曝光机论文：曝光机 印制电路板 激光投影成像 XeF准分子激光 分辨力.doc

曝光机论文：大面积PCB投影扫描式激光曝光机的研制【中文摘要】随着电子产品对大面积、高精度成像的需求,对印制电路板的设计与制造的要求也越来越高。这也推动了PCB生产所需的曝光设备的研制。同时,对制造成本的持续压力,要求设备在满足其性能需要的同时也要降低成本。可以通过提高生产量、使用传统光致抗蚀剂等关键因素。传统的PCB曝光工具所存在的缺陷逐渐暴漏出来：基板尺寸有限、产量低、接缝误差大,精度低,效益差,成本高等等。一种新型的激光投影成像(LPI)曝光应运而生,取代了传统的汞灯曝光,采用351nm的XeF准分子激光作为其光源。并且这种曝光是用传统的光致抗蚀剂,传统的融石英玻璃掩模版。基于LPI系统理论,我们研制了激光光刻设备,只要我们调整好合适的参数,该设备能够实现在460mm610mm基板区域内大面积曝光,并达到10m的分辨力。它消除了当前光刻设备的限制。它的优势是可以在PCB制造中马上得到应用而不需要对目前的光刻胶还有光刻工艺做任何改变。该设备由四个主要的部分组成：波长为351nm、单脉冲能量为120mJ的XeF准分子激光器；数值孔径为0.02、均匀性达到5%以内的光学照明系统；数值孔径为0.025的双远心光学投影系统；控制掩模版和基板同时扫.【英文摘要】As advances in electronic products with increasing demands for higher resolution and larger area of imaging, there are greater demands on printed circuit board design and fabrication. These are also driving the need for exposure equipment for the PCB production. Simultaneously, the continued pressure on manufacturing costs requires the advances in equipment performance be coupled with lower cost of ownership through such key factors as throughput, yield and use of conventional photoresists.With the grad.【关键词】曝光机 印制电路板 激光投影成像 XeF准分子激光 分辨力【英文关键词】Exposure equipment Printed Circuit Board (PCB) Laser Projection Imaging (LPI) XeF excimer laser Resolution【索购全文】联系Q1：138113721 Q2：139938848 同时提供论文写作一对一辅导和论文发表服务.保过包发【目录】大面积PCB投影扫描式激光曝光机的研制摘要4-5Abstract5-6目录7-9Content9-11第一章 绪论11-181.1 本课题的研究背景11-131.2 传统的光学曝光技术13-161.2.1 接触式成像技术13-141.2.2 接近式成像技术14-151.2.3 步进重复成像技术151.2.4 激光直接成像技术15-161.3 LPI激光投影成像技术16-171.4 本论文的研究内容17-18第二章 整机的主要性能指标18-212.1 光刻分辨力182.2 光刻焦深18-192.3 生产效率19-202.4 小结20-21第三章 准分子激光微加工技术21-283.1 准分子激光微细加工的特点21-223.1.1 单光子能量高21-223.1.2 峰值功率高223.1.3 分辨力高223.2 准分子激光器的原理22-243.3 TOL型XeF激光器的光束质量24-263.4 小结26-28第四章 曝光机的光学系统28-374.1 光学照明系统29-344.1.1 光学设计30-314.1.2 光束的均匀性31-324.1.3 照明系统的机械制造32-344.2 光学投影系统34-364.2.1 光学设计34-354.2.2 投影系统的机械制造35-364.2.3 投影系统与照明系统的匹配364.3 小结36-37第五章 X-Y移动工作台的设计37-445.1 六角形无接缝扫描技术37-385.2 精密工作台的设计结构38-425.2.1 工作台的主要性能指标385.2.2 工作台的设计结构38-395.2.3 驱动电机的选择39-405.2.4 电控系统设计40-425.3 机械部分与光学部分的匹配42-435.4 小结43-44第六章 光刻实验及结果44-516.1 光刻工艺流程44-456.2 投影扫描曝光实