2015-05模电中期-附答案.pdf

西安电子科技大学西安电子科技大学 考试时间考试时间 120 分钟分钟 试试 题题 题号题号 一一 二二 三三 总分总分 1 2 3 4 5 6 分数分数 1 考试形式 闭卷 考试形式 闭卷 2 本试卷共本试卷共 三三 大题 满分大题 满分 100 分 分 班级班级 学号学号 姓名姓名 任课教师任课教师 一 填空题 每空一 填空题 每空 1 分 共分 共 20 分 请填写在试题空格处 其它地方不得分 分 请填写在试题空格处 其它地方不得分 1 N 型半导体的多子是 电子 P 型半导体的多子是 空穴 2 半导体的三种重要特性是光敏性 温敏性 和 掺杂性 3 若流过二极管的电流 IQ 2mA 则其交流电阻 d r 13 4 温度升高 三级管的 UBE 减小 增大 填增大或减小 5 晶体三极管用来放大时 应使发射结处于 正向 偏置 集电结处于 反向 偏 置 6 双极型晶体三极管组成的单极放大电路中 既能放大电压 又能放大电流的是 共射 组态放大电路 可以放大电压 但不能放大电流的是 共基 组态放大 电路 只能放大电流 但不能放大电压的是 共集 组 态放大电路 输入阻抗最低的是 共基 组态放大电路 7 绝缘栅场效应场晶体管 结型场效应场晶体管和双极型晶体 管 3 种管子其输入电阻最高是 绝缘栅 FET 最低是 双 极型晶体管 8 测得放大管三个电极的直流电位分别为 U1 2 3V U2 3V U3 6V 则该晶体管为 PNP 型管 1 为基极 9 JFET 管是利用半导体 体内 场效应制作的 MOSFET 是利 图 1 用半导体 表面 场效应制作的 10 电路图如图 1 所示 已知 I Re1 Re2 则 IC2的估算公式为 212Cee IRRI 1 二 选择题二 选择题 每题每题 3 分 共分 共 15 分分 答案须填在表格内 填在别处不得分答案须填在表格内 填在别处不得分 题号题号 1 2 3 4 5 选择选择 c b b c a 1 某场效应管的转移特性曲线如图 2 所示 则该管为 管 a N 沟道增强型 MOSFET b N 沟道耗尽型 MOSFET c N 沟道 JFET d P 沟道 JFET 2 电路如图 3 所示 若原来发生了非线性失真 但在减小 b R以后 失真消失了 该失真必是 a 饱和失真 b 截止失真 c 饱和失真和截止失真都有 d 线性失真 3 由理想二极管组成的电路如图 6 所示 则输出电压是 a 15V b 10V C 2 5V D 0V 图 2 图 3 4 电路如图 5 所示 若 MOSFET 没有击穿 则该 MOSFET 工作于 a 截止区 b 可变电阻区 c 放大区 d 不确定 图 4 图 5 6 设稳压管的正向导通压降为 0V 稳压值为 6V 则下图 6 中 能够将输出限制在 6V 到 6V 之间的电路是 2 a b c d 图 6 三 分析计算题 三 分析计算题 6 道小题 道小题 65 分 只写结果不写步骤不给分 分 只写结果不写步骤不给分 1 10 分 由理想二极管组成的电路如图 7 所示 试确定各电路的输出电压 a b 图 7 解 a VD1 VD2 VD3的正向开路电压分别为 24V 18V 和 13V 故 VD1导通 6V o U 共 5 分 1 1 1 2 b 当 ui 5V VD 导通 5V O ut 2 9 分 电路如图 8 所示 设两晶体管均为硅管 且参数相同 已知40 CES 0 5VU 求下列情况下的 CE U 1 CC 20VU 1k c R 1 3V I u 2 6V I u 共 5 分 1 1 1 1 1 2 1 6V I u 其他参数和 1 相同 共 4 分 1 1 1 1 解 1 1 1 0 730 7 0 115mA 20k20 I B u I 2 2 0 760 7 0 265mA 20k20 I B u I 3 11 22 4 6mA 10 6mA CB CB II II 图 8 12 204 6 10 614 8V CECCCCC UUIIR 2 2 12 0 760 7 0 265mA 20k20 I BB u II 122 10 6mA CCB III 12 2010 6 10 611 2V CECCCCC UUIIR 管子已经进入了饱和区 UCE UCES 0 3V 3 12 分 如图 9 所示的放大器 已知 100 bb r120 求 1 CQ I和 CEQ U 各 2 分 2 i R mu A smu A 和 o R 解 1 BB 10 206 67V 1020 U b 10 206 67kR BQ 6 670 7 0 053mA 6 67 1 100 1 0 05 I CQBQ 5 3mAII 图 9 CECCCQ 0 53200 535 33 835VUUI 2 iebb BQ 26mV26 1206110 61k 0 053 hr I um 100 0 5 2 7 07 0 61 1 100 0 05 6 67 0 61 1 100 0 05 3 06k i A R i usmum si 3 06 7 07 6 85 0 1 3 06 R AA RR c 2k o RR 4 4 10 分 放大电路如图 10 所示 设管子 m 3mSg ds r 求 um A i R和 o R 本题应该是耗尽型管 如果讲期中考试题 就按照耗尽型讲 Aum 0 给满分 如果按耗尽型计算 根据对错给分 画出等效电路 3 分 放大倍数 3 分 输入输出电阻 各 2 分 如果没有画等效电路 但是算对了 就将 3 分分配到计算式中 解 moimdL 5 625 u AUUgRR ig 5MRR od 5kRR 图 10 5 16 分 图 11 为场效应管和硅三极管组成放大电路 已知场效应管的参数为 m g 0 6mS 三极管的 100 be r 1k 并已知 s R 1k g R 1M g1 R g2 R 200k d R 10k s1 R 1k s2 R 10k e R 2k L R 20k 试计算 mu A smu A i R和 o R 解 两级放大器 1 VT 为 CS 接法 源极接有电阻的共源放大器 2 VT为 CC 接法 图 11 下面的每个式子各 2 分 5 12 12 11 1 111 2 1 0 2 0 21 1M 1 1 1012 20185k 0 6 185 10 3 56 111 0 6 1 1 1012 20 1 1 1012 20 ds iggg LibeeL r m dsLmL um dsm dsSLmS eL um beeL RRRR RRrRR g r Rg R A rg rRRg R RR A rRR 2 12 0 99 1 3 560 993 52 um umumum A AAA 可以直接认为 2 1 1 3 523 52 0 001 1 1 10 1 20 1040 104k104 11 100 i usmum is dbe ooe R AA RR Rr RRR 6 8 分 已知放大器的中频电压增益40dB m u A 下限频率 L f 100Hz 上限频 率 H f 100kHz 最大不失真输出电压幅度为 10V 试问下列各种输入情况下放大器是 否会产生失