外文翻译--关于评价特征去除所导致的工程分析错误的规范理论  中文版_第1页
外文翻译--关于评价特征去除所导致的工程分析错误的规范理论  中文版_第2页
外文翻译--关于评价特征去除所导致的工程分析错误的规范理论  中文版_第3页
外文翻译--关于评价特征去除所导致的工程分析错误的规范理论  中文版_第4页
外文翻译--关于评价特征去除所导致的工程分析错误的规范理论  中文版_第5页
已阅读5页,还剩3页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

关于评价特征去除所导致的工程分析错误的规范理论 SankaraHariGopalakrishnan, KrishnanSuresh 机械工程系,威斯康辛大学,麦迪逊分校, 2006年 9月 30 日 摘要 : 几何分析 是著名的计算机辅助设计 /计算机辅助工艺简化 “ 小或无关特征 ” 在 CAD模型 中 的程序 , 如有限元分析 。 然而 ,几何分析 不可避免地 会产生 分析错误 , 在目前的理论框架实在不容易量化 。 本文 中,我们 对快速 计算 处理这些几何分析错误 提供了严谨的理论。尤其 , 我们集中力量解决地方的特点,被 简化 的任意形状和大小的 区域 。提出的理论 采 用 伴随 矩阵 制定边值问题抵达严格界限几何分析性分析错误。该理论通过数值例子说明。 关键词 :几何分析 ;工程分析 ;误差估计 ;计算机辅助设计 /计算机辅助 教学 1. 介绍 机械 零件 通常包含了许多几何特征。不过,在工程分析 中 并不是所有的特 征 都是至关重要的 。以前的分析 中 无关特征往往被 忽略 ,从而提高自动化及运算速度。 举例来说,考虑一个刹车转子 , 如图 1(a)。转子包含 50多个不同 的特 征 ,但所有这些 特征 并不是都 是 相关的 。就拿一 个 几何化的 刹车转子 的 热 量 分析 来说,如 图 1(b)。有限元分析的全功能的模型 如 图 1(a), 需要超过 150,000 度的自由 度 , 几何 模型图 1(b)项要求小于 25, 000个自由度,从而导致 非常缓慢的 运算速度。 图 1(a)刹车转子 图 1(b)其 几何分析 版本 除了提高速度,通常 还能 增加自动化水平,这比较容易实现自动化的有限元网格 几何分析 组成。内存要求也 跟着 降低,而 且 条件数离散系统 将得以 改善 ;后者起着重要作用迭代线性系统。 但是,几何分析还不是很普及 。 不稳定性到底 是 “ 小而 局部 化 ” 还是 “ 大 而扩展化 ” ,这取决于各种因素。例如, 对于 一个热问题,想删除其中的一个特 征,不稳定性 是 一个局部问题 :(1)净热通量边界的特点是零。 (2)特征简化时 没有新的热源 产生 ; 4对上述规则 则 例外。展示这些物理特征被称为自我平衡。结果,同样存在结构上的问题。 从几何分析角度 看 ,如果特征远离该 区域 , 则 这种自我平衡的特 征可以忽略 。但是,如果功能接近该 区域我 们必须谨慎,。 从 另一 个角度看 ,非自我平衡的特 征应值得重视 。 这些特征的简化 理论上 可以在系统任意位置被施用 ,但是会 在系统分析 上 构成重大的挑战。 目前,尚无任何系统性的程序 去 估算几何分析 对 上述两个案例 的 潜在影响。 这就必须依靠工程判断和经验。 在这篇文章中,我们制定了理 论估计几何分析影响工程分析自动化的 方式 。任意形状和大小的 形 体 如何 被 简化是本文重点要 解决 的 地方。伴随 矩阵 和单调分析 这 两个数学概念被合并成一个统一的理论来解决双方的自我平衡和非 自我平衡的 特点。数值例子涉及二阶scalar偏微分方程,以证实他的理论。 本文还包含以 下 内容 。第 二节中 ,我们就几何分析总结以往的工作。在第三节中,我们解决几何分析引起的错误分析,并讨论了拟议的方法。 第四部分 从数值试验提供结果。 第五部分讨论如何加快设 计开发 进度 。 2. 前期工作 几何分析过程可分为三个阶段 : 识别 :哪些特 征 应该 被 简化 ; 简化 : 如何 在一个自动化和几何一致的方式 中简化 特征 ; 分析 :简化 的结果。 第一 个阶段 的相关文献已 经很多 。 例如 ,企业的规模和相对位置 这 个特点,经常被用来作为度量鉴定。此外,也有人提议以有意义的力学判据确定这种特征。 自动化几何分析过程,事实上,已成熟到一个商业 化 几何分析 的 地步。但我们注意到,这些商业软件包 仅 提供一个纯粹的几何解决。因为没有保证随后进行的分析错误 ,所以 必须十分 小心使用 。另外, 固有 的几何问题依然存在,并且 还在研究当中 。 本文的重点是放在第三阶段,即 快速 几何分析 。 建立一个有系统的方法,通过几何分析引起的误差 是 可 以计算出来的。 再分析的 目的是迅速 估计 改良系统 的 反应。其中 最著名的再分析理论 是著名的谢尔曼 -Morrison和 woodbury公式 。对于 两种有着相似的网状结构 和刚度矩阵设计, 再分析 这种技术特别有效 。 然而 ,过程几何分析在网状结构的刚度矩阵 会 导致一个戏剧性的变化, 这与再分析 技术不太相关。 3. 拟议的方法 3.1问题阐述 我们把注意力 放 在这个文件中的工程问题, 标量 二阶偏微分方程式 (pde): .).( fauuc 许多 工程技术问题,如热,流体静磁 等 问题,可能 简化为 上述 公 式 。 作为一个 说明性 例子 ,考虑散热问题的二维 模 块 如图 2所示 。 图 2二维热座装配 热量 q从一个线圈置于下方 位置 列为 coil 。半导体装置 位于 device 。这两个地方 都属于 ,有相同的材料属性,其余 将 在 后面 讨 论 。 特别令人感兴趣的是数量,加权温度 Tdevice内 device( 见 图 2)。一个时段,认定为 slot 缩进 如图 2,会受到抑制,其对 Tdevice将予以研究。边界的时段 称为 slot 其余的界线将 称为 。边界温度 假定为零。两种可能的边界条件 slot 被认为是 :(a)固定热源,即 (-k t)n=q, (b)有 一定温度,即 T=Tslot。两种情况会导致两种不同几何分析引起的误差的结果。 设 T(x, y)是未知的温度场和 K导热。然后,散热问题可以通过泊松方程式表示 : )1()().)(00).(s lc ts lc ts lc tc oi lc oi lTTboronqhkaonTinininQTkBCP D E )2(),(),( d e v i c edycTyxHTCo m p u t e d e v ic e 其中 H(x, y)是一些加权内核。现在考虑的问题 是几何分析简化 的插槽是 简化 之前分析 ,如 图 3所示 。 图 3defeatured二维热传导 装配模块 现在有一个不同的边值问题,不同领域 t(x, y): )3(on 0t 0in Q). ( - kBCP D E c oi ls l otc oi l int )4(),(),( de v idede v ic edyxtyxHtC o m p u te 观察到的插槽的边界条件为 t(x, y)已经消失了,因为槽已经不存在了 ( 关键性变化 ) ! 解决的问题是 : 设定 tdevice和 t(x, y)的值 ,估计 Tdevice。 这是一个 较难 的问题 ,是 我们尚未解决 的 。在这篇文章中,我们将从上限和下限 分析Tdevice。这些方向是明确被俘引理 3、 4和 3、 6。至于其余的这一节,我们将发展基本概念和理论,建立这两个 引理 。值得注意的是,只要它不重叠 , 定位槽与 相关 的装置或热源没有任何限制。上下界 的 Tdevice将取决于它们的相 对位置。 3.2伴随 矩阵 方法 我们需要的第一个概念是,伴随 矩阵公式表达法 。应用伴随 矩阵 论点的微分积分方程,包括其应用的控制理论,形状优化,拓扑优化等。 我们 对这一概念归纳如下。 相关的问题都可以定义 为 一个伴随 矩阵 的问题, 控制 伴随 矩阵 t_(x, y),必须符合下列公式计算 23 : ontininHtkd e v ic es lo td e v ic e0)5(0).(* 伴随场 t_(x, y)基本上是一个预定量,即加权装置温度控制的应用热源。 可以 观察到,伴随问题的解决是复杂的原始问题 ;控制 方程是相同的 ;这些问题就是所谓的自 身伴随矩阵 。大部分工程技术问题的实 际利益,是自 身伴随矩阵 ,就很容易计算伴随 矩阵 。 另一方面, 在几何分析 问题 中 ,伴随 矩阵 发挥着关键作用 。 表现为以下引理综述 : 引理 3.1 已知和未知装置温度 的 区别,即 (Tdevice-tdevice)可以归纳为以下的边界积分比 几何分析 插槽 : s l o ts l o tdntktTdntTkttT de v ic ede v ic e).)().(* 在上述引理 中 有两点值得注意 : 1、 积分只牵涉到边界 slot; 这是令人鼓舞的。或许,处理刚刚过去的被 简化 信息特点可以计算误差。 2、 右 侧 牵涉到的未知 区 域 T(x, y)的全功能的问题。特别是第一 周期 涉及的差异,在正常的梯度,即涉及 -k(T-t) n;这是一个已知数量边界条件 -k tn所指定的时段 ,未知狄里克莱条件作出规定 -k tn可以评估。在另一方面,在第二个 周 期内涉及的差异,在这两个领域, 即 T管 ; 因为 t可以评价, 这是一个已知数量 边界条件 T指定的时段。因此。 引理 3.2、 差额 (tdevice-tdevice)不等式 dntTkdtdtTntktTanddtTdntkdntTkttTs lo ts lo ts lo td e v ic ed e v ic es lo ts lo ts lo td e v ic ed e v ic e22*22*).()()().()()().() ) .()( 然而 ,伴随 矩阵 技术不能完全消除未 知 区 域 T(x, y)。为了消除 T(x, y)我们把 重点转向单调分析。 3.3单调性分析 单调性 分析是由数学家在 19世纪和 20 世纪前建立的各种边值问题。例如,一个单调定理 : 添加几何约束到一个结构性问题,是指在位移 (某些 )边 界不减少 。 观察发现,上述理论提供了一个定性的措施 以 解决边值问题。 后来, 工程师利用 之前的 “ 计算机时代 ” 上限或下限同样的定理, 解决了 具有挑战性的问题。当然, 随着计算机时代的到来 , 这些 相当复杂的直接求解 方法已经不为人所用 。 但是 ,在当前的几何分析,我们证明这些定理采取更为有力的作用,尤其 应 当配 合使用伴随理论。 我们现在利用一些单调定理,以消除上述引理 T(x, y)。遵守先前 规定 ,右边是区别已知和未知的领域,即 T(x, y)-t(x, y)。因此,让我们在界定一个领域 E(x, y)在区域为 : e(x, y)=t(x, y)-t(x, y)。 据 悉, T(x, y)和 T(x, y)都是明确的界定,所以是 e(x, y)。事实上,从 公式 (1)和(3),我们可以推断, e(x, y)的正式满足边值问题 : slo tslo tontTeboronqnekaoneinekS o lv e)().)(00).( 解决上述问题 就能 解决 所有 问题 。 但是,如果我们能计算 区 域 e(x, y)与正常的坡度超 过插槽,以有效的方式,然后 (Tdevice-tdevice), 就 评价表示 e(X, Y)的效率,我们现在考虑在上述方程两种可能的情况 如 (a)及 (b)。 例 (a)边界条件较第一插槽,审议本案时槽原本指 定 一 个 边界条件。为了估算 e(x, y),考虑以下问题 : )6(,0),(.0).(22yxasyxeonqntknekinekS o lv e s lo ts lo t 因为只取决于缝隙,不 讨 论域,以上问题计算 较简单 。经典边界积分 /边界元方法可以 引用 。关键是计算机领域 e1(x, y)和未知领域的 e(x, y)透过 引理 3.3。这两个领域 e1(x,y)和 e(x, y)满足以下单调关系 : 222 )(m a x)() s lo ts lo t m e a s u r eedede s l o ts l o t 把 它 们综合 在一起,我们有以下结论引理。 引理 3.4 未知 的装置温度 Tdevice,当插槽具有边界条件,东至以下限额的计算,只要求 :(1)原始及伴随场 T和隔热与 几何分析 域 (2)解决 e1的一项问题涉及插槽 : dntkgdntkqtTT s l o ts l o td e v ic elo w e rd e v ic ed e v ic e 2* ).().( )(m a x)(,).().(22*s lo ts lo ts lo ts lo td e v ic eu p p e rd e v ic ed e v ic em e a s u r eedegw h e r edntkgdntkqttTTs l o t 观察到两个方向的右 侧 ,双方都是独立的未知 区 域 T(x, y)。 例 (b) 插槽 Dirichlet 边界条件 我们 假定 插槽都维持在定温 Tslot。考虑任何领域,即包含域 和 插槽。界定 一个 区域e(x, y)在满足 : )7(00).(s lots lot ontTeoneinekS l o v e 现在建立一个结果与 e-(x, y)及 e(x, y)。 引理 3.5 s lots lotdnekdnek 22 ).().( 注意到,公式 (7)的 计算较 为简单 。这 是 我们最终 要的 结果。 引理 3.6 未知 的装置温度 Tdevice,当插槽有 Dirichlet边界条件,东至以下限额的计算,只要求 :(1)原始及伴随场 T和隔热与 几何分析。 (2) 围绕插槽解决 失败 了 的 边界问题, : s lo ts lo ts lo ts lo tde v ic eup pe rde v ic ede v ic es lo ts lo ts lo ts lo tde v ic elow e rde v ic ede v ic ednekdtdtTntktTTdnekdtdtTntktTT22*22*.)()().(.)()(.( 再次观察这两个方向都是独立的未知 领域 T(x, y)。 4. 数值例子说明 我们的理论发展,在上一节中,通过数值例子。设 k = 5W/mC, Q = 105 W/m3 and H = device)Area(1。 表 1:结果表 表 1给出了不同时段的边界条件。第一装置温度栏的共同温度为所有 几何分析 模式 (这不取决于插槽边界条件 及插 槽 几何分析 )。 接下来 两栏的上下界 说明引理 3.4和 3.6。最后一栏是实际的装置温度所得的全功能模式 (前几何分析 ),是列在这里比较 前列的 。 在 全部 例子 中, 我们可以看到最后一栏则是介于第二和第三 列。 Tlowerdevuce Tdevice Tupperdevuce 对于绝缘插槽 来说, Dirichlet边界条件指出 , 观察到的各种预测为零。不同之处在于这个事实 :在第一个例子,一个零 Neumann边界条件的时段,导致一个自我平衡的特点,因此,其对装置 基本没什么影响 。另一方面,有 Dirichlet 边界条件的插槽结果在

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论