CCD工作原理.doc

CCD工作原理一个完整的CCD器件由光敏单元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。CCD工作时，在设定的积分时间内由光敏单元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏单元的电荷多少。取样结束后各光敏元电荷由转移栅转移到移位寄存器的相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。将输出信号接到示波器、图象显示器或其它信号存储、处理设备中，就可对信号再现或进行存储处理。由于CCD光敏元可做得很小（约10um），所以它的图象分辨率很高。要了解CCD的原理，必须对半导体的基本知识有一些了解，可参见附录。一CCD的MOS结构及存贮电荷原理CCD的基本单元是MOS电容器，这种电容器能存贮电荷，其结构如图1所示。以P型硅为例，在P型硅衬底上通过氧化在表面形成SiO2层，然后在SiO2 上淀积一层金属为栅极，P型硅里的多数载流子是带正电荷的空穴，少数载流子是带负电荷的电子，当金属电极上施加正电压时，其电场能够透过SiO2绝缘层对这些载流子进行排斥或吸引。于是带正电的空穴被排斥到远离电极处，剩下的带负电的少数载流子在紧靠SiO2层形成负电荷层（耗尽层），电子一旦进入由于电场作用就不能复出，故又称为电子势阱。当器件受到光照时（光可从各电极的缝隙间经过SiO2层射入，或经衬底的薄P型硅射入），光子的能量被半导体吸收，产生电子-空穴对，这时出现的电子被吸引存贮在势阱中，这些电子是可以传导的。光越强，势阱中收集的电子越多，光弱则反之，这样就把光的强弱变成电荷的数量，实现了光与电的转换，而势阱中收集的电子处于存贮状态即使停止光照一定时间内也不会损失，这就实现了对光照的记忆。金属氧化物少数载流子耗尽区PSi（a）电子静电位能表面势信号电荷势阱（b）图1 CCD结构和工作原理图(a)用作少数载流子贮存单元的MOS电容器剖面图 (b)有信号电荷的势阱，图上用阱底的液体代表总之，上述结构实质上是个微小的MOS电容，用它构成象素，既可“感光”又可留下“潜影”，感光作用是靠光强产生的电子电荷积累，潜影是各个象素留在各个电容里的电荷不等而形成的，若能设法把各个电容里的电荷依次传送到输出端，再组成行和帧并经过“显影”就实现了图象的传递。二电荷的转移与传输CCD的移位寄存器是一列排列紧密的MOS电容器，它的表面由不透光的铝层覆盖，以实现光屏蔽。由上面讨论可知，MOS电容器上的电压愈高，产生的势阱愈深，当外加电压一定，势阱深度随阱中的电荷量增加而线性减小。利用这一特性，通过控制相邻MOS电容器栅极电压高低来调节势阱深浅。制造时将MOS电容紧密排列，使相邻的MOS电容势阱相互“沟通”。认为相邻MOS电容两电极之间的间隙足够小（目前工艺可做到0.2m），在信号电荷自感生电场的库仑力推动下，就可使信号电荷由浅处流向深处，实现信号电荷转移。为了保证信号电荷按确定路线转移，通常MOS电容阵列栅极上所加电压脉冲为严格满足相位要求的二相、三相或四相系统的时钟脉冲。下面我们分别介绍三相和二相CCD结构及工作原理。1.三相CCD传输原理简单的三相CCD结构如图2所示。每一级也叫一个像元，有三个相邻电极，每隔两个电极的所有电极（如1、4、7，2、5、8，3、6、9）都接在一起，由3个相位相差1200 的时钟脉冲1、2、3来驱动，故称三相CCD，图2（a）为断面图；图（b）为俯视图；图（d）给出了三相时钟之间的变化。在时刻t1,第一相时钟1处于高电压，2、3处于低压。这时第一组电极1、4、7下面形成深势阱，在这些势阱中可以贮存信号电荷形成“电荷包”，如图（c）所示。在t2时刻1电压线性减少，2为高电压，在第一组电极下的势阱变浅，而第二组（2、5、8）电极下形成深势阱，信息电荷从第一组电极下面向第二组转移，直到t3时刻，2为高压，1、3为低压，信息电荷全部转移到第二组电极下面。重复上述类似过程，信息电荷可从2转移到3，然后从3转移到1电极下的势阱中，当三相时钟电压循环一个时钟周期时，电荷包向右转移一级（一个像元），依次类推，信号电荷一直由电极1、2、3N向右移，直到输出。图2 三相CCD传输原理图 (a)(b)t1t2t3(c)(d)t1 t2 t3 t42二相CCD传输原理 CCD中的电荷定向转移是靠势阱的非对称性实现的.在三相CCD 中是靠时钟脉冲的时序控制,来形成非对称势阱.但采用不对称的电极结构也可以引进不对称势势阱,从而变成二相驱动的CCD.目前实用CCD中多采用二相结构.实现二相驱动的方案有: 阶梯氧化层电极 阶梯氧化层电极结构参见图3。由图可见,此结构中将一个电极分成二部分,其左边部分电极下的氧化层比右边的厚,则在同一电压下,左边电极下的位阱浅,自动起到了阻挡信号倒流的作用. 设置势垒注入区(图4) 对于给定的栅压, 位阱深度是掺杂浓度的函数.掺杂浓度高,则位阱浅.采用离子注入技术使转移电极前沿下衬底浓度高于别处，则该处位阱就较浅,任何电荷包都将只向位阱的后沿方向移动。（a）结构示意 (b)驱动脉冲 图3采用阶梯氧化层电极形成的二相结构 图4采用势垒注入区形成二相结构三电荷读出方法 CCD的信号电荷读出方法有两种:输出二极管电流法和浮置栅MOS放大器电压法.2 3 1 2 3 OGURLP Si(a)3 OG RSiO2浮置扩散结P SiRDRDURRODAOGlokRLOSODUOMOS输出管（b）U0 I0OS图5电荷读出方法（a）输出二极管电流法 (b)浮置栅MOS放大器电压法 (c)输出级原理电路SiO2 图5(a)是在线列阵未端衬底上扩散形成输出二极管,当二极管加反向偏置时,在PN结区产生耗尽层。当信号电荷通过输出栅OG转移到二极管耗尽区时,将作为二极管的少数载流子而形成反向电流输出。输出电流的大小与信息电荷大小成正比,并通过负载电阻RL变为信号电压U0输出. 图5(b)是一种浮置栅MOS放大器读取信息电荷的方法.MOS放大器实际是一个源极跟随器,其栅极由浮置扩散结收集到的信号电荷控制,所以源极输出随信号电荷变化.为了接收下一个“电荷包”的到来,必须将浮置栅的电压恢复到初始状态,故在MOS输出管栅极上加一个MOS复位管。在复位管栅极上加复位脉冲R,使复位管开启,将信号电荷抽走,使浮置扩散结复位.图5(c)为输出级原理电路,由于采用硅栅工艺制作浮置栅输出管,可使栅极等效电容C很小。如果电荷包的电荷为Q,A点等效电容为C,输出电压为U0，A点的电位变化U=,因而可以得到比较大的输出信号,起到放大器的作用,称为浮置栅MOS放大器电压法。图7为TCD 1206UD（注：这里的CCD型号与我们实验中用的稍有不同，但原理都一样）的结构示意图，它为一双通道二相驱动的线阵CCD器件，共有2160个光敏元。奇数光敏元与其中一列移位寄存器相连，偶数光敏元与另一列移位寄存器相连。移位寄存器的像元数量与光敏光相同，相邻像元中的一个与光敏元相连，并接脉冲，另一个不直接与光敏元连接，接脉冲，如图4所示。 图8为各路脉冲的波形图。 SH信号加在转移栅上。当SH为高电平时，正值1为高电平。移位寄存器中的所有1电极下均形成深势阱，同时SH的高电平使光敏元MOS电容存储势阱与1电极下的深势阱沟通，光敏MOS电容中的信号电荷包迅速向上下两列移位寄存器中与1连接的MOS电容转移。SH为低电平时，光敏元与移位寄存器的连接中断，此时光敏元在外界光照作用下产生与光照对应的电荷，而移位寄存器中的信号电荷在12时钟脉冲作用下由右向左转移，在输出端将上下两列信号按原光敏元采集的顺序合为一列后，由输出端输出。光敏元元图7 TCD1206UD结构示意图（补偿输出）电源 由于结构上的安排，输出电路首先输出13个虚设单元的暗信号，再输出51个暗信号，接着输出2160个有效信号，之后再输出10个暗电流信号，接下去输出两个奇偶检测信号，然后可输出多余的暗电流信号。由于该器件为双列并行传输的器件，所以在一个SH周期中至少要有1117个1 脉冲，即TSH1117T1。 2脉冲与1脉冲互为反相，即1高电平时2为低电平，1为低电平时2为高电平。 R为复位信号，对于双通道器件而言，它的周期是12的一半，即在一个12脉冲周期内有两个R脉冲，且R的下降沿稍超前12的变化前沿。 SP为像元同步脉冲，C为行同步脉冲，用作CCD与其它信号存储、处理设备连接时作同步信号。U0为输出信号。 （1） （1） 图8 各路脉冲波形图半导体的基本知识一、什么是半导体？在日常生活和生产实践中，大家都知道，银、铜、铝、铁等金属材料是很容易导电的，叫做导体；而塑料、陶瓷、橡皮、石英玻璃等却很不容易导电，尽管加很高的电压，仍然基本上没有电流，通常称为电的绝缘体。半导体的导电性能则介于导体和绝缘体之间。为什么会出现有的物质容易导电，有的物质不容易导电这种现象呢？根本原因在于事物内部的特性，在于物质内部原子与原子结合的方式以及原子本身的结构，看其内部运载电荷的粒子（叫做载流子）的多少和运动速度的快慢。我们知道原子是由带正电的原子核和带负电的电子组成的，电子分几层围绕原子核作不停的运动。比较起来，金属材料的外层电子受原子核的束缚力最小，因此有大量电子能够挣脱原子核的束缚而成为自由电子。这些自由电子就成为运载电荷的载流子，它们在外电场的作用下作定向运动而形成电流。所以金属的导电性能良好。绝缘材料中，原子的外层电子受原子核的束缚力很大，很不容易挣脱出来，因此形成自由电子的机会非常小。绝缘材料原子结构的这一特点决定了它的导电性能很差。半导体材料的原子结构比较特殊，其外层电子既不象导体那样容易挣脱，也不象绝缘体那样束缚很紧，这就决定了它的导电特性介于导体和绝缘体之间。二、半导体中的另一种载流子空穴在半导体中不仅有电子这样的载流子，而且还有另一种载流子空穴。那么什么叫空穴呢？首先让我们来看半导体材料硅和锗的原子结构，如图1所示。它们的特点是最外层的电子都是四个。通常，原子的外层电子叫做价电子，有几个价电子就叫几价元素，所以硅和锗都是四价元素。图1当硅、锗等半导体材料制成单晶体时，其原子排列就由杂乱无章的状态变成了非常整齐的状态。其中，原子之间的距离都是相等的，约为2.35104微米。每个原子最外层的四个电子，不仅受自身原子核的束缚，而且还与周围相邻的四个原子发生联系。这时，每两个相邻的原子之间都共有一对电子。电子对中的任何一个电子，一方面围绕自身原子核运动，另一方面也时常出现在相邻的原子所属的轨道上，这样的组合叫做共价键结构，如图2(a)中所示。（a）硅单晶共价键结构 (b)热运动产生的电子空穴对图1由原子理论和实践可以知道，每个原子的外层有八个电子属于比较稳定的状态，但是硅、锗的共价键结构的特点是它们的外层共有电子所受到的束缚力并不象在绝缘体里那样紧，在一定的温度下，由于热运动，其中少数电子还是可能挣脱束缚而成为自由电子，形成为电子载流子。值得注意的是，共有电子在挣脱束缚成为自由电子后，同时留下了一个空位，见图2（b）。有了这样一个空位，附近的共有电子就很容易来进行填补，从而形成共有电子的运动。这种运动，无论是效果上还是现象上，都好象一个带正电荷的空位子在移动。为了区别于自由电子的运动，就把这种运动叫做“空穴”运动，空位子叫做“空穴”。打个通俗的比方，好比大家坐在一起看节目，如果前面走了人出现一个空位，后面的人递补空位向前坐，看起来就好象是空位子在向后运动一样。显然，这种空位的移动同没有座位的人到处走动不一样，后者好比是自由电子的运动，而有座位的人依次递补空位的走动则好比是空穴运动。由此可见，空穴也是一种载流子。当半导体处于外加电压作用之下，通过它的电流可以看作是由两部分组成：一部分是自由电子进行定向运动所形成的电子电流，另一部分是共有电子递补空穴所形成的空穴电流。它们的区别是，电子电流是带负电的电子的定向运动，而空穴（由于它的运动方向和电子相反）电流是带正电的空穴的定向运动。所以，在半导体中，不仅有电子载流子，而且还有空穴载流子，这是半导体导电的一个重要特性。由于物质总是在不停地运动着，这就使得半导体里因为热运动而不断产生自由电子，同时则出现相应数量的空穴。因此，电子和空穴总是相伴而生、成对出现的，我们称之为电子-空穴对。另一方面，自由电子在运动中又会与空穴重新结合而消失，这是一种相反的过程，我们叫做复合。电子-空穴对又产生，又复合，这就是半导体里不断进行着的一对矛盾。在一定温度条件下，这对矛盾可以实现相对的平衡，这时，产生和复合的过程虽然仍在继续不断地进行，但电子-空穴对却始终维持一定的数目。三、P型和N型半导体上面分析的是纯单晶半导体，在这种半导体里，虽然多了一种空穴载流子，但是，载流子的总数离开实际应用的要求，也就是从具有良好导电能力的要求来看，还相差很远，所以其本身用处不大。半导体技术之所以能够这样迅速地发展，主要是由于人们能够精确地控制半导体的电学特性，而所用的方法就是在纯单晶半导体中掺入有用的杂质，使其导电特性得到很大的改善，因而获得了重要的用途。例如，硅单晶中掺入少量的硼，就使半导体中空穴载流子的数目剧增，导电特性大为加强。这是什么道理呢？让我们来观察图3（a），它是掺入的硼原子与硅原子组成共价键结构