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第一章 半导体器件基础测试题(高三) 姓名 班次 分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列 物质而形成的。 A、电子; B、空穴; C、三价元素; D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小的说法正确的是 。 A、掺杂的工艺; B、杂质的浓度: C、温度; D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件,下列说法正确的是 。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; C、发射结反偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 4、晶体三极管的截止条件,下列说法正确的是 。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; C、发射结反偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 5、晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是 。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; C、发射结反偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 6、理想二极管组成的电路如下图所示,其AB两端的电压是 。 A、12V; B、6V; C、+6V; D、+12V。 7、要使普通二极管导通,下列说法正确的是 。 A、运用它的反向特性; B、锗管使用在反向击穿区; C、硅管使用反向区域,而锗管使用正向区域; D、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时,下列做法正确的是 。 A、用万用表的R100或R1000的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转; B、用万用表的R10K的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转; C、用万用表的R100或R1000的欧姆,红棒接正极,黑棒接负极,指针偏转; D、用万用表的R10,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转; 9、电路如下图所示,则A、B两点的电压正确的是 。 A、UA=3.5V, UB=3.5V,D截止; B、UA=3.5V, UB=1.0V,D截止; C、UA=1.0V, UB=3.5V,D导通; D、UA=1.0V, UB=1.0V,D截止。 10、稳压二极管在电路中的接法,正确的说法是 。 A、稳压管是正向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的正极,负极接电源的负极; B、稳压管是反向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的负极,负极接电源的正极; C、稳压管是正向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的高电位,负极接电源的 低电位。 D、稳压管是反向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的低电位,负极接电源的 高电位。 11、电路如下图所示,当电路输入端的电压发生变化时,会引起输出电压的变化,则 下列四种变化中正确的是 。 A、UIU0IWIRURU0; B、UIU0IWIRURU0; C、UIU0IWIRURU0; D、UIU0IWIRURU0。 12、对于三极管放大作用来说,下列说法中最确切的是 。 A、三极管具有电压放大作用; B、三极管具有功率放大作用; C、三极管具有电流放大作用; D、三极管具有能量放大作用。 13、对于二极管来说,下列说法中错误的是 。 A、二极管具有单向导电性; B、二极管同样具有放大作用; C、二极管具有箝位功能; D、二极管具有开关等功能。 14、对于三极管的输入特性,下列说法正确的是 。 A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系; B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系; C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系; D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系; 15、 下图中两只二极管的导通状态是 。 A、D1、D2导通; B、D1、D2截止; C、D1导通、D2截止; D、D1截止、D2导通。 16、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是 。 A、UAO=15V; B、UAO=12V; C、UAO= -15V; D、UAO= -12V。 17、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是 。 A、UAO=15V; B、UAO=12V; C、UAO= -12V; D、UAO= 0V。 18、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是 。 A、UAO=6V; B、UAO= 6V; C、UAO= -12V; D、UAO=12V。 19、金属导体的电阻率随温度升高而 ,半导体的导电能力随温度的升高而 。 A、升高/升高; B、降低/降低; C、升高/降低; D、降低/升高。 20、下列是PN结两端的电位值,使PN结导通的是 。 A、P端接+5V,N端通过一电阻接+7V; B、N端接+2V,P端通过一电阻接+7V; C、P端接3V,N端通过一电阻接+7V; D、P端接+1V,N端通过一电阻接+6V。 21、电路如图所示,R=1K,设二管导通时的管压降为0.5V,则电压表的读数是 。 A、0.5V; B、15V; C、3V; D、以上答案都不对。 22、如图所示,设输入信号ui为正弦波,幅值为1V,二极管导通时正向电压降为0.6V, 关于输出信号u0波形的说法,正确的是 。 A、输出电压值的范围介于-0.6V +0.6V之间; B、输出电压值的范围介于-0V +0.6V之间; C、输出电压值的范围介于-0.6V 0V之间; D、输出电压值的范围介于0V 1V之间。 23、对于3AG11C三极管的型号,下列说法正确的是 。 A、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管PNP型低频大功率晶体管; C、硅管NPN型高频小功率晶体管; D、硅管NPN型低频大功率晶体管; 24、对于3DD80C三极管的型号,下列说法正确的是 。 A、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管PNP型低频大功率晶体管; C、硅管NPN型高频小功率晶体管; D、硅管NPN型低频大功率晶体管; 25、对于3DG12C三极管的型号,下列说法正确的是 。 A、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管PNP型低频大功率晶体管; C、硅管NPN型高频小功率晶体管; D、硅管NPN型低频大功率晶体管 26、对于3AD30B三极管的型号,下列说法正确的是 。 A、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管PNP型低频大功率晶体管; C、硅管NPN型高频小功率晶体管; D、硅管NPN型低频大功率晶体管 27、场效应管属于 控制型器件,晶体三极管则属于 控制器件。 A、电压/电流; B、电流/电压; C、电压/电压; D、电流/电流 28、电路其如图所示,D为理想二极管,则u0为 。 A、3V; B、6V; C、-3V; D、-6V。 29、电路如下图所示,已知Rb=10K,Rc=1K,Ec=10V, 晶体管的=50,Ube=0.7V,当Ui=0V时, 三极管处于 。 A、截止状态; B、放大状态; C、饱和状态; D、击穿状态。 二、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 三、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD0.7V。 四、已知稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的

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