第二章三极管练习题.doc

第二章三极管练习题一、填空题：1晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。2三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结，即_和_。3.三极管是_控制器件，场效应管是 控制器件。4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用 等效电路分析法。5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是_类型管子，其中_极为集电极。6.场效应管输出特性曲线的三个区域是_、_和_。7三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是_ _和_。8场效应管同 三极管相比其输入电阻_，热稳定性_。9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是_的信号。10.三极管有放大作用的外部条件是发射结_，集电结_。11.在正常工作范围内，场效应管 极无电流12三极管按结构分为_和_两种类型，均具有两个PN结，即_和_。13.晶体三极管是一种控制器件，而场效应管是一种控制器件。 14若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于状态。 15作放大作用时，场效应管应工作在(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16晶体三极管用于放大时，应使发射极处于偏置，集电极处于偏置 。二、选择题：1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏2、三级管开作在放大区，要求（ ）A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域？（ ）A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ） A饱和区 B截止区C放大区 D击穿区5.三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作。AUCE=15V，IC=150 mA BUCE=20V，IC=80 mA CUCE=35V，IC=100 mA DUCE=10V，IC=50mA 6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7VC VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V7.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ）A均为正偏 B均为反偏 C发射结正偏，集电结反偏 D发射结反偏，集电结正偏8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID主要取决于（ ）A、栅极电流 B、栅源电压 C、漏源电压 D、栅漏电压。9.场效应管是一种（ ）器件A、电压控制 双极型 B、电压控制 单极型 C、电流控制 双极型 D、电流控制 单极型、10. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏11、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 12、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） AC UB UE B。C UB C UE D。C UE UB13下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS管 （ ） A B。 C。 D。 14、UGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 三、判断题3V3.7V3.3V(d)1、 判断图示三极管的工作状态。-1.7V-5V-1V(b)3V2V6V(c)0.7V5V0V(a)2、 判断图示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，请予改正。VCCuouiRCRBC1C2V。(b)VCCuouiRCRBC1C2V。(a)+7.5V-8V+7.1V+5V+3.2V(a)+3.5V-3V-2.3V(b)+6.9V+4V(c)+5V0V(d)3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。5.晶体三极管的C、E可以交换使用。6三极管是电压放大元件。 7处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成8、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。 9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。 10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。11、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。+7.5V-8V+7.1V+5V+3.2V (a)+3.5V-3V-2.3V (b)+6.9V+4V(c)+5V0V