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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO LTD SOT 23 Plastic Encapsulate Transistors M8050 TRANSISTOR NPN FEATURES Power dissipation MARKING Y11 MAXIMUM RATINGS TA 25 unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage 40 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter Base Voltage 6 V IC Collector Current Continuous0 8 A PC Collector Power Dissipation 0 2 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature 55 150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb 25 unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector base breakdown voltage V BR CBO IC 100 A IE 0 40 V Collector emitter breakdown voltage V BR CEO IC 1mA IB 0 25 V Emitter base breakdown voltage V BR EBO IE 100 A IC 0 6 V Collector cut off current ICBO VCB 35V IE 0 0 1 A Collector cut off current ICEO VCE 20V IB 0 0 1 A hFE 1 VCE 1V IC 5mA 45 hFE 2 VCE 1V IC 100mA 80 300 DC current gain hFE 3 VCE 1V IC 800mA 40 Collector emitter saturation voltage VCE sat IC 800mA IB 80mA 0 5 V Base emitter saturation voltage VBE sat IC 800mA IB 80mA 1 2 V Transition frequency f T VCE 6V IC 20mA f 30MHz 150 MHz Pulse Test pulse width 300 s duty cycle 2 CLASSIFICATION OF hFE 2 Ran
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