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文档简介
正負片流程區別簡介 制作者 Leo Qiu 1 簡介大綱 名詞解釋正片流程簡介負片流程簡介正負片流程區別正負片流程優缺點 2 正片流程又稱tenting流程 所用底片為負片底片 負片底片 所見非所得 底片透明部份是要保留圖形 名詞解釋 透明部分是要保留的圖形 3 負片流程又稱pattern流程 所用底片為正片底片 正片底片 所見即所得 底片黑色部份是要保留的圖形 名詞解釋 黑色部份是要保留的圖形 4 正負片基本流程對照 5 正片流程詳細介紹 全板電鍍利用整板電鍍的方法 使孔銅和面銅達到RD要求 清潔板面 去除鑽孔後的burr 利用KMnO4的強氧化性 除去孔內膠渣 增加孔內表面積 提高孔銅與孔壁結合力 利用化學沉積方法 使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅 讓之後的電鍍銅能順利鍍上 6 正片流程詳細介紹 外層 經過刷磨 微蝕 清潔並粗化表面 增加乾膜附著力 將乾膜貼附在基板表面 為影像轉移做準備 所用乾膜貼附力好 tenting能力強 使用負片底片以UV光透過黑白底片照射乾膜 乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應 從而使底片上的圖形轉移到乾膜上 利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解 留下已曝光的乾膜 7 正片流程詳細介紹 外層 利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨 酸性蝕刻液成份 H2O2 HCl系列或NaClO3 HCl系列 利用去膜液 NaOH 將蝕刻後線路表面乾膜去除 使線路顯現出來 8 負片流程詳細介紹 一銅目的 在孔壁上電鍍一層基銅 以便二銅電鍍 清潔板面 去除鑽孔後的burr 利用化學沉積方法 使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅 讓之後的電鍍銅能順利鍍上 利用KMnO4的強氧化性 除去孔內膠渣 增加孔內表面積 提高孔銅與孔壁結合力 9 負片流程詳細介紹 外層 使用正片底片以UV光透過黑白底片照射乾膜 乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應 從而使底片上的圖形轉移到乾膜上 經過刷磨 微蝕 清潔並粗化表面 增加乾膜附著力 將乾膜貼附在基板表面 為影像轉移做準備 所用乾膜抗鍍性較好 利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解 留下已曝光的乾膜 10 負片流程詳細介紹 二銅 將孔銅 面銅鍍到RD要求 鍍錫 保護蝕刻時圖形不被蝕刻掉 11 負片流程詳細介紹 蝕刻 去掉乾膜 將不需要的銅顯露出來 以便藥水咬蝕 利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆盖之銅咬蝕乾淨 需要保留的圖形由錫保護 完成圖形 鹼性蝕刻液成份 氯化銨 NH4Cl 和氨水 NH3H2O 錫已完成使命 將錫去除 12 正負片流程區別 13 正片流程優點 能夠製作無RingNPTH孔及較大的NPTH孔 NPTH孔無需tenting保護 能夠製作外層兩面殘銅率較大的PCB 整板电镀不受殘銅率影響 流程短 成本相對低 缺點 無法製作較大的PTH孔 Tenting能力限制 不宜製作高孔銅 厚面銅的PCB 面銅太厚 不易蝕刻 負片流程優點 能夠製作無RingPTH孔及較大的PTH孔 PTH孔無需tenting保護 能夠製作高縱橫比 厚孔銅 厚面銅的PCB 蝕刻只需要咬蝕底銅 一銅 缺點 無法製作較大的NPTH孔 乾膜能力限制 無法製作兩面殘銅
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