如何选购内存.doc

如何选购内存有关内存的常见技术指标接下来我们来谈谈有关内存的人们普遍关心的各种技术指标，一般包括引脚数、容量、速度、奇偶校验等。内存条通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量级别，其中64MB内存已成为当前的主流配置。内存条芯片的存取时间是内存的另一个重要指标，其单位以纳秒（ns）表示。内存条有无奇偶校验位是人们常常忽视的问题，奇偶校验对于保证数据的正确读写起到很关键的作用，尤其是在进行数据量非常大的计算中。标准型的内存条有的有校验位，有的没有；非标准的内存条均有奇偶校验位。对于SDRAM，我们必须通过至少3个参数来评估其性能的好坏。 （1）系统时钟循环周期-他表示了SDRAM能运行的最大频率。譬如：一块系统时钟频率为10ns的SDRAM的芯片，他可以运行在100MHz的频率下。绝大多数的SDRAM芯片能达到这个要求。显然，这个数字越小，SDRAM芯片所能运行的频率就越高。 对于现代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-10代表了其运行的时钟周期为10ns，他可以跑100MHz的外频。根据现代的产品数据表我们可以知道这种芯片的存取数据的时间（以下会讲到该指标）为6ns。 （2）存取时间-类似于EDO/FPM DRAM，他代表了读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6，7，8或10ns。可是千万不要和系统时钟频率所混淆。许多人都把存取时间当作这块SDRAM芯片所能跑的外频。 对于高士达（Goldstar）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-7代表了其存取时间为7ns。然而他的系统时钟频率仍然为10ns，外频为100MHz。 （3）CAS(纵向地址脉冲)反应时间-CAS的延迟时间。某些SDRAM能够运行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是说他们读取数据所延迟的时间既可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中，这样PC的BIOS会检查此项内容，并且以CL=2模式这一较快的速度运行。然而，以上三个性能指标是互相制约的。换句话说，当你有较快的存取时间，你就必须牺牲CAS latency的性能。因此，评估和比较SDRAM的性能时，我们必须综合考虑以上三个指标不能仅从芯片上所刻的-6，-7，-8或-10来评价。也就是一旦芯片厂商称其产品为PC-100。其芯片符合PC-100的标准。那幺-6，-7，-10就只是一个符号。并不说明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）为了防止人们的误解，不再用这个数据代表存取时间，而用字母表示存取时间。下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。对于100MHz的系统来说，一个系统时钟周期为10ns。粗略的计算一下：读区数据的总延迟时间=CAS Latency 延迟 + 存取时间。例如：Hyundai PC-100 SDRAM，存取时间为8ns，CL2模式。因此，总的延迟时间为 =2 x 周期 + 存取时间 =2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns如果SDRAM运行在CL3模式下，存取时间为6ns。这样，总的时间延迟为 =3 x 10 ns + 6 ns = 36 ns显然，当SDRAM运行在CL2模式下，其速度完全快于CL3模式。内存的选购市场上常见的SDRAM品牌有现代、三星、LG、NEC、东芝、西门子、TI(德州仪器)等等。购买时应注意观察芯片表面印字是否清晰，标称速度为多少以及产地。需要特别说明的是上面所说的品牌仅仅是指内存芯片，而不是整个内存条，将内存芯片封装在电路板上制成内存条的工作是由其它厂商完成的。例如著名的美国金仕顿内存只是封装其它厂商的优质内存芯片制成的，它本身并不生产内存芯片。所以，即使采用同一品牌芯片的内存条，由于封装厂商不一，质量也会存在很大差异，这可以从电路板的工艺上看出。好的电路板，外观看上去颜色均匀、表面光滑、边缘整齐无毛边，采用六层板结构且手感较重。主流的LGS内存已经被HY内存取代，虽然牌子换了，但是东西还是一样的，常见的型号是GM72V66841ET7J，是88的颗粒 。记得一年前买的内存颗粒型号是GM72V66841CT7J，和现在的内存一样。目前市场上的PC-133条子的CAS参数基本上都是3，想买真正CAS参数为2的PC133内存条还要等一段时间。KINGMAX内存和樵风）的金条也是不错的选择，是那种内存都采用专利的封装技术，所以不会碰到假货。如何选购内存有关内存的常见技术指标接下来我们来谈谈有关内存的人们普遍关心的各种技术指标，一般包括引脚数、容量、速度、奇偶校验等。内存条通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量级别，其中64MB内存已成为当前的主流配置。内存条芯片的存取时间是内存的另一个重要指标，其单位以纳秒（ns）表示。内存条有无奇偶校验位是人们常常忽视的问题，奇偶校验对于保证数据的正确读写起到很关键的作用，尤其是在进行数据量非常大的计算中。标准型的内存条有的有校验位，有的没有；非标准的内存条均有奇偶校验位。对于SDRAM，我们必须通过至少3个参数来评估其性能的好坏。 （1）系统时钟循环周期-他表示了SDRAM能运行的最大频率。譬如：一块系统时钟频率为10ns的SDRAM的芯片，他可以运行在100MHz的频率下。绝大多数的SDRAM芯片能达到这个要求。显然，这个数字越小，SDRAM芯片所能运行的频率就越高。 对于现代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-10代表了其运行的时钟周期为10ns，他可以跑100MHz的外频。根据现代的产品数据表我们可以知道这种芯片的存取数据的时间（以下会讲到该指标）为6ns。 （2）存取时间-类似于EDO/FPM DRAM，他代表了读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6，7，8或10ns。可是千万不要和系统时钟频率所混淆。许多人都把存取时间当作这块SDRAM芯片所能跑的外频。 对于高士达（Goldstar）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-7代表了其存取时间为7ns。然而他的系统时钟频率仍然为10ns，外频为100MHz。 （3）CAS(纵向地址脉冲)反应时间-CAS的延迟时间。某些SDRAM能够运行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是说他们读取数据所延迟的时间既可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中，这样PC的BIOS会检查此项内容，并且以CL=2模式这一较快的速度运行。然而，以上三个性能指标是互相制约的。换句话说，当你有较快的存取时间，你就必须牺牲CAS latency的性能。因此，评估和比较SDRAM的性能时，我们必须综合考虑以上三个指标不能仅从芯片上所刻的-6，-7，-8或-10来评价。也就是一旦芯片厂商称其产品为PC-100。其芯片符合PC-100的标准。那幺-6，-7，-10就只是一个符号。并不说明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）为了防止人们的误解，不再用这个数据代表存取时间，而用字母表示存取时间。下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。对于100MHz的系统来说，一个系统时钟周期为10ns。粗略的计算一下：读区数据的总延迟时间=CAS Latency 延迟 + 存取时间。例如：Hyundai PC-100 SDRAM，存取时间为8ns，CL2模式。因此，总的延迟时间为 =2 x 周期 + 存取时间 =2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns如果SDRAM运行在CL3模式下，存取时间为6ns。这样，总的时间延迟为 =3 x 10 ns + 6 ns = 36 ns显然，当SDRAM运行在CL2模式下，其速度完全快于CL3模式。内存的选购市场上常见的SDRAM品牌有现代、三星、LG、NEC、东芝、西门子、TI(德州仪器)等等。购买时应注意观察芯片表面印字是否清晰，标称速度为多少以及产地。需要特别说明的是上面所说的品牌仅仅是指内存芯片，而不是整个内存条，将内存芯片封装在电路板上制成内存条的工作是由其它厂商完成的。例如著名的美国金仕顿内存只是封装其它厂商的优质内存芯片制成的，它本身并不生产内存芯片。所以，即使采用同一品牌芯片的内存条，由于封装厂商不一，质量也会存在很大差异，这可以从电路板的工艺上看出。好的电路板，外观看上去颜色均匀、表面光滑、边缘整齐无毛边，采用六层板结构且手感较重。主流的LGS内存已经被HY内存取代，虽然