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数字电子技术基础习题参考答案宁波大学科技学院2006-11习题一参考答案1.1 略。1.2 正逻辑用“1”表示逻辑真，“0”表示逻辑假；而负逻辑则相反。因此正逻辑表达式，用负逻辑时其表达式为。1.3 11.375。1.4 (168) D=(10101000)B=(250)O=(A8)H；(19.85) D=(10011.11011001)B=(23.663)O=(13.D9)H。1.5 (0.62) D=(0.1001) B。1.6 (139)D=(000100111001)8421BCD； (69.74) D=(01101001.01110100) 8421BCD。1.7 1.8 略。1.9 证（1）左式=右式（）。（2）左式= =右式。（3）左式= =右式。（4）左式= =右式。1.10 解：（1）（2）（3）（4）（5）（6） （7） =（8）（9） =（10） =1.11 解：逻辑函数化为最小项表达式，可以用配项法，也可以用卡诺图法，还可以先写出最小项对应的二进制数，然后写出最小项。（1）配项：（2）卡诺图：卡诺图如右，得：（3）根据逻辑函数表达式，与项A应具有100，101，111三个最小项；与项BC具有011，111两个最小项，合并得最后最小项同上。根据逻辑函数最大项与最小项的关系，得：1.12 解：卡诺图如下： 1.13 解：画出各函数的卡诺图及卡诺圈如下，可得最简与或表达式。（1）Y=1（2）Y=1（3）（4）（5）（6）1.14解：画出各函数的卡诺图及卡诺圈如下，由卡诺图可得最简与或表达式。题解1.14 卡诺图（1）（2）（3）（4）（5）1.15 解：利用对偶法则及卡诺图（见上图）得：所以或与表达式为：；与或表达式为： 1.16 解：A门低电平噪声容限 VNLVOFFA-VOL（max）1.1V- VOL（max） A门高电平噪声容限 VNHVOH（min）-VONAVOH（min）-1.3V B门低电平噪声容限 VNLVOFFB-VOL（max）0.9V- VOL（max） B门高电平噪声容限 VNHVOH（min）-VONBVOH（min）-1.7V可见无论高电平噪声容限还是低电平噪声容限，A门均比B门大，因此A门的抗干扰能力强。1.17解：当驱动门输出高电平时，N1应满足： 当驱动门输出低电平时，N2应满足：；因此，扇出系数（能驱动逻辑门个数）为N=10。图T1.1 题1.17图 图T1.2 题1.18图1.18解：（1）G1工作在高电平，G2工作在低电平时发光二极管可能发光。 （2）集电极电流为：，根据ID=510mA，得RC=240480（VCC取5V）； （3）如果RC=300，则基极电阻RB的取值范围为：，即：。1.19 解：如图。表T1.2 题1.19表A端+5V悬空接地C端+5V悬空接地IA50A0V-0.75mAIC50A0V-1.5mAIB-1.5mA
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