 D. 无沟道2. 以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。 A. 单晶材料制备 B. 单晶片的制备 C. 器件的制作 D. 管芯划片方向3. A. B. C. D. 4. X射线的衍射法精确度高，它受以下（）因素影响。 A. X射线束的发散性 B. X射线束准直性 C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度 D. 天气温度5. 布喇格定律成立需满足以下（）条件。 A. B. 入射角等于反射角 C. 入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面，且入射线和衍射线处法线两侧 D. 6. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（）现象。 A. 反射 B. 折射 C. 吸收 D. 透过7. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（）。 A. 光点定向仪 B. 光源 C. 光屏 D. X光8. X射线主要有以下（）性质。 A. 感光作用 B. 荧光作用 C. 电离作用 D. 衍射作用9. X射线定向仪主要有以下（）部分组成。 A. X射线发生部分 B. X射线检测部分 C. 样品台 D. 转角测量部分10. 样品加工主要包括以下（）步骤。 A. 取样 B. 研磨 C. 抛光 D. 连接电脑测试系统三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。）1. X射线是一种电磁波，与可见光相同，但波长要长得多。 A. 错误 B. 正确2. 晶向偏离度是指晶体生长方向偏离晶轴的角度。 A. 错误 B. 正确3. 激光照射和中子轰击等可以产生X射线。 A. 错误 B. 正确4. 晶体定向是研究晶体各种物理性质的基础。 A. 错误 B. 正确5. 测定硅中碳含量时，必须使用差别法。 A. 错误 B. 正确6. 在硅单晶中，氧的分布以替位的形式存在。 A. 错误 B. 正确7. 氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布。 A. 错误 B. 正确8. 硅单晶中掺杂杂质的溶度相比氧和碳来说相对较低。 A. 错误 B. 正确9. 较大的光照面积比较容易得到要求的光学晶面。 A. 错误 B. 正确10. 在晶体取向的表示方法中，三条晶轴的顺序按左手螺旋定则来确定。 A. 错误 B. 正确四、连线题（共 10 道试题，共 30 分。）1. （1）C（2）B（3）A2. 将下列利用晶体外观来判断晶体生长方向的关系一一对应。(1) 111 A）二条轴对称的棱线(2) 100 B）三条轴对称的棱线(3) 110 C）四条轴对称的棱线（1）B（2）C（3）A 3. （1）C（2）A（3）B4. （1）C（2）B（3）A5. 由于晶胞参数关系，在立方晶体中，某些晶面和晶向是相互垂直的，请一一对应。(1)100晶向 A）111晶面(2)111晶向 B）100晶面(3)110晶向 C）110晶面（1）B（2）A（3）C6. （1）A（2）B（3）C 7. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。（1）X射线发生部分 A）吸盘（2）X射线检测部分 B）X射线管（3）样品台 C）盖革计数管和计数时率计（1）B（2）C（3）A8. （1）B（2）A（3）C9. （1）A（2）B（3）C10. （1）B（2）C（3）A03任务03任务_0001一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 反渗透装置是超纯水治水系统中提纯的（ ）部分。 A. 预脱盐 B. 清洗 C. 软化 D. 维护2. 超纯水制水处理系统再生部分选择（ ）水泵。 A. 高压 B. 低压 C. 耐酸碱的ABS水泵 D. 未知3. 离子交换树脂是一种高分子化合物，是由（ ）和活性基团两部分组成。 A. 树脂的骨架 B. 阴树脂 C. 阳树脂 D. 碱性树脂4. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。 A. SiO2 B. SiH C. HCL D. Si5. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。 A. 吸附力 B. 离子交换 C. 电力 D. 压力差6. 全自动软化过滤器设计过滤体材质选用（ ）。 A. 炭钢 B. 玻璃 C. 钢铁 D. FRP增强玻璃钢内衬PE7. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析主要试剂盐酸是优级纯再经（ ）提纯两次。 A. 有机玻璃蒸发器 B. 石英亚沸蒸馏器 C. 聚四氟乙烯 D. 聚乙烯蒸馏器8. 露点法测定气体中的水分职业中，本岗位存在的危险源是（ ）。 A. 液氮低温冻伤 B. 潜在氢气泄露引起的爆炸 C. 温度过高 D. 没有明显危险源9. A. 1 B. 2 C. 5 D. 310. 放射线同位素的量越多，放出的射线的强度（ ）。 A. 越小 B. 不变 C. 越大 D. 随机变化二、多项选择题（共 10 道试题，共 30 分。）1. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。 A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10% B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时 C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍 D. 装置需要长期停运时用保护溶液保护前2. X射线形貌技术的试验方法有（ ）。 A. 透射形貌法 B. 反射形貌法 C. .异常透射法 D. .双晶光谱仪法3. 下列哪三项是天然水的三大杂质（ ）。 A. 悬浮物质 B. 挥发物质 C. 胶体物质 D. 溶解物质4. 高纯水的检测时，测量方法有（ ）。 A. .静置测量法 B. 反渗透测量法 C. 蒸发测量法 D. 流动测量法5. 纯水制备系统运行控制注意事项，以下表述错误的是（ ）。 A. 软化器工作时，自动启动原水增压泵，其他高压泵都处于停止状态 B. 无论何时，反渗透系统都要将脓水调节阀和进水调节阀完全关闭 C. 离子交换床在工作的任何时侯，混床进水压力大于160Pa D. 设备第一次使用时，所 制纯水应至少排放1h后再收集6. RO系统清洗条件有（ ）。 A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%10%时 B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%20%时 C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的12倍 D. 装置需长期停运时用保护溶液保护前7. 影响树脂再生的主要因素有（ ）。 A. 再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等 B. 终点PH值的大小 C. 离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等 D. 杂质量的多少8. 三氯氢硅中硼的分析试剂表述错误的是（ ）。 A. B. 氢氟酸 优级纯氢氟酸，再经自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次，经分析合格后备用 C. 5%甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中 D. 直径6mm的光谱纯（无B）石墨电极9. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。 A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度 C. 测定流速控制在250300ml/min D. 通常测-34以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约410. 中子活化分析的特点有（ ）。 A. 灵敏度高 B. 分析速度快，精度高 C. 非破坏性分析 D. 不易沾污和不受试剂空白的影响三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 混床交换在再生处理时，阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。 A. 错误 B. 正确2. 色谱法基本原理是基于时间的差别进行分离。 A. 错误 B. 正确3. 为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。 A. 错误 B. 正确4. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用化学药剂提纯法。 A. 错误 B. 正确5. 制取高纯水时一般采用强碱型阴离子交换树脂。 A. 错误 B. 正确6. 硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷 A. 错误 B. 正确7. 新树脂使用前应进行预处理：膨胀处理和变形处理。 A. 错误 B. 正确8. 活性炭过滤器在作为反渗透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有机混合物的影响的。 A. 错误 B. 正确9. 只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。 A. 错误 B. 正确10. 露点法检测气体中的水分是通常测-34以下气体观察到的是露点。 A. 错误 B. 正确四、连线题（共 10 道试题，共 30 分。）1. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。（1）悬浮物质 A.溶胶、硅胶、铁、铝 （2）胶体物质 B. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质（3）溶解物质 C. Ca 、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸盐（1）B（2）A（3）C2. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。（1）碳酸盐结垢 A.1.5%EDTA溶液（2）有机物污染及硫酸盐结构 B.1%富尔马林溶液（3）细菌污染 C.3%柠檬酸溶液（1）C（2）A（3）B3. 将下列离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。（1）强酸型离子交换树脂 A.5%-10%盐酸溶液3000ml（2）强碱型离子交换树脂 B. 5%-10%氢氧化钠溶液2500ml（3）干树脂 C.4%-5%Nacl溶液浸泡（1）B（2）A（3）C4. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。（1）杂质不均匀 A.与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关（2）各元素电离效率 B.因为质谱分析一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量（3）谱线黑度 C.受到很多因素，如离子质量影响（1）B（2）A（3）C 5. 将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。（1）反洗 A.将原水泵停止，阀门关闭，让多介质自然下沉，使沙层排列平整（2）静止 B.原水由进口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体（3）正洗 C.水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除（1）C（2）A（3）B6.将下列混床再生中操作步骤一一对应。（1）逆洗分层 A.再生剂为5%的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍，从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过（2）强碱性阴离子交换树脂再生 B.水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原 则，洗至出水清高度（3）强酸性阳离子交换树脂再生 C.再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍（1）B（2）A（3）C7. （1）A（2）C（3）B8. （1）B（2）A（3）C9. 将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制一一对应。（1）危险源 A.意把氢气引出室外（2）分析氢气露点时用大气赶走气 B.液氮低温冻伤（3）酒精放置 C.要放在阴凉地方（1）B（2）A（3）C 10. 将下列自动软化系统工艺过程一一对应。（1）反洗 A.再生用盐液在一定浓度、流量下，流经失效的树脂层，使其恢复原有的交换能力（2）再生吸盐+慢洗 B.向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水（3）再生剂箱注水 C.树脂失效后，在进行再生之前，先用水自上而下流出（1）C（2）A（3）B04任务04任务_0001一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。 A. 悬浮物质 B. 挥发物质 C. 胶体物质 D. 溶解物质2. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。 A. 液氮低温冻伤 B. 潜在氢气泄露引起的爆炸 C. 温度过高 D. 没有明显危险源3. 露点法测定气体中水分的设备环境要求是保持工作环境高纯卫生，温度4-40度，相对湿度小于（ ），现场整洁，无腐蚀性气体，不得有电路和火种。 A. 90% B. 85% C. 95% D. 92%4. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。 A. 吸附力 B. 离子交换 C. 电力 D. 压力差5. 人们通常将水分为纯水和（ ）。 A. 超纯水 B. 蒸馏水 C. 高氧水 D. 海水6. 离子交换树脂是一种高分子化合物，是由树脂的骨架和（ ）两部分组成。 A. 活性基团 B. 阳树脂 C. 阴树脂 D. 氢氧根离子7. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。 A. SiO2 B. SiH C. HCL D. Si8. 纯水制备系统混床的再生反洗的目的是（ ）。 A. 使阴阳离子交换树脂更紧密 B. 使阴阳离子交换树脂分层 C. 去除杂质 D. 无目的9. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。 A. 混合氯代硅烷 B. 氯化氢 C. 磷化氢 D. 水10. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。 A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子 B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子 C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子 D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子二、多项选择题（共 10 道试题，共 30 分。）1. RO系统清洗过程中RO膜污染原因与使用药剂搭配错误的是（ ）。 A. 碳酸盐结垢用3%柠檬酸溶液 B. 有机物污染及硫酸盐垢用1.5%EDTA溶液 C. 细菌污染用3%柠檬酸溶液 D. 碳酸盐结垢用1%富尔马林溶液2. 混床的再生具体操作步骤正确的是有（ ）。 A. 逆洗水从底部进入，上口排出，树脂均匀松弛膨胀开来，可加大水流速以冲不出树脂为原则。 B. 强碱性阴离子交换树脂再生剂为20%的NAOH，用量为树脂体积的3-5倍 C. 清洗阴离子交换树脂当碱液琳完后，再淋洗附在阴离子交换树脂上的碱液。 D. 强酸性阳离子交换树脂再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍3. 以下DUI 纯水制备系统中多介质过滤器注意事项叙述错误的是（ ）。 A. 原水箱回流阀完全关闭，保护原水泵 B. 日常维护过程中，每次反洗时先用压缩空气使滤料充分松动，并且要把控制阀旋到对应位置才能开启原水增压泵。 C. 石英砂滤材一般35年更换或添加 D. 每周检测一次沙虑出水SDI值，SDI小于5，则有问题4. 离子交换法制备纯水时，新树脂的预处理方式是（ ）。 A. 膨胀处理 B. 混合处理 C. 变形处理 D. 稀释处理5. 自动软化系统注意事项下述叙述正确的是（ ）。 A. 逆洗时进口水压维持在0.5-1bar。以利冲洗 B. 如果进水太快，罐中的介质会损失，在缓慢进水的同时，应能听到空气慢慢从排水管排出的声音。 C. 只有石英砂过滤器控制阀和活性炭过滤器控制阀均在运行位置时，软化过滤器才能进行设备的日常维护。 D. 如果整套设备连续供水，却能确定每天的用水量，可将多功能控制阀设为自动状态。6. 混床的再生中是两种树脂充分混合的方法有（ ）。 A. 自然混合法 B. 用真空泵进行混合，自上口抽气，打开下口阀门进气，用空气搅动阴阳离子交换树脂达到充分混合的目的 C. .加入混合剂使之混合 D. 用压缩空气自底部进入，上口排除7. 高纯水的检测时，测量方法有（ ）。 A. 静置测量法 B. 反渗透测量法 C. 蒸发测量法 D. 流动测量法8. X射线形貌技术的试验方法有（ ）。 A. 透射形貌法 B. 反射形貌法 C. 异常透射法 D. 双晶光谱仪法9. 下列哪三项是天然水的三大杂质（ ）。 A. 悬浮物质 B. 挥发物质 C. 胶体物质 D. 溶解物质10. 自动软化系统反洗的目的是（ ）。 A. 通过反洗，试运行中压紧的树脂层松动，有利于树脂颗粒与再生液充分接触 B. 是树脂表面积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出，从而是交换器的水流阻力不会越来越大 C. 清除树脂层中残留的再生废液 D. 提高软化效果三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。）1. 为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。 A. 错误 B. 正确2. 只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。 A. 错误 B. 正确3. 硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷。 A. 错误 B. 正确4. 对三氯氢硅中硼的分析采用蒸发法。 A. 错误 B. 正确5. RO系统清洗过程应密切注意清洗液温度上升，不得超过35。 A. 错误 B. 正确6. 气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的液氮低温冻伤。 A. 错误 B. 正确7. 制取高纯水时一般采用强酸型阳离子交换树脂。 A. 错误 B. 正确8. 露点法检测气体存在的危险是氢气泄露引起的燃烧核爆炸。 A. 错误 B. 正确9. 离子交换法制备纯水用阴树脂可以得到高纯水。 A. 错误 B. 正确10. 纯水制备系统反渗透系统要把浓水调节阀和进水调节阀完全关闭。 A. 错误 B. 正确四、连线题（共