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纳米抛光液与纳米级抛光液及其应用纳米级抛光液制备方法：本发明属于研磨料技术领域，由纳米级金刚石粉、非离子型分散稳定剂、抗静电剂、净洗剂、和以下轻质白油或石脑油组成，其制备方法为将纳米金刚石机械研磨成粉体，烘干；加入分散稳定剂，加热混合使粉体润湿；加入白油或石脑油，抗静电剂，净洗剂，以及适量p值调节剂，并不断搅拌，将混合物分散成悬浮液。本发明将产品的表面抛光质量提高到亚纳米量级，以适应于计算机磁头、光学器件和陶瓷等高精度表面研磨和抛光之用。 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光,通过本发明的“一步抛光工艺”,单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机,实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈,对抛光液实施分段应用,有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题;以单头抛光机代替多头抛光机,降低了设备成本;同时抛光后表面损伤少、易清洗,抛光液不腐蚀设备、不污染环境。 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液:一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡,抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下,抛光速率达200300nm/min;抛光后表面全局平坦度高,损伤较少,是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。纳米抛光液本公司有多种纳米抛光液，有纳米氧化铝抛光液、纳米氧化铈抛光液，纳米氧化锆抛光液、纳米氧化镁抛光液、纳米氧化钛抛光液、纳米氧化硅抛光液等。本系列纳米抛光液晶相稳定、硬度有高有低、适合客户各种软硬材料抛光，被广泛应用于催化剂，精密抛光，化工助剂，电子陶瓷，结构陶瓷，紫外线收剂，电池材料等领域。我公司采用先进的分散技术将纳米氧化物粉体超级分散, 形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米氧化物浆料。具有更高的活性、易加入等特性，方便顾客使用。主要用途：适合各种宝石研磨抛光、电子磁性材料的研磨抛光、普通玻璃抛光，工艺玻璃抛光，水晶玻璃抛光，单晶硅片抛光，油漆表面抛光，手机外壳抛光，汽车表面抛光，高级不锈钢外壳抛光，高级首饰品抛光以及做抛光蜡原料等。其它应用范围：1、 透明陶瓷：高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。2、 化妆品填料。3、 单晶、红宝石、蓝宝石、白宝石、钇铝石榴石。4、 高强度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、刀具、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管。5、 精密抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带。6、 涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、高级耐水材料。7、 气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料。8、 催化剂、催化载体、分析试剂。9、 汽车表面漆层、宇航飞机机翼前缘。 用量：推荐用量为15，使用者应根据不同体系经过试验决定最佳添加量。包装：10、20、25公斤/袋。纳米抛光液配方技术专题,磨料抛光液,抛光装置,机械抛光类技术资料A30473-0020-0001 高精度复合抛光液及其生产方法、用途 摘要 高精度复合抛光液及其生产方法、用途，涉及用于加工如玻璃的抛光液的生产技术领域。先将氧化铈制成氧化铈悬浮液，再加入表面带负电荷的纳米级其他氧化物摩擦材料，搅匀，将pH调至411，制成抛光液。用于如氧化硅，硅酸盐，单晶硅等含硅化合物以及其它各种氧化物或半导体或导体表面的抛光、玻璃制品表面抛光、芯片生产的绝缘氧化层的抛光、单晶硅的抛光，都具有平化抛光效率高、不损伤抛光机的特性。 A30473-0002-0002 用于化学机械抛光研磨液组合物的氧化剂 摘要 本发明公开了用于制备化学机械抛光(CMP)研磨液组合物的氧化剂及其制备方法。制备用于(CMP)研磨液组合物的氧化剂的方法包括下列步骤：通过将铁盐和5或更低的冷水混合来制备铁盐水溶液；以及通过将硅盐与所述铁盐水溶液混合并搅拌以进行硅盐的反应制备纳米合成颗粒，其中所述纳米合成颗粒为含铁的胶态硅。 A30473-0024-0003 一种纳米二氧化硅磨料抛光液的制备方法 一种纳米二氧化硅磨料抛光液的制备方法，涉及一种微晶玻璃加工用的纳米二氧化硅磨料抛光液的生产方法。先将磨料II均匀溶解于去离子水中，然后在千级净化室的环境内，在真空负压的动力下，通过质量流量计将溶解的磨料II液体输入容器罐中，与容器罐内的所需重量的磨料I进行混合并充分搅拌，混合均匀后将抛光液的其余组分加入容器罐内再继续充分搅拌，混合均匀即制备成成品抛光液。以粒径较小的水溶性二氧化硅溶胶和粒径较大的气相二氧化硅粉末混合作为磨料，既提高了磨料的分散性能，减少抛光后微晶玻璃表面划伤，而且使抛光后的微晶玻璃表面的粗糙度和波纹度降低；可以大大提高抛光速率，化学稳定性好，使用安全。 A30473-0009-0004 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液 摘要 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3，BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡，抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下，抛光速率达200300nm/min；抛光后表面全局平坦度高，损伤较少，是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。 A30473-0019-0005 2摘要 本发明涉及一种超大规模集成电路多层布线SiO2介质的纳米SiO2磨料抛光液。该抛光液的组分及重量如下：磨料：二氧化硅水溶胶固含量：20-45，复合碱：0.5-5.5，渗透剂：1.0-10，表面活性剂：1.0-10，螯合剂：0.5-10，余量：去离子水；将上述各组分逐级混合，搅拌均匀即可。该抛光液的配制主要以小粒径球形纳米无定形SiO2水溶胶作为基本磨料，利用氢氧化钾与多羟多胺有机碱形成的复合碱共同调节抛光液pH值范围至10.5-13.5，且复合碱中有效成分的水解产物能够与SiO2介质发生化学反应，抛光液中的渗透剂与FA/O表面活性剂强化抛光液的表面质量传递作用。该抛光液抛光效率高、周期短、成本低、污染小。 A30473-0007-0006 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 摘要 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。 A30473-0012-0007 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液 摘要 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP) 的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。 A30473-0025-0008 用于低碳钢纳米压入试样的抛光液 摘要 一种用于低碳钢纳米压入试样的抛光液，所述抛光液按体积百分比由下述组分组成：SiO2浓度为2035的硅溶胶3550，胺碱 0.071.1，螯合剂0.070.35，表面活性剂0.351.4，氧化剂 0.351.4，立方氮化硼CBN浓度为0.10.2的水溶液2035，助溶剂810，以及去离子水1020。本发明提供一种抛光效率高、抛光质量好且对试样无损害的用于低碳钢纳米压入试样的抛光液。 A30473-0029-0009 铈氧化物粒子的液体悬浮液和粉末、其制备方法及其在抛光中的用途 摘要 本发明涉及铈氧化物粒子的悬浮液，其中该粒子(二级粒子)具有不超过200纳米的平均尺寸，所述二级粒子由平均尺寸不超过100纳米且标准偏差值不超过所述平均尺寸值的30的初级粒子构成。这种悬浮液由包含铈IV或过氧化氢的铈III盐溶液制成，使该溶液在硝酸根离子存在下在惰性气氛中与碱接触；将由此获得的介质在惰性气氛中热处理，然后酸化和洗涤。通过该悬浮液的干燥和煅烧获得粉末。该悬浮液和粉末可用于抛光。 A30473-0021-0010 一种高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法 摘要 本发明涉及超精密加工用高纯度纳米金刚石抛光液以及该金刚石抛光液的制备方法。一种高纯度纳米金刚石抛光液，其特征在于它主要由纳米金刚石、润湿剂、表面改性剂、分散剂、化学添加剂和水原料制备而成，各原料所占重量百分比为：纳米金刚石：0.0510；润湿剂：0.012；表面改性剂：15；分散剂：0.110；化学添加剂：0.21；水：88.6998.64；各原料重量百分比之和为100；所述的润湿剂、表面改性剂、分散剂、化学添加剂分别指固含量；所述的纳米金刚石的纯度为99.9以上；粒度分布为10 200nm。本发明所制备的高纯度纳米金刚石抛光液具有稳定性良好、抛光效率高、抛光效果好的特点。 产品名称：纳米氧化铈水分散液（纳米氧化铈抛光液）关键词：纳米氧化铈抛光液 氧化铈抛光液 研磨液电解抛光液 蓝宝石抛光液 不锈钢抛光液、金属抛光液、瓷砖抛光液该纳米氧化铈抛光液分散性好，质量稳定，久置不分层不沉淀，可极大提高抛光效率和精度，生产流程不会引入金属离子。产品说明： 本品外观为白色液体，氧化铈纳米粒子平均粒径为20nm，氧化铈含量不低于30%，分散介质为去离子水，pH在9-10，0.5%-1%的悬浮稳定剂。生产流程不引入金属离子。产品应用： 1）精密仪器抛光 本品不含碱金属离子，粒径小，粘度很低，为晶体硅、LED、高精密玻璃等器件的抛光需求而研发生产。不含有害成分，除氧化铈外，悬浮剂为环保成分不会对环境和人体带来间接危害。 2）防紫外线 添加于特种涂料、遮阳伞、玻璃等便可制得防紫外线的特种产品，用于塑料中更是可以起到防老化的效果。 3）隔热功能 由于纳米氧化铈有优秀的隔热性能，本品亦是隔热涂料中不可或缺的成分。 4）催化剂 在催化剂中加入本品可明显减少贵金属用量并改善催化性能，使催化器的价格大幅下降。氧化铈还能与纳米氧化钛制成光催化剂，用于抗菌陶瓷和富氧离子环保涂料等。 “纳米抛光液产业化关键技术”项目简介 作者：张家港科 文章来源：张家港科技信息网 点击数：1571 更新时间：2006-7-21 9:52:13 随着半导体工业的飞速发展，化学机械抛光逐渐成为集成电路制造中的一项关键工艺，其中抛光液是CMP过程中重要的消耗品，长期以来国内主要硅材料厂及IC厂依赖进口，不仅价格昂贵，而且受制于人。中科院上海微系统所纳米技术研究室CMP小组开展了“纳米抛光液产业化关键技术”研究，致力于解决纳米磨料的制备技术、纳米磨料的纯化技术、抛光液配制技术、抛光液的应用技术等。结合国际CMP抛光液胶体二氧化硅的主流市场情况及我国胶体二氧化硅研究现状（粒径小且分布较宽、杂质含量高），CMP小组在国内率先解决粒径生长及纯化关键技术，采用不同的制备技术开发了不同粒径的胶体纳米研磨料：30nm，50nm，80nm，120nm等，并配制纳米抛光液。为进一步研究纳米抛光液，引进国内第一台研究型带有声学、力学在线检测的超精密抛光测试机台，开发的SIMITKFF系列抛光液，主要指标见表1，适于硅片粗抛、精抛及双面抛光等应用。1 SIMIT-KFF的主要指标研磨料粒径（nm）5070nm, 90120nm二氧化硅浓度（）30pH值10.511.0抛光速率（nm/min）单面粗抛1000单面精抛400双面精密抛光250金属离子含量100ppm