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浅析晶体管原理及检测浅析晶体管原理及检测目录第一章 晶体管1.1 晶体管的特性1.2 晶体管的主要参数1.3 晶体三极管的三种工作状态1.4 晶体管安全工作区第二章 场效应晶体管2.1 场效应晶体管的工作原理2.2 场效应晶体管的特性曲线2.3 MOS场效应晶体管使用注意事项第三章 晶体管的检测3.1 晶体管材料与极性的判别3.2 晶体管性能的检测3.3 晶体三极管 - 判断好坏 简介北京燕东微电子有限公司成立于1987年，公司注册资本2.18亿元人民币，是一家专业化的半导体器件芯片设计、制造、销售的高科技企业。公司位于北京酒仙桥电子城科技园区，隶属于北京电子控股有限责任公司。燕东公司已在芯片设计制造、塑封器件制造、物业经营等多个方面开展了多方位的产业化经营。 燕东公司拥有3000平方米高标准的进化厂房，月产6英寸半导体硅芯片1.2万片，4英寸半导体硅芯片3万片，并配套设有超纯气体净化系统和高纯去离子水制备系统等完善的基础设施。公司现有10大门类，200多个品种的芯片产品提供广大客户选择。燕东公司的管理团队勇于创新，勤奋敬业，注重科学化的管理，公司目前已通过ISO9001:2000 质量管理体系认证； ISO14001 环境管理体系认证以及；OHSAS18001 职业健康与安全管理体系认证；2004年3月全公司运行ERP管理系统，2004年8月全公司实现6S管理，并应用SPC技术及FMEA技术对公司生产过程进行全面的质量控制。燕东公司凭借高品质的产品，及时迅速的供货，明确的市场定位，燕东公司的产品已经获得了良好的市场美誉度。北京燕东微电子有限公司是一家成熟而又充满活力的高新技术企业，致力于微电子产品的研发和生产。多年来，燕东公司练就了一支实力雄厚的技术队伍，为产品品质提供了有力的保障。燕东秉承自强不息、求实创新的企业精神，不断提高企业的核心竞争力，在激烈的市场竞争中保持了企业的可持续快速发展。燕东以“服务社会、回报股东、成就员工”为企业使命，为社会、为股东、为员工做出更大的贡献。 摘要：晶体管是现代所有电器的关键活动元件，它被认为是现代历史最伟大的发明之一，在重要性方面可以同印刷术、汽车、电话等相提并论。它是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩，由于它诸多的优越性，被广泛地应用于工农业生产，国防建设及我们的日常生活中，改变着我们的生活质量。 晶体管是一种固体的半导体器件，一般所说的晶体管就是指半导体二极管和三极管，但人们通常将三极管、双极二极管成为晶体管。根据PN结结构不同，分为NPN型和PNP型两种。 本文简要介绍了晶体管的特性，场效应管，及晶体管的检测方法，使其了解晶体管，识别晶体管的好坏，选用合适的晶体管使用。 关键词：特性、主要参数、场效应晶体管、检测 第一章 晶体管1.1 晶体管的特性一、晶体管的结构类型晶体管是由两个PN结构成，根据PN结连接方法的不同，晶体管分为NPN型和PNP型两种。晶体管内部有发射区、基区和集电区3个区，由3个区引出的3个电极分别叫做发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。两个PN结分别叫做发射结和集电结。在晶体管电路符号中，发射极箭头的方向表示发射结正偏时的发射极电流的实际方向，NPN型与PNP型发射极电流的方向刚好相反，两者可在应用上形成 互补。晶体管按制作材料的不同，又分为硅晶体管和锗晶体管两种。 图1晶体管的结构和图形符号 为了使晶体管具有电流放大作用，在其内部结构上还必须满足两个条件： 发射区的掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度较低，基区掺杂浓度最低；基区做得很薄。PNP型和NPN型晶体管的工作原理相同，只是在使用时电源极性联结不同而已，在图中电路符号的箭头均表示电流的实际方向。 图2晶体管的电流放大作用二、 晶体管的电流关系 晶体管各电极的电压与电流关系，构成晶体管的外部特性。由图2可知晶体管发射极电流(IE)、集电极电流(IC)和集极电流(IB)三者之间应满足IE = IC + IB （1-1） 当晶体管工作在放大状态时，集电极电流是基极电流的倍，即叫做晶体管的电流放大系数，一般近似为常数，且晶体管值不同。下面以NPN型晶体管为例来分析晶体管的电流放大原理。 为了使晶体管具有电流放大作用，在电路的联结(即外部条件)上必须使发射结加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 将一个NPN型晶体管接成如图3所示的电路。将RB和EB接在基极与发射极之间，构成了晶体管的输入回路，EB的正极接基极，负极接发射极，使发射结正向偏置。将RC和EC接在集电极与发射极之间构成输出回路，EC的正极接RC后再接集电极，负极接发射极，且ECEB，所以集电结反向偏置。输入回路与输出回路的公共端是发射极，所以此种联结方式称共射接法。 下面分析晶体管内部载流子运动与分配情况(即晶体管的电流放大作用)。 (1) 发射区向基区发射电子。 由于发射结处于正向偏置，多数载流子的扩散运动加强，发射区的多数载流子(电子)向基区扩散(称为发射)，同样，基区的多数载流子(空穴)也向发射区扩散，但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度，两者相比较可忽略基区空穴向发射区的扩散(图3中未画出)。由于两个电源EB和EC的负极接在发射极，所以发射区向基区发射的电子都可从电源得到补充，这样就形成了发射极电流IE。 (2) 电子在基区的扩散与复合。 从发射区发射到基区的电子到达基区后，由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度，所以这些电子会向集电结附近继续扩散。在扩散过程中，有小部分电子会与基区的空穴复合，由于电源EB的正极与基极相接，这些复合掉的空穴均可由EB补充，因而形成了基极电流IB。因基区做得很薄，电子在扩散过程中通过基区的时间很短，加上基区的空穴浓度很低，所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中，与基区空穴复合的机会很少，因而基极电流IB很小，大部分电子都能通过基区而达到集电结附近。 (3) 集电区收集电子从而形成集电极电流IC 。 由于集电结处于反向偏置，有利于少数载流子的漂移运动。从发射区发射到基区的电子，一旦到达基区后，就成了基区少数载流子，因而这些扩散到集电结附近的电子很容易被集电区收集而形成集电极电流IC。 从以上分析可知，从发射区发射到基区的电子中，只有很小部分与基区的电子复合而形成基极电流IB，绝大部分能通过基区并被集电区收集而形成集电极电流IC，如图3所示。因此，集电极电流IC就会比基极电流IB大得多，这就是晶体管的电流放大作用。如前所述，晶体管的基区之所以做得很薄，并且掺杂浓度远低于发射区，就是为了使集电极电流比基极电流大得多，从而实现晶体管的电流放大作用。由基尔霍夫电流定 图3 晶体管电流放大与分配的实验电路 律可知：IE = IC + IB 。 为了定量地说明晶体管的电流放大与分配关系，用图3所示的实验电路来测量这三个电流。所得数据如表1所示。 表1 晶体管的电流关系表IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 1V后的输入特性曲线与UCE =1V的基本重合，所以，通常只画出UCE1V的一条输入特性曲线。 2输出特性曲线输出特性曲线是在IB为某一常数时，输出回路中IC与UCE的关系曲线，它反映了晶体管输出回路中电压与电流的关系。其函数表达式为 (1-3) 在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线，如图6所示。 由输出特性曲线可知如下结论。 (1) IB一定时，从发射区发射到基区的电子数目大致是一定的；IB越大，从发射区发射到基区的电子数目越多，相应的IC也越大，这就是晶体管的电流控制与放大作用。 (2) 特性曲线的起始部分较陡，即在UCE很小时，只要UCE略有增加，就会使集电结的内电场得到加强，漂移运动就会迅速增加，使IC迅速加大，此时IC主要受UCE的影响，一旦UCE超过一个不大的值(约1V左右)后，集电结的内电场已经足够强了，从发射区发射到基区的电子绝大部分已被拉入集电区而形成IC，即使再加大UCE，IC也不会有明显的增加，此时的曲线比较平坦，具有恒流特性。 (3) 晶体管可以工作在输出特性曲线的三个区域内，如图6所示。 输出特性曲线的近于水平部分是放大区。晶体管工作在放大区的主要特征是：发射结正向偏置，集电结反向偏置，IC与IB间具有线性关系，即IC=IB。在放大电路中的晶体管必须工作在放大区。图6 晶体管的输出特性曲线 IB=0的曲线以下的区域称为截止区。晶体管工作在截止区的主要特征是：IB=0，IC=ICEO0(ICEO称为集电极到发射极间的穿透电流，一般很小，可以忽略不计)，相当于晶体管的三个极之间都处于断开状态。由图6-5所示的输入特性曲线可知，要使IB=0，只要UBE小于死区电压(硅管约0.5 V，锗管约0.2V)即可。但为了使晶体管可靠截止，往往使发射结反向偏置。集电结也处于反向偏置。 在输出特性曲线的左侧，IC趋于直线上升的部分，可看做是饱和区。晶体管工作在饱和区的主要特征是：UCEUBE，即集电结为正向偏置，发射结也是正向偏置；IB的变化对IC影响不大，两者不成正比，不符合 。因不同IB的各条曲线都几乎重合在一起，此时IB对IC已失去控制作用。1.2 晶体管的主要参数 晶体管的特性还可用一些参数来表示，这些参数是正确选择与使用晶体管的依据。主要参数有以下几个。 1.2.1 电流放大系数 和 (1) ，称为晶体管共射接法时的静态(直流)电流放大系数。 (2) ，称为晶体管共射接法时的动态(交流)电流放大系数。 (3) 与两者的含意是不同的，但两者的数值较为接近，今后在进行估算时，可认为 =。 1.2.2 穿透电流ICEO ICEO是指基极开路(IB=0)时，集电极到发射极间的电流。如图7所示是测量穿透电流的电路。管子的穿透电流越小越好。一般硅管的ICEO在几微安以下，锗管为几十微安到几百微安。穿透电流受温度的影响很大，温度升高会使ICEO明显增大。并且管子的值越高，ICEO也会越大，所以值大的管子温度稳定性差。 图7 测量穿透电流的电 1.2.3 集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时，值下降。当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。因此，在使用晶体管时，IC超过ICM时，管子虽不至于被烧毁，但值却下降了许多。1.2.4 集电极-发射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压，称为集电极-发射极反向击穿电压。使用时，加在集电极-发射极间的实际电压应小于此反向击穿电压，以免管子被击穿。1.2.5 集电极最大允许耗散功率PCM 因IC在流经集电结时会产生热量，使结温升高，从而会引起晶体管参数的变化，严重时导致管子烧毁。因此必须限制管子的耗散功率，在规定结温不超过允许值(锗管为7090 ，硅管为150 )时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率PCM。可在晶体管输出特性曲线上作出PCM曲线，称为功耗线，PCM = ICUCE1.3 晶体三极管的三种工作状态1.3.1截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。1.3.2放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数Ic/Ib，这时三极管处放大状态。1.3.3饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 1.4 晶体管安全工作区安全工作区是指晶体管能安全可靠地工作，并具有较长寿命的工作范围。安全工作区是由最大集电极电流，极限电压，最大功耗线和二次击穿临界线所限定的区域，图8。图8 最大功耗线由最大耗散功率，热阻，最高结温和环境温度决定。功耗线右边为功率耗散过荷区，功率过大，将产生大量热量，造成引线熔断和镍铬电阻烧毁等 二次击穿临界线由实验测定，它随改善二次击穿特别性措施的实施而逐渐靠近最大功耗线。区域二为热型二次击穿区。工作在此区内，晶体管将产生过热点，最终倒致材料局部熔化，结间产生熔融孔而永久失效3区为雪崩注入二次击穿区，是由结附近雪崩倍增区向层中非雪崩倍增区注入空穴而产生的二次击穿，若外电路无限流措施，同样会造成晶体管永久失效，四区为雪崩击穿区。三四区两区内，若采取限流措施，均不会造成晶体管永久失效，五区为电流过荷区，电流过荷将会将会使等特性严重下降，饱和压降超过允许值，晶体管性能恶化。 对于双极型晶体管，能够安全、可靠地进行工作的电流和电压范围，即称为晶体管的安全工作区（如图5示中的虚线区域）；超过此范围的电流和电压工作时晶体管即有可能发生损坏。 安全工作区由最大允许集电极电流Icm、击穿电压BVceo、晶体管最大耗散功率Pcm和二次击穿等效应来决定。1第二章 场效应晶体管场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 2.1场效应晶体管的工作原理一、结构分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成PN结过程中，由于P 区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大 二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。 1栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS0） 在图Z0123所示电路中，UGS 0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID0。 2漏源电压UGS对漏极电流ID的影响（设UGS0） 当UGS0时，显然ID0；当UDS0且尚小对，P N结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS成线性规律变化（如图Z0124曲线OA段）；若UGS再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。 由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了（如图曲线AB段），当UDS增大到等于|VP|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS （这种情况如曲线B点）：当UDS|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。 由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线BC段）。但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象（如曲线CD段）。 由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。 2.2 场效应晶体管的特性曲线 1 输出特性曲线 输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，如图Z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。 由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。 可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0UDS|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。 恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当UDS|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。 击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDSBUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。 2 转移特性曲线 当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS|VP|后，即恒流区内，ID 受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp) 式GS0127中VPUGS0，IDSS是UGS0时的漏极饱和电流。2.3 MOS场效应晶体管使用注意事项MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： 1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。 2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 3.焊接用的电烙铁必须良好接地。 4.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 5.MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。 7.MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 场效应晶体管的好坏的判断 “先用MF10型万用表R*100K挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。” 第三章 晶体管的检测 3.1 晶体管材料与极性的判别 1从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母AD表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。 日本产晶体管型号命名的第三部分用字母AD来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。 欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP型极性）。其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。 2从封装外形上识别晶体管的引脚 在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。 不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。 3用万用表判别晶体管的极性与材料 对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。 对于一般小功率晶体管，可以用万用表R100档或R1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。 在测量中会发现：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）连接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国NPN管。 也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为发射极E和集电极C。 找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。 PNP型晶体管，可以将红表笔接基极B，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。 NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极E。 通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料（区分出是硅管还是锗管）及好坏。一般锗管PN结（B、E极之间或B、C极之间）的正向电阻值为200500，反向电阻值大于100k；硅管PN结的正向电阻值为315k，反向电阻值大于500k。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。 3.2 晶体管性能的检测 1反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R1k档，NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。 正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10K（用R100档测，电阻值大于2k），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k（用R10档测）以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100k（用R10k档测），实测值一般为500k以上。 若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大；若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。 也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。 2放大能力的检测 晶体管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。 若万用表无hFE档，则也可使用万用表的R1k档来估测晶体管放大能力。测量PNP管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E，红表笔接晶体管的集电极C，再在晶体管的集电结（B、C极之间）上并接1只电阻（硅管为100k锗管为20 k），然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。 测量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的发射极E，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。 也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大能力。测量时，先将测试表的hFE/ICEO档置于hFE100档或hFE300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hFE键，再从表中读出hFE值即可。 3反向击穿电压的检测 晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V（BR）测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的V（BR）键，再从表中读出反向击穿电压值。 对于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中