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文档简介

直接带隙和间接带隙间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中同一位置型半导体，型半导体。型多子空穴，型半导体多子电子施主：施主：掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供 导电的电子，并成为带正电的离子。如Si中掺的P , As, Sb 受主：受主：掺入半导体的杂质原子向半导体 中提供导电的空穴,并成为带负电的离子.如 Si中掺的Al, B, Ga, In 施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态叫施主能级受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态叫受主能级绝缘体-满带+空带，某带宽度大于5eV半导体-T=0k，满带+空带，Eg3eV，不导电 T不等于0k，在热激发下，满带上的电子跃迁到空带内，都形成非满带，导电。金属：满带+导带（不满带）1、折射率和吸收系数1）、折射率和消光系数(Extinction coefficient) 按电磁波理论，折射率定义为当0时，N是复数，称为复折射率，可记为两式相比，可知n 就是通常所说的折射率，表示真空光速c与光波在媒质中的传播速度v之比，即决定于复折射率的实部；k 称为消光系数，是一个表征光能衰减程度的参量，即光沿x方向传播时，其振幅衰减形式：看一遍就行了 吸收能量大于或等于禁带宽度的光子使电子从价带跃迁入导带的过程被称为本征吸收。 1、本征吸收过程中的能量关系 hn0是能够引起本征吸收的最低限度光子能量,称为本征吸收限。 能量与波长的换算关系式：由hk-hk=光子动量 得吸收满足动量守恒和能量守恒白光led产生途径在LED蓝光芯片上涂覆YAG（yttrium aluminum garnet，钇铝石榴石）荧光粉，芯片发出的蓝光激发荧光粉后可产生典型的500560nm的黄绿光，黄绿光再与蓝色光合成白光。RGB三基色混合。这种方法是将绿、红、蓝三种LED芯片组合，同时通电，然后将发出的绿光、红光、蓝光按一定比例混合成白光。在LED紫外光芯片上涂覆RGB荧光粉。这种方法利用紫外光激发荧光粉产生三基色光来混合形成白光。孤立原子和半导体发光的不同：孤立原子的发光是电子从电子从高能级
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