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文档简介

前三题为必做题，全为英文描述题干1、写出电阻R、电容C、电感L的V/I关系式；2、给出的电压值求NPN型三极管的、(晶体管的开启电压为0.7v)VbVeVc010.7v20.7v3. 在满足深度负反馈的条件下，求出以下放大电路的.整份试卷包含所有面试方向的题，最后一部分是IC layout方向的笔试题：1. 简述CMOS的工艺流程2. 给出nand2的管级图画出其layout。3. 下图电路图中有两个MOSFET（MA and MB)假设每个MOSFET有两个gate finger，右下版图应如何连接，才能使MA and MB匹配。4. 画出不同的电流镜图，并简述各自特点。面试时问到的问题技术部：1. 晶体管的工作原理2. 你在青软实训学到了什么3. 你觉得怎样布局、布线，该注意哪些方面4. Latch-up的原理，形成示意图并提取其电路图5. ESD的工作原理，做ESD时你觉得应该注意哪些方面。负责人：一直不停地从你回答的话中找问题，问问题，1. 自对准工艺（SALICIDE）原理，后做栅会出现什么后果2. CMOS的工艺流程3. Latch-up的原理以及防止措施， Guard ring的作用，保护作用具体是怎样做
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