200256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1).doc

128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-3）。验证后门访问键命令不能执行，从Flash块 其中比较关键的后门，以避免代码失控。 表19-51。验证后门访问键命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x0C不需要 001键0 010重点1 011重点2 100关键3 陈叶冯结算后推出验证后门访问键的命令，将内存控制器 检查FSEC KEYEN位，以确认此命令是启用的。如果没有启用，内存控制器设置在命令fstat登记ACCERR位和终止。如果该命令已启用，内存控制器比较了FCCOB提供给在Flash后门比较关键的关键 配置与关键0比0x7F_FF00领域，如果后门钥匙匹配，安全性等将被释放。如果后门密钥不匹配，安全是没有公布和所有未来的尝试执行验证后门访问键的命令是流产（设置ACCERR直到复位发生）。陈叶冯标志的 验证后，后门访问键的运作，已完成。 表19-52。验证后门访问键命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 100 at命令启动 如果设置了不正确的，关键是提供后门 如果设置后门的主要通道尚未启用（KEYEN 1:0 = 10，见 第19.3.2.2） 如果设置后门关键自上次重置匹配 FPVIOL无 MGSTAT1无 MGSTAT0无 19.4.2.12设置用户保证金水平命令 在设置用户保证金水平命令使内存控制器为今后的读取操作的一个具体的P -闪光或D闪光块保证金水平。 表19-53。设置用户保证金水平命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 字符0x0D全球地址22:16确定 闪存块 001保证金水平设定 S12XS系列参考手册，修订版1.09 596飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 陈叶冯结算后推出设置用户保证金水平命令，内存控制器将设置 用户为目标块保证金水平，然后设置陈叶冯标志。 有效利润率为设置用户保证金水平指挥级别设置的定义如表19-54。 表19-54。有效设置用户保证金水平设定 CCOB （CCOBIX = 001） 级别描述 0x0000返回到正常水平 0x0001用户保证金- 1 1级 0x0002用户保证金- 0 2级 1阅读保证金的擦除状态 2阅读保证金的编程状态 表19-55。设置用户保证金水平命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 001 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表19-28） 如果设置了无效的全局地址22:16是供应 如果设置无效的保证金水平设置供应 FPVIOL无 MGSTAT1无 MGSTAT0无 注意 用户保证金水平可以用来检查快闪记忆体的内容有足够的利润正常水平读操作。如果遇到意外的结果时，检查用户的盈利水平在快闪记忆体的内容，信息的潜在损失已被侦破。 19.4.2.13场保证金水平设置命令 设置现场指挥保证金水平，在特殊模式才有效，导致记忆体控制器来设置保证金水平，为今后的读取操作的一个具体的P -闪光或D闪光块中指定。 表19-56。设置现场指挥部FCCOB保证金水平的要求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x0E全球地址22:16，以确定闪存块 001保证金水平设定 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体597 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 陈叶冯结算后推出SET域保证金水平命令，内存控制器将设置 领域内的目标块保证金水平，然后设置陈叶冯标志。有效保证金设置级别的设置 外地保证金水平命令的定义如表19-57。 表19-57。有效设置字段保证金水平设定 CCOB （CCOBIX = 001） 级别描述 0x0000返回到正常水平 0x0001用户保证金- 1 1级 0x0002用户保证金- 0 2级 0x0003场保证金- 1 1级 0x0004场保证金- 0 2级 1阅读保证金的擦除状态 2阅读保证金的编程状态 表19-58。外地保证金水平设置命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 001 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表19-28） 如果设置了无效的全局地址22:16是供应 如果设置无效的保证金水平设置供应 FPVIOL无 MGSTAT1无 MGSTAT0无 警告 外地保证金水平必须只能验证过程中使用的初始工厂编程。 注意 外地保证金水平可以用来检查闪存内容已在正常水平设置数据保留足够的余量。如果遇到意外的结果在实地检查时，保证金水平闪存内容，快闪记忆体内容应该删除和重新编程。 19.4.2.14擦除验证闪光组命令 在擦除验证闪光科命令将验证在D区的代码闪光被删除。那个 擦除验证闪光组命令定义数据的出发点，以核实和数字 字。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 598飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-59。擦除验证闪光组命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x10全球地址22:16确定为D -闪光块 001全球地址15:0的第一个词得到验证 010字人数核实 陈叶冯结算后推出清除验证闪光组命令，将内存控制器 确认选定的D节闪存被删除。陈叶冯旗将在后成立的擦除验证 闪光科操作已经完成。 表19-60。擦除验证闪光组命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 010 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表19-28） 如果设置了无效的全局地址22时是供应 如果一个错位设置字地址是提供（全局地址0 = 0） 如果被请求的设置部分违反的D年底闪光块 FPVIOL无 MGSTAT1集，如果有任何错误，在读期间所遇到的 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误，已经在读中遇到 19.4.2.15程序D - Flash命令 该程序D闪光行动计划之一的D四个先前抹去字闪光块。该程序D闪光操作将确认目标位置（S）的成功在完成编程。 警告 阿闪光字，必须在被删除前的状态正在制定方案。比特内累积编程闪存词是不允许的。 表19-61。程序D - Flash命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x11全球地址22:16确定为D -闪光块 001全球地址15:0的字进行编程 010计划的价值字0 011字1计划的价值，如果需要的话 100字2计划的价值，如果需要的话 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体599 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-61。程序D - Flash命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 101字3项目的价值，如果需要的话 陈叶冯结算后启动程序D -的用户Flash命令提供的话将被转移 对内存控制器进行编程和地区，如果没有保护措施。在程序D CCOBIX指数值闪光指挥发射确定有多少话将进行编程了D -闪光块。在陈叶冯会计师标志设置时，操作完成。 表19-62。程序D - Flash命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0“在指挥发射010 设置如果CCOBIX 2:0“在指挥发射101 如果不设置命令可在当前模式（见表19-28） 如果设置了无效的全局地址22时是供应 如果一个错位设置字地址是提供（全局地址0 = 0） 设置如果违反要求的组字的D年底闪光块 FPVIOL设置如果所选区域的D -快闪记忆体保护 MGSTAT1设置任何错误，如果已在运行中遇到的核实 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的 19.4.2.16擦除闪光部门命令 在擦除闪光部门操作将擦除在D部门的闪光块的所有地址。 表19-63。擦除闪光部门命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x12全球地址22:16确定 闪光块 001全球地址15:0内的任何地方部门被删除。见D组19.1.2.2闪光部门的规模。 陈叶冯结算后推出擦除闪光部门命令，内存控制器将删除 选定的闪存部门和验证它删除。陈叶冯旗将在后成立的擦除闪光部门操作已经完成。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 600飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 表19-64。擦除闪光部门命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 001 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表19-28） 如果设置了无效的全局地址22时是供应 如果一个错位设置字地址是提供（全局地址0 = 0） FPVIOL设置如果所选区域的D -快闪记忆体保护 MGSTAT1设置任何错误，如果已在运行中遇到的核实 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的 19.4.3中断 该闪存模块可以产生一个中断时，闪光指挥作业已经完成或当 闪光指挥作业已检测到ECC的故障。 表19-65。闪光中断源 中断源 中断标志 本地启用全球率（Ccr）面膜 陈叶冯闪光指令完成 （命令fstat寄存器）思科认证网络专家 （FCNFG注册）我位 ECC的双击闪存读取DFDIF位故障 （FERSTAT寄存器）DFDIE （FERCNFG注册）我位 ECC的单一的闪存读取SFDIF位故障 （FERSTAT寄存器）SFDIE （FERCNFG注册）我位 注意 向量地址和其相对中断优先级的确定 微控制器的水平。 19.4.3.1描述的Flash中断运行 该闪存模块使用结合思科认证网络专家中断使能位产生的陈叶冯旗 闪光指挥中断请求。该闪存模块结合使用的DFDIF和SFDIF旗的 在DFDIE和SFDIE中断使能位来生成的Flash错误中断请求。对于登记册涉及的位详细说明，请参阅第19.3.2.5，“闪光配置寄存器 （FCNFG）“，第19.3.2.6，”闪光错误配置寄存器（FERCNFG）“，第19.3.2.7，”闪光 状态寄存器（命令fstat）“，和第19.3.2.8，”闪光错误状态寄存器（FERSTAT）“。产生中断的Flash模块使用的逻辑如图19-27。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体601 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 思科认证网络专家 陈叶冯 Flash命令中断请求 DFDIE DFDIF 闪存错误中断请求 SFDIE SFDIF 图19-27。闪存模块中断的执行情况 19.4.4等待模式 该闪存模块不受影响如果MCU进入等待模式。该闪存模块可以收回的微控制器 等待通过的陈叶冯中断（见第19.4.3，“中断”）。 19.4.5停止模式 如果一个闪光的命令处于活动状态（陈叶冯会计师= 0）当MCU请求停止模式，当前的Flash操作将在CPU之前完成，不得进入停止模式。 19.5安全 该闪存模块提供安全信息的微控制器。闪光安全状态的定义是由美国证券交易委员会登记FSEC位（见表19-10）。在复位时，闪存模块初始化寄存器使用数据从Flash配置领域的安全字节读取全局地址FSEC 0x7F_FF0F。 在脱离复位的安全状态，可永久性地改变通过编程的Flash配置领域的安全字节。这里假设您是从模式开始在有必要的P -闪存擦除和编程命令可用，并在区域上的P - Flash是保护。如果Flash安全字节编程成功，它的新价值，将在下次MCU的复位的影响。 下面的小节描述了这些与安全相关的主题： Unsecuring使用后门MCU的重要通道 Unsecuring在专用单芯片模式单片机使用BDM 模式与安全对Flash命令可用性 19.5.1 Unsecuring使用后门MCU的重要通道 微控制器可以通过抵押后门关键网络接入功能，需要的后门钥匙（4个16的地址0x7F_FF00 - 0x7F_FF07编程位字的内容，知识）。如果 在KEYEN 1:0位在启用状态（见第19.3.2.2），验证后门访问键命令（见第19.4.2.11）允许用户现有的四个比较准键 S12XS系列参考手册，修订版1.09 602飞思卡尔半导体 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 密钥存储在闪存通过内存控制器。如果在检查中提出的后门钥匙 访问键命令匹配闪存存储后门钥匙，在美国证券交易委员会的FSEC位 寄存器（见表19-10）将改为不安全的微控制器。在0x0000和0xFFFF键值 不得作为后门钥匙。虽然验证后门访问键命令是积极的，个P -闪光块 0将无法进行读访问，将返回无效数据。 用户代码存储在P -快闪记忆体必须有一个接收来自外部刺激的后门密钥的方法。外部刺激，这通常是通过一个片上串行端口。 如果KEYEN 1:0位在启用状态（见第19.3.2.2），微控制器可以通过后门进入所述的关键序列无抵押： 1。遵循验证后门访问键命令的命令序列的解释 第19.4.2.11 2。如果验证后门访问键命令成功，微控制器和抵押 在美国证券交易委员会注册的FSEC 1:0位是被迫的10不安全状态 验证后门访问键命令监察内存控制器和非法关键将禁止验证后门访问键命令将来使用。阿MCU的复位是唯一的方法 重新启用验证后门访问键的命令。 后门钥匙后，已正确匹配，MCU将被抵押。微控制器后，无抵押，该部门包含Flash安全字节可擦除和安全字节的闪存，可重新编程的不安全状态，如果需要的话。 在不安全的状态，用户对通过编程的后门项的内容完全控制地址的Flash配置方面0x7F_FF00 - 0x7F_FF07。 作为在Flash安全字节（0x7F_FF0F）定义的安全是没有改变通过验证 后门访问键的命令序列。在处理存储的后门钥匙 0x7F_FF00 - 0x7F_FF07不会受到验证后门访问键的命令序列。后微控制器的闪存模块，安全状态下复位是由Flash安全字节 （0x7F_FF0F）。验证后门访问键的命令序列不会对项目的影响和擦除的闪存保护登记，FPROT定义的保护。 19.5.2 Unsecuring在专用单芯片模式单片机使用BDM 微控制器可以在特殊的无担保的单芯片模式，擦除由下列方法之一的P -闪光和D -快闪记忆体： 单片机复位到特殊的单芯片模式，拖延而擦除试验是由双目显示模组，发送BDM命令来禁用保护的P -闪光和D -快闪记忆体，并执行所有块擦除命令写入顺序擦除的P -闪光和D -快闪记忆体。 复位单片机的特殊扩展到广泛的模式，在P禁用保护闪光和D -闪存和运行从外部存储器代码执行命令清除所有块擦除写入序列的P -闪光和D -快闪记忆体。 陈叶冯旗后套表明，所有块擦除操作完成，重置成特殊的单芯片模式的微控制器。双目显示模组将执行验证所有块擦除命令写入顺序，以确认为P -闪光和D -快闪记忆体被删除。如果P -闪光和D -快闪记忆体的核实 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体603 128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1） 抹去MCU将被抵押。所有BDM命令将启用安全字节的Flash可 被编程的不安全状态下列方法： 发送BDM命令来执行计划的P -闪光命令序列程序的Flash安全字节的无担保国家和复位单片机。 19.5.3模式与安全对Flash命令可用性 在闪存模块命令的可用性依赖于MCU的运行模式和安全状况如表19-28。 19.6初始化 在每个系统复位的闪存模块执行一个复位序列，确立了闪存座配置参数，FPROT和DFPROT保护寄存器的初始值，以及FOPT和FSEC寄存器。该闪存模块恢复到内置的默认值，是离开模块在充分保护和安全的状态，如果在错误的复位顺序执行过程中遇到。如果一个双位故障复位过程中检测到的序列，在命令fstat同时登记MGSTAT位将被设置。 陈叶冯会计师仍然是明确整个复位序列。该闪存模块拥有了所有的重置序列的初始部分CPU的访问。尽管Flash内容包括：当持有被删除，写入 在FCCOBIX，FCCOBHI和FCCOBLO登记，以防止被忽略命令活动在内存控制器依然繁忙。重置序列的完成标志是陈叶冯定高使写入FCCOBIX，FCCOBHI，并FCCOBLO寄存器来启动任何可用的Flash命令。 如果复位时发生任何Flash指挥工作正在进行中，该命令将立即中止。这个词的国家正在制定方案或部门/块被擦掉不能保证。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 604飞思卡尔半导体 第20章 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 表20-1。修订历史 修订 编号修订 日期节 受影响 描述变化 V01.04 2008年1月3日 - 化妆品变化 V01.05 2008年12月19号20.1/20-605 20.4.2.4/20-640 20.4.2.6/20-642 20.4.2.11/20-64 6 20.4.2.11/20-64 6 20.4.2.11/20-64 6 - 澄清单比特错误校正的P -闪光词组 - 添加的声明代码失控在执行读取一次，计划一次，验证后门访问键的命令，从闪存包含相关领域的区块 - 将重点0到相关后门比较关键报告 - 更改“断电复位”到“重设”节20.4.2.11 V01.06 2009年9月25日 20.3.2/20-613 20.3.2.1/20-615 20.4.1.2/20-634 20.6/20-654以下的更改是为了澄清在复位序列模块行为有关的闪存访问和登记，同时积极闪存命令： - 关于注册地址谨慎而写入命令活跃 - 致函FCLKDIV是允许在复位序列是明确的，而陈叶冯会计师 - 关于注册地址谨慎而写入命令活跃 - 致函FCCOBIX，FCCOBHI，FCCOBLO寄存器复位过程中忽略序列 20.1简介 在FTMR64K1模块实现如下： 64千字节的P -闪光（程序闪存）内存 4字节的D -闪光（数据闪存）内存 快闪记忆体是理想的单电源应用领域允许无需外部的程序高电压源重新编程或擦除操作。该闪存模块包括一个内存控制器，执行命令来修改快闪记忆体的内容。在用户界面的内存控制器由索引闪存共同Command对象（FCCOB）登记写着与指挥，全球地址，数据，以及任何需要的命令参数。记忆体控制器必须完成前一个命令执行的FCCOB寄存器可以写入一个新的命令。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体605 初步 警告 阿闪光词或短语必须在被删除之前的状态正在制定方案。累积比特闪存编程在单词或短语是不允许的。 快闪记忆体可被理解为字节对齐的话，或错位的话。读访问时间为一个字节总线周期和一致的话，两个总线周期错位的话。对于闪存，擦除 位读取和程序1位值为0。 这是不可能的，从闪存块读命令，而任何具体的闪存模块执行。 它可以从一个闪存模块读取数据的同时命令在不同的闪存块执行。 P均闪光和D -与纠错码（ECC）的实施，可以解决单个比特错误和检测双比特错误快闪记忆体。为P -快闪记忆体，环境保护运动委员会的执行需要一个节目将于8字节对齐的基础上（一个Flash短语）做。由于P -闪存始终是读 由词组，只有一个包含字节或字短语访问单比特错误将得到纠正。 20.1.1术语 命令写序 - 微控制器的指令序列执行内置（包括编程和擦除算法）在快闪记忆体。 -闪存 - 的D -闪存构成了非易失性存储器的数据存储。 闪光部门 - 该D -闪存部门是最小的D部分，快闪记忆体，可以被删除。在D -闪存部门包括一个256字节总数的4行64个字节。 非易失命令模式 - 一种非易失性存储器模式使用CPU设置的FCCOB通过登记为Flash命令执行所需的参数。 词组 - 一个不结盟集团4个16位字内的P -快闪记忆体。每个短语包括8个 单比特错误校正和故障检测的双位ECC的位在词组。 个P -闪存 - 的P -闪存构成了申请的主要非易失性内存存储。 个P -闪光部门 - 的P -闪存部门的P最小的部分，快闪记忆体，可以被删除。每个P -闪存部门包含1024个字节。 计划仪表飞行规则 - 位于非易失性的信息登记在P -闪存块，它包含了设备ID，版本ID，以及经实地计划。该方案是可见的飞行技术研究所在全球内存映射通过设置在MMCCTL1寄存器PGMIFRON位。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体606 初步 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 20.1.2特点 20.1.2.1的P - Flash等功能 64千字节的P -快闪记忆体的一个64字节闪存块组成，分为64部门 1024字节 单比特错误改正，并且在64位短语双位错误检测在读取操作 自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代 快速扇区擦除和短语程序操作 灵活的保障计划，以防止意外编程或擦除的P -快闪记忆体 20.1.2.2闪光功能 4字节的D -快闪记忆体的一个4 2KB闪存组成块分为16个部门的256 字节 单比特错误改正，并且在字双位错误检测在读取操作 自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代 快速扇区擦除和文字程序操作 保护计划，以防止意外编程或擦除的D -快闪记忆体 能力计划后，以4个字在突发序列 20.1.2.3其它闪存模块功能 无需外部高压电源供应闪存程序所需和擦除操作 产生中断命令完成对Flash和Flash错误检测 安全机制，防止未经授权的访问闪存 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体607 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 20.1.3框图 该闪存模块的框图如图20-1。 图20-1。 FTMR64K1框图 命令 中断 请求 错误 中断 请求 闪光 接口 寄存器 保护 16位内部总线 安全 振荡器 时钟（XTAL） 时钟 分频器 FCLK 处理器 内存 控制器 便条内存 384x16bits 20.2外部信号描述 该闪存模块不包含任何信号，连接片外。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 608飞思卡尔半导体 20.3内存映射和寄存器 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 本节介绍内存映射和闪存模块的寄存器。从闪存模块未执行的内存空间读取数据是不确定的。写访问权限没有得到执行或保留的内存空间 在Flash模块将被忽略的闪存模块。 20.3.1模块内存映射 地方S12X架构的P -闪存之间的全局地址0x7F_0000和0x7F_FFFF内存 如表20-2。该P - Flash存储器映射如图20-2。 表20-2。个P -快闪记忆体寻址 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x7F_0000 - 0x7F_FFFF 64亩的P -闪光块0 包含Flash配置场 （见表20-3） 该FPROT寄存器，第20.3.2.9描述的，可设置为保护该地区的闪存 意外编程或擦除。三个独立的内存区域，一个不断向上的全局地址 在闪存0x7F_8000（下称区），一个日益下降，从全局地址 在闪存0x7F_FFFF（称为高地区），并在闪存的，其余的地址可以保护激活。快闪记忆体解决受这些受保护地区 列在P -快闪记忆体映射。较高的地址区域主要是针对持有引导装载程序代码，因为它涵盖的向量空间。默认保护设置以及安全信息，使 微控制器限制访问的闪存模块是在字段中存储的Flash配置中所描述 表20-3。 表20-3。闪存配置field1的 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x7F_FF00 - 0x7F_FF07 8后门比较关键 参考第20.4.2.11，“验证后门访问键司令部”，并 第20.5.1“Unsecuring使用后门MCU的重要通道” 0x7F_FF08 - 0x7F_FF0B2 4号 0x7F_FF0C2 1个P -闪存保护字节。 参考Section 20.3.2.9，的“P -闪光保护注册（FPROT）” 0x7F_FF0D2 1个D -闪存保护字节。 参考第20.3.2.10，的“D -闪光保护注册（DFPROT）” 0x7F_FF0E2 1字节的非易失性闪存 参考第20.3.2.15，“闪光选项寄存器（FOPT）” 0x7F_FF0F2 1闪光安全字节 参考Section 20.3.2.2，“闪光安全注册（FSEC）” 1旧版本的保护交换字节地址 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体609 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 2 0x7FF08 - 0x7F_FF0F形式的Flash短语，必须在一个单一的编程写入命令序列。 0x7F_FF08中的每个字节 - 0x7F_FF0B保留字段应被编程到0xFF。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 610飞思卡尔半导体 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 个P -闪光开始= 0x7F_0000 闪光保护/不保护区 32字节 0x7F_8000 0x7F_8400 0x7F_8800 0x7F_9000 闪光保护/不保护下区 1，2，4，8千字节 0x7F_A000 闪光保护/不保护区 8字节（最多29字节） 0x7F_C000 0x7F_E000闪光保护/不保护高级区 2，4，8，16字节 0x7F_F000 0x7F_F800 个P -闪光完= 0x7F_FFFF 闪存配置场 16字节（0x7F_FF00 - 0x7F_FF0F） 图20-2。个P -闪存地图 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体611 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 表20-4。计划仪表飞行规则字段 全球地址 （PGMIFRON）尺寸 （字节） 字段说明 0x40_0000 - 0x40_0007 8设备ID 0x40_0008 - 0x40_00E7 224号 0x40_00E8 - 0x40_00E9 2版本ID 0x40_00EA - 0x40_00FF 22号 0x40_0100 - 0x40_013F 64计划一旦场 参考Section 20.4.2.6，“一旦司令部计划” 0x40_0140 - 0x40_01FF 192号 表20-5。 闪光和内存控制器资源领域 全球通讯簿大小 （字节） 描述 0x10_0000 - 0x10_0FFF 4,096，快闪记忆体 0x10_1000 - 0x11_FFFF 126976号 0x12_0000 - 0x12_007F 128闪光非易失信息登记表（DFIFRON1 = 1） 0x12_0080 - 0x12_0FFF 3968号 0x12_1000 - 0x12_1FFF 4,096号 0x12_2000 - 0x12_3CFF 7242号 0x12_3D00 - 0x12_3FFF 768内存控制器便条内存（MGRAMON1 = 1） 0x12_4000 - 0x12_E7FF 43008号 0x12_E800 - 0x12_FFFF 6144号 0x13_0000 - 0x13_FFFF 65536号 1 MMCCTL1寄存器位 S12XS系列参考手册，修订版1.09 612飞思卡尔半导体 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 闪光开始= 0x10_0000 -快闪记忆体 4字节 闪光完= 0x10_0FFF 0x12_0000 0x12_1000 闪光非易失信息登记（DFIFRON） 128字节 0x12_2000 0x12_4000 内存控制器便条内存（MGRAMON） 768字节 0x12_E800 0x12_FFFF 图20-3。 闪光和内存控制器内存资源地图 20.3.2注册说明 该闪存模块包含了20个控制和基地之间的闪存模块位于状态寄存器集+ 0x0000和0x0013。阿的闪存模块寄存器摘要载于图20-4在以下小节详细的说明。 警告 闪存写入任何登记时必须避免的Flash命令处于活动状态（陈叶冯会计师= 0），以防止闪光寄存器内容和内存控制器的腐败行为。 地址 名称7 6 5 4 3 2 1 0 0x0000 FCLKDIV糯 0x0001 FSEC糯 图20-4。 FTMR64K1注册摘要 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体613 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 地址 名称7 6 5 4 3 2 1 0 0x0002 FCCOBIX糯 0x0003 FECCRIX糯 0x0004 FCNFG糯 0x0005 FERCNFG糯 0x0006 命令fstat糯 0x0007 FERSTAT糯 0x0008 FPROT糯 0x0009 DFPROT糯 0x000A FCCOBHI糯 0x000B FCCOBLO糯 0x000C FRSV0糯 0x000D FRSV1糯 0x000E FECCRHI糯 0x000F FECCRLO糯 图20-4。 FTMR64K1注册摘要（续） S12XS系列参考手册，修订版1.09 614飞思卡尔半导体 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 地址 名称7 6 5 4 3 2 1 0 0x0010 FOPT糯 0x0011 FRSV2糯 0x0012 FRSV3糯 0x0013 FRSV4糯 =未用或保留 图20-4。 FTMR64K1注册摘要（续） 20.3.2.1闪存时钟分频寄存器（FCLKDIV） 该FCLKDIV寄存器用来控制定时事件编程和擦除算法。 胶印模块基地+ 0x0000 糯 复位 =未用或保留 图20-5。闪存时钟分频寄存器（FCLKDIV） 在FCLKDIV寄存器的所有位可读的，是写6-0位和第7位后不可写。 表20-6。 FCLKDIV域说明 字段说明 7 FDIVLD时钟分频器加载 0 FCLKDIV登记没有被写入 1 FCLKDIV注册已被写入自上次重置 6-0 FDIV 6:0时钟分频器位 - FDIV 6:0必须设置有效地划分OSCCLK下产生内部闪存的时钟，FCLK以供闪存模块来控制定时事件的目标为1兆赫的频率，在编程和擦除算法。表20-7显示了建议FDIV价值6:0的基础上OSCCLK频率。请参考第20.4.1，“闪光作战司令部”，获取更多信息。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体615 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 警告 在FCLKDIV登记绝不能写的，一个Flash命令执行（陈叶冯会计师= 0）。该FCLKDIV寄存器写在闪存复位序列即使陈叶冯会计师是明确的。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 616飞思卡尔半导体 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 表20-7。 FDIV队OSCCLK频率 OSCCLK频率 （兆赫） FDIV 6:0 OSCCLK频率 （兆赫） FDIV 6:0 敏1 MAX2敏1 MAX2 1.60 2.10 0x01 33.60 34.65 0x20 2.40 3.15 0x02 34.65 35.70 0x21 3.20 4.20 0x03 35.70 36.75 0x22 4.20 5.25 0x04 36.75 37.80 0x23 5.25 6.30 0x05 37.80 38.85 0x24 6.30 7.35 0x06 38.85 39.90 0x25 7.35 8.40 0x07 39.90 40.95 0x26 8.40 9.45 0x08 40.95 42.00 0x27 9.45 10.50 0x09 42.00 43.05 0x28 10.50 11.55字符0x0A 43.05 44.10 0x29 11.55 12.60 0x0B 44.10 45.15 0x2A 12.60 13.65 0x0C 45.15 46.20 0x2B 13.65 14.70字符0x0D 46.20 47.25 0x2C 14.70 15.75 0x0E 47.25 48.30 0x2D 15.75 16.80 0x0F 48.30 49.35 0x2E 16.80 17.85 0x10 49.35 50.40为0x2F 17.85 18.90 0x11 18.90 19.95 0x12 19.95 21.00 0x13 21.00 22.05 0x14 22.05 23.10 0x15 23.10 24.15 0x16 24.15 25.20 0x17 25.20 26.25 0x18 26.25 27.30 0x19 27.30 28.35 0x1A 28.35 29.40 0x1B 29.40 30.45 0x1C 30.45 31.50 0x1D 31.50 32.55 0x1E 32.55 33.60 0x1F 1 FDIV显示生成的“0.8兆赫频率FCLK 2 FDIV显示生成的1.05兆赫频率FCLK S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体617 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 20.3.2.2闪光安全注册（FSEC） 在FSEC注册与内地的MCU和闪存模块安全有关的所有位。 胶印模块基地+ 0x0001 糯 复位 =未用或保留 图20-6。闪光安全注册（FSEC） 在FSEC注册所有位都读，但是不能写。 在复位序列，FSEC寄存器装载在全球的地址位于0x7F_FF0F在P -的闪存在闪存领域的闪光安全配置字节的内容（见表20-3），由图20复位条件F所 - 6。如果一个双位错误检测到在读的P -闪光词组包含在复位序列安全字节的闪存，在FSEC注册所有位将 准备离开的安全状态与后门残疾人士的主要通道闪存模块。 表20-8。 FSEC域说明 字段说明 7-6 KEYEN 1:0后门密钥安全启用BITS - 在KEYEN 1:0位的定义，使关键的后门进入 闪存模块，如表20-9。 5-2 核素显像5时02分）保留非易失位 - 该核素显像位应留在抹去国家未来的增强。 1-0 美国证券交易委员会1:0 Flash保密位 - 美国证券交易委员会1:0位定义MCU的安全状态，如表20-10所示。如果 闪存模块使用后门是不安全的重要通道，美国证券交易委员会被迫位10。 表20-9。闪光KEYEN国 KEYEN 1:0的后门进入状态的关键 00禁用 01停用1 10启用 11禁用 1首选KEYEN国家禁用后门的主要通道。 表20-10。闪光安全国家 美国证券交易委员会1:0的安全状态 00有抵押 01成功地令 10无抵押 11有抵押 S12XS系列参考手册，修订版1.09 618飞思卡尔半导体 64字节Flash模块（S12XFTMR64K1V1） 1首选美国证券交易委员会的状态设置微控制器安全状态。 在闪存模块中的安全功能是20.5节中描述。 20.3.2.3闪光CCOB索引寄存器（FCCOBIX） 该FCCOBIX寄存器用来索引的闪存业务FCCOB登记。 胶印模块基地+ 0x0002 糯 复位 =未用或保留 图20-7。 FCCOB索引寄存器（FCCOBIX）