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文档简介

1. 如图1所示，为NMOS、PMOS器件，源、栅、漏三端器件，对于下面给出的条件确定每种情况下的工作模式并计算ID 的值。晶体管参数：NMOS: kn = 115A/V2, VT0 = 0.43 V, = 0.06 V-1；PMOS: kp = 30A/V2, VT0 = 0.4 V, = -0.1 V-1. 假设 (W/L) = 1.a. NMOS: VGS = 2.5 V, VDS = 2.5 V； PMOS: VGS = 0.5 V, VDS = 1.25 V.b. NMOS: VGS = 3.3 V, VDS = 2.2 V； PMOS: VGS = 2.5 V, VDS = 1.8 V.c. NMOS: VGS = 0.6 V, VDS = 0.1 V； PMOS: VGS = 2.5 V, VDS = 0.7 V. 图1 NMOS、PMOS器件2. 对于短沟道NMOS器件测量所得数据如表1所列，已知该晶体管的参数VDSAT=0.6V、k = 100A/V2，计算 VT0, 、2|f| 以及 W / L的值。表1VGSVDSVSBID（A）12.51.801812221.801297322.501361421.8-11146521.8-210393. 根据表2推出器件的重要参数，根据材料，已确定。a. 根据测量数据确定该晶体管为NMOS/PMOS器件，作出合理解释.b. 求解VT0, 、c. 根据上述分析，确定晶体管的工作区（截至区、线性区、饱和区、速度饱和），填入表中。表2 速度饱和电压VDSAT=-1V，-2f=-0.6VVGSVDSVBSID（A）工作区1-2.5-2.50-84.375211003-0.7-0.80-1.044-2.0-2.50-56.255-2.5-2.5-1-726-2.5-1.50-80.6257-2.5-0.80-66.564. 将一个NMOS器件如图2所示放入测试配置装置，输入电压为Vin=2V，电流源为固定电流50A，R为一个可变电阻，在10k 和 30 k之间变化，M1有短沟道效应，具体已知参数：k = 110*10-6 V/A2，VT = 0.4，VDSAT = 0.6V，W/L = 2.5/0.25，为了简单起见，体效应和沟道长度调制忽略，即=0, =0。 图2. 测试配置装置a. 当R=10k时，晶体管所处的工作区，求解VD 和 VS.b. 当R=30k时
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