华中科技大学半导体物理习题及解答.pdf

5 1 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 5 2 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 例 题 5 3 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 5 4 0 例 题 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 315 A0 cm10 Np 35 15 210 0 2 i 0 cm1025 2 10 105 1 p n n x exnxp 200017 10 xx eepxp 20001715200017 0 101010 xx eenxn 2000175200017 0 101025 210 解 解 1 平衡态时 平衡态时 又因为非平衡载流子浓度又因为非平衡载流子浓度 所以非平衡态时 所以非平衡态时 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 可见 注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度还要大 可见 注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度还要大 即不满足即不满足p型半导体的小注入条件型半导体的小注入条件 且且 3171715 cm1001 11010 0 p 317175 cm10101025 2 0 n 99 0 0 0 p n 315 0 317 cm10 cm10 p pn 0 pn 0 pp 2 x 0处处 所以所以 3 此时 此时 因此 此时为大注入情况 因此 此时为大注入情况 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 例 题 5 5 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 scm 7 4180026 0 2 p 0 p q Tk D scm 13500026 0 2 n 0 n q Tk D 首先根据爱因斯坦关系式 求得各区少子的扩散系数分别为首先根据爱因斯坦关系式 求得各区少子的扩散系数分别为 解 解 n 区空穴 区空穴 p 区电子 区电子 cm 102 27 4101 36 ppp DL cm 106 313101 36 nnn DL 进而可计算各区少子扩散长度分别为进而可计算各区少子扩散长度分别为 n 区空穴 区空穴 p 区电子 区电子 cm 1 1025 2 10 105 1 34 16 210 D 2 i 0n N n p cm 1 45 105 105 1 3 18 210 A 2 i 0p N n n 另一方面 各区少子浓度可分别计算为另一方面 各区少子浓度可分别计算为 n 区空穴 区空穴 p 区电子 区电子 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 A cm 107 7 102 2 7 41025 2 106 3 1345 106 1 212 3 4 3 19 p p0n n n0p s L Dp L Dn qJ所以所以 V 61 0 1 107 7 1 0 ln 026 0 1ln 12 s 0 J J q Tk V 1exp 0 s Tk qV JJ A cm 1 0 A c