光电检测技术作业答案.doc

光电检测技术作业21.设某只 光敏电阻的最大功耗为 30，光电导灵敏度 = 0.5 X10-6 S / ，暗电导 g0 =0 。试求当 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。2. 在如图所示的照明灯控制电路中，将上题所给的 光敏电阻用作光电传感 器，若已知继电器绕组的电阻为 5 KW ，继电器的吸合电流为 2，电阻 R = 1KW 。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在 3 时吸合，问应如何调整电阻器 R？3. 在如图所示的电路中，已知 = 820W ， = 3.3kW = 4V ，光敏电阻为 ， 当光照度为 40 时输出电压为 6V，80 时为 9V。设该光敏电阻在 30100 之间的 g 值不变。试求：（1） 输出电压为 8V 时的照度。（2）若 增加到 6 kW ，输出电压仍然为 8V，求此时的照度。（3）若光敏面上的照度为 70，求 = 3.3kW 与 = 6kW 时输出的电压。（4）求该电路在输出电压为 8V 时的电压灵敏度。4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107 ？5 为什么在光照度增大到一定程度后，硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增 大？硅光电池的最大开路电压为多少？为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下 的开路电压？6 硅光电池的内阻与哪些因素有关？在什么条件下硅光电池的输出功率最大？答：（1）极电容，串接电阻，串接电阻越小越好。（2）显然，存在着最佳负载电阻，在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率7 光生伏特器件有几种偏置电路？各有什么特点？8. 选择最适当的答案填入括号中（只有一个答案正确）（1） 用光电法测量某高速转轴（15000r / ）的转速时，最好选用（D）为 光电接收器件。A B 光敏电阻C 242 硅光电池D 3 型光电三极管（2） 若要检测脉宽为10-7 s 的光脉冲，应选用（A）为光电变换器件。A 型光电二极管B 3 型光电三极管C 结型光电二极管D2 11 硅光电池（3） 硅光电池在（D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置 （4） 硅光电池在（B）情况下有最大的功率输出。 A 开路B 自偏置C 零伏偏置 D 反向偏置 9. 假设调制波是频率为 500，振幅为 5V，初相位为 0 的正弦波，载波频率为 10，振 幅为 50V，求调幅波的表达式、带宽及调制度。10. 利用 222 光电二极管和 340 三极管构成如下图所示的探测电路。已知光电二极管的电流灵敏度 = 0.4mA / mW ，其暗电流I D = 0.2mA ，三极管 340 的电流放大倍数 =50 ，最高入射辐射功率为 400 mW 时的拐点电压 = 1.0V 。求入射辐射功率最大时，电阻 的值与输出信号 的幅值。入射辐 射变化 50mW 时的输出电压变换量为多少？利用 222 光电二极管和 340 三极管构成如图 3-46 所示的探测电路。已知光电二极管的电流灵敏度 = 0.4mA / mW ，其暗电流I D = 0.2mA ，三极管340 的电流放大倍数b = 50 ，最高入射辐射功率为 400 mW 时的拐点电压 = 1.0V 。求入射辐射功率最大时，电阻 的值与输出信号 的幅值。入射辐射变化 50mW 时的输出电压变换量为多少？11. 真空光电倍增管的倍增极有哪几种结构？各有什么特点？12 何谓光电倍增管的增益特性？光电倍增管各倍增极的发射系数 与哪些因素有关？最主要的因素是什么？13 光电倍增管产生暗电流的原因有哪些？如何降低暗电流？14. 怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度？二者的区别是什么？二者有什么关 系？15. 光电倍增管 44F 的阴极光照灵敏度为 0.5，阳极灵敏度为 50，要求长期 使用时阳极允许电流限制在 2A 以内。求：（1）阴极面上允许的最大光通量。（2）当阳极电阻为 75K 时，最大的输出电压。（3）若已知该光电倍增管为 12 级的 3 倍增极，其倍增系数 d = 0.2(U )0.7 ,实计算它的供电电压。（4）当要求输出信号的稳定度为 1%时，求高压电源电压的稳定度。16. 为什么说发光二极管的发光区在 结的 P 区？这与电子、空穴的迁移率有关吗？17 为什么发光二极管必须在正向电压下才能发光？反向偏置的发光二极管能发光吗？18. 产生激光的三个必要条件是什么？粒子数反转分布的条件是什么？为什么 必须有谐振腔？19. 半导体激光器有什么特点？ 与 发光机理的根本区别是什