22064字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1).doc

A.1.3.4试验 该引脚用于生产测试只。该测试引脚必须绑到VSS在所有应用程序。 A.1.4电流注入 电力供应必须保持在瞬间内经营VDD35或VDD监管和经营范围最大电流的条件。如果积极的注入电流（输入电压“VDD35）大于IDD35， 注入电流可能流VDD35出来，并可能在外部电源的结果是否规管措施。确保外部VDD35负载电流的分流比最大注入电流更大。这个 将是最大的风险当MCU没有消费力，例如，如果没有系统时钟存在，或者如果时钟率非常低这将降低整体能耗。 A.1.5编列绝对最大额定值 绝对最大额定值是压力等级只。阿功能操作下的最大值或境外 不能保证。这些范围之外的压力可能会影响可靠性或造成永久性损坏的设备。 该器件包含电路免遭损坏，由于高电压或静电电场保护，但它是表示，正常的预防措施，避免采取任何应用高电压低于最高额定电压，这种高阻抗电路。操作的可靠性得到加强，如果未使用的投入与适当的逻辑电平（例如，无论VSS35或VDD35）。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体657 电气特性 表A - 1。绝对最大Ratings1 除了设备的绝对最大额定值1可能受到损害。 2该器件包含一个内部电压调节器生成的逻辑和PLL电源的I输出/ O电源。绝对最大额定值时适用的设备是从外部电源供电。 3所有数字I / O引脚内部钳位在VSSX和VDDX，或VSSA和VDDA。 4这些引脚内部钳位在VSSPLL和VDDPLL。 A.1.6 ESD保护和抗锁定 所有的ESD测试是- AEC - Q100标准的汽车级压力测试资格集成电路与民防部队一致的。在公共服务电子化设备资格应力进行的人体模型（HBM）和充电设备模型。 一个设备将被视为失败后，如果接触ESD脉冲的设备不再符合规定的设备规范。完整的直流参数和功能进行测试设备为规范适用于热温度室温后，除非指明，否则设备规范。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 658飞思卡尔半导体 电气特性 表A - 2。 ESD和闩锁测试条件 模型描述符号值单位 人体系列电阻R1 1500欧姆 存储100pF的电容C 每个引脚数脉冲 正面 负 - - 1 1 每个引脚的脉冲带电设备号 正面 负 - - 3 3 闩锁最小输入电压限制 - -2.5 V 最大输入电压上限 - 7.5 V 表A - 3。公共服务电子化以及栓锁保护特性 数荤等级符号最小值最大值单位 1架C人体模型（HBM）VHBM 2000 - V 2 C电荷器件模型（CDM）的角落针 电荷器件模型（CDM）的边脚VCDM 750 500 - - V C阳性3架C闭锁电流在TA = 125 负伊拉特 100 -100 - - 马 C阳性4 闭锁电流在TA = 27 负伊拉特 +200 -200 - - 马 A.1.7运行条件 本节描述了设备的操作状况。除非另有说明，这些条件适用于所有下列数据。 注意 请参阅设备的额定温度（丙，五，男）就学校的环境温度局长和结温巧。对于功耗的计算参考第A.1.8，“功耗和散热特性”。 表A - 4。运行条件 等级符号最小典型最大单位 的I / O，调节器和模拟电源电压VDD35 3.13 5 5.5 V 非易失性存储器逻辑电源VDDF 2.7 2.8 2.9 voltage1 V D电压差VDDX的VDDA VDDX参考表A - 14 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体659 电气特性 表A - 4。运行条件 1该器件包含一个内部电压调节器生成的逻辑和PLL电源的I输出/ O电源。 2这是指振荡器的基频。典型的晶体谐振器公差与支持。 3请参阅表A -最大总线频率调制频率限制启用24 4请参考第A.1.8，“功耗和散热特性”有关环境温度之间的电讯和设备结温勺关系的更多细节。 注意 使用内部电压调节器，操作是保证权力，直到低电压复位断言。 A.1.8功耗和散热性能 功耗和热特性密切相关。用户必须保证，最高工作结温不超过。（焦耳）可从：平均芯片结温在 )(= + 勺=结温， 电讯管理局局长=环境温度， JAQ勺局长帕金森 帕金森=总芯片功率消耗，我们 荤/我们JA =封装的热阻，Q S12XS系列参考手册，修订版1.09 660飞思卡尔半导体 电气特性 总功耗可以计算： 帕金森=品脱+先锋 品脱=芯片内部功耗，我们 先锋= 逊 字母i 2 IIOi 先锋是所有输出电流的I / O端口与VDDX，相关的总和，即 体积 导通状态电阻= -;为低电平输出 我 其他职等 导通状态电阻= VDD35 - VOH电 -我-;为高输出驱动 俄亥俄州 两个内部稳压器启用和禁用的案件必须考虑： 1。内部稳压器禁用 V= + + 内径品脱国际直拨电话 2。内部稳压器启用 VDDPLLIDDPLL 非洲工业发展 多哈发展议程 VDDAVDDR +工发品脱= IDDR S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体661 电气特性 表A - 5。热封装特性（9S12XS256）1 1热电阻值达到包模拟 q2结到环境的热阻， 模拟将是等同于JEDEC规格JESD51 - 2 1 横向配置自然对流。 q三结到环境的热阻， 模拟将是等同于JEDEC规格JESD51 - 7 1 横向配置自然对流。 4结对案件热阻是模拟的是相等于测量值用冷板与技术 冷板温度为“情况”下使用。这一基本冷板测量技术来描述的MIL - STD 883D方法1012.1。这是正确的热指标用来计算热性能时，包 正在使用的散热片。 Y5热特性参数 是“抵抗”的交界处的顶部中心参考点热电偶 案件在JESD51定义2。 Y 是一个有用的价值来估计处于稳定状态的客户端温度 环境。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 662飞思卡尔半导体 电气特性 表A - 6。热封装特性（9S12XS128）1 1热电阻值达到包模拟 q2结到环境的热阻， 模拟将是等同于JEDEC规格JESD51 - 2 1 横向配置自然对流。 q三结到环境的热阻， 模拟将是等同于JEDEC规格JESD51 - 7 1 横向配置自然对流。 4结对案件热阻是模拟的是相等于测量值用冷板与技术 冷板温度为“情况”下使用。这一基本冷板测量技术来描述的MIL - STD 883D方法1012.1。这是正确的热指标用来计算热性能时，包 正在使用的散热片。 Y5热特性参数 是“抵抗”的交界处的顶部中心参考点热电偶 案件在JESD51定义2。 Y 是一个有用的价值来估计处于稳定状态的客户端温度 环境。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体663 电气特性 A.1.9编列的I / O特性 本节介绍首先，我的特点，除EXTAL，XTAL，测试和电源引脚/ O引脚。 表A - 7。在3.3 V的I / O特性 条件是3.13 V“VDD35”3.6 C，除非另有说明C结温度为+150V的温度范围为-40 I / O的所有I特性/ O引脚除了EXTAL，XTAL，测试和电源引脚。 数荤等级符号最小典型最大单位 1个P输入高电压多层中转房屋0.65 * VDD35 - - V 科技投入高压多层中转房屋 - - VDD35 + 0.3 V的 2个P输入低电压白细胞介 - - 0.35 * VDD35 V 科技投入低电压白细胞介VSS35 - 0.3 - - V 3科技投入滞后VHYS - 250 - 压 第4a P输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）1输入电压= VDD35或VSS35 荤C至150米温度范围-40 荤C至130V温度范围-40 C第一C至110C温度范围-40 在 -1 -0.75 -0.5 - - - 1 0.75 0.5 阿m 4B条C输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）输入电压= VDD35或VSS35 荤40- 荤27 荤70 荤85 荤100 荤105 荤110 荤120 荤125 荤130 C第一150 在 - - - 1 1 8 14 26 32 04 60 74 92 240 - 不适用 5 C输出高电压（引脚输出模式）IOH驱动能力= -0.75毫安V部分驱动器 俄亥俄州VDD35 - 0.4 - - V 6个P输出高电压（引脚输出模式）全部驱动器IOH驱动能力= -4毫安VOH电VDD35 - 0.4 - - V 7 C输出低电压（引脚输出模式）部分驱动人工=0.9毫安体积 - - 0.4 V的 8个P输出低电压（引脚输出模式）全部驱动人工=四点七五毫安V 其他职等 - - 0.4 V的 9个P内部上拉电阻 W多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPUL 25 - 50亩 10个P内部下拉电阻 W多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPDH 25 - 50亩 11个D输入电容霉素 - 6 - 公积金 12泰斯拉注射current2 单针极限 总的设备限制，所有注入电流的总和 机构间委员会 IICP -2.5 -25 - 2.5 二五毫安 S12XS系列参考手册，修订版1.09 664飞思卡尔半导体 电气特性 表A - 7。在3.3 V的I / O特性 1最大漏电流在最高工作温度发生。 2请参阅第A.1.4，“电流注入”更多细节 3参数只适用于停止或伪停止模式。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体665 电气特性 表A - 8。 5 - V输入/输出特性 条件是4.5 V“VDD35”5.5 C，除非另有说明C结温度为+150V为-40 I / O的所有I特性/ O引脚除了EXTAL，XTAL，测试和电源引脚。 数荤等级符号最小典型最大单位 1个P输入高电压V 希0.65 * VDD35 - - V 科技投入高压多层中转房屋 - - VDD35 + 0.3 V的 2个P输入低电压白细胞介 - - 0.35 * VDD35 V 科技投入低电压白细胞介VSS35 - 0.3 - - V 3科技投入滞后VHYS - 250 - 压 第4a P输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）1输入电压= VDD35或VSS35 荤C至150米温度范围-40 荤C至130V温度范围-40 C第一C至110C温度范围-40 在 -1 -0.75 -0.5 - - - 1 0.75 0.5 阿m 4B条C输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）输入电压= VDD35或VSS35 荤40- 荤27 荤70 荤85 荤100 荤105 荤110 荤120 荤125 荤130 C第一150 在 - - - 1 1 8 14 26 32 40 60 74 92 240 - 不适用 5 C输出高电压（引脚输出模式）IOH驱动能力= -2毫安V部分驱动器 俄亥俄州VDD35 - 0.8 - - V 6个P输出高电压（引脚输出模式）全部驱动器IOH驱动能力= -10 mA的VOH电VDD35 - 0.8 - - V 7 C输出低电压（引脚输出模式）部分驱动人工=2毫安体积 - - 0.8伏特 8个P输出低电压（引脚输出模式）全部驱动器人工=一十毫安V 其他职等 - - 0.8伏特 9个P内部上拉电阻 W多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPUL 25 - 50亩 10个P内部下拉电阻 W多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPDH 25 - 50亩 11个D输入电容霉素 - 6 - 公积金 12泰斯拉注射current2 单针限制 总的设备限制，所有注入电流的总和 机构间委员会 IICP -2.5 -25 - 2.5 二五毫安 13个P港口小时，P中断输入脉冲过滤（站）3 tPULSE - m - 3 14个P港口第H，J，P中断输入脉冲传递（站）3 tPULSE m10 - - 15个D港第H，J，P中断输入脉冲过滤（站）tPULSE - - 3 tcyc S12XS系列参考手册，修订版1.09 666飞思卡尔半导体 电气特性 表A - 8。 5 - V输入/输出特性 1最大漏电流在最高工作温度发生。 2请参阅第A.1.4，“电流注入”更多细节 3参数只适用于停止或伪停止模式。 A.1.10电源电流 本节介绍设备的当前消费特点以及测量的条件。 A.1.10.1典型的运行电流测量条件 自从输出驱动电流消耗负载依赖，所有的测量都没有输出负载和最小I / O活动。电流测量的单芯片模式，S12XCPU代码从Flash执行。 VDD35 = 5V时，内部电压调节器已启用且频率为40MHz的总线 在循环使用4MHz的振荡控制皮尔斯模式。 由于薄型和BDM模块通常不用于终端应用，对这些模块的供电电流值未指定。 对当前存在的消费开销列出的模块的独立，由于电压调节 和时钟逻辑，不是专门为特定的模块。这列名为“间接”的表行。表A - 9显示了典型的运行电流的外围设备的配置。 表A - 9。模块配置典型供给（VDDR + VDDA）= 5V的电流VDD35 周边配置 S12XCPU 420周期循环：384 DBNE周期加子程序的入口，以刺激堆叠（RAM访问） MSCAN配置为环回模式使用的是比特率500kbit /秒 掌握的SPI配置模式，不断传送数据（0x55或包含0xAA）在2Mbit的/秒 脊髓损伤进入循环模式配置，不断传输的高速数据传输波特率19200（0x55） 脉宽调制切换配置在1kHz时率其引脚 TIM的外围应输出配置比较模式。脉冲累加器和模数计数器启用。 扶贫外围被配置为在其最大指定 频率，并在不断转换序列中的所有输入通道的电压。 架空VREG提供从5V输入电压为1.8V锁相环 A.1.10.2最大运行电流测量条件 电流在单芯片模式，与VDD35 S12XCPU = 5.5V时，内部电压调节器测量启用从一个4MHz的输入40MHz的总线频率。特征参数是根据使用 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体667 电气特性 4MHz的闭环控制皮尔斯振荡器。生产测试参数测试了4MHz的方波 振荡器。 表A - 10显示了最大的外设配置运行电流 表A - 10。模块配置的最大供给（VDDR + VDDA）= 5.5V的电流VDD35 周边配置 S12XCPU 420周期循环：384 DBNE周期加子程序的入口，以刺激堆叠（RAM访问） MSCAN配置为环回模式使用的是比特率为1Mbit / s的 掌握的SPI配置模式，不断传送数据（0x55或包含0xAA）在的4Mbit / s 脊髓损伤进入循环模式配置，不断传输的高速数据传输波特率57600（0x55） 脉宽调制切换配置在其引脚40kHz的速度 TIM的外围应输出配置比较模式。脉冲累加器和模数计数器启用。 扶贫外围被配置为在其最大指定 频率，并在不断转换序列中的所有输入通道的电压。 架空VREG提供从5V输入电压为1.8V锁相环 A.1.10.3停止现状 无粘结端口必须正确初始化的电流消耗，以防止由于浮动投入。典型停止电流测量VDD35 = 5V时，最大电流停止与VDD35 = 5.5V的衡量。伪停止电流的测量与4MHz的LCP的模式振荡器配置。生产测试参数 测试与4MHz的方波振荡器。 A.1.10.4测量结果 表A - 11。模块电源电流运行 条件列于表甲，在常温下9条，除非另有说明 数荤评分最小典型最大单位 1个T S12XCPU - 1.1 - 马 二大匙MSCAN - 0.5 - 3 的SPI - 0.4 - 4 脊髓损伤 - 0.6 - 5吨的PWM - 0.9 - 6 的TIM - 0.3 - 7 扶贫 - 1.7 - 8 t桥式 - 13.6 - S12XS系列参考手册，修订版1.09 668飞思卡尔半导体 电气特性 表A - 12。运行和等待的现状特征 1以下外设上：ATD0/TIM/PWM/SPI0/SCI0-SCI1/CAN0 2以下外设上：ATD0/TIM/PWM/SPI0/SCI0-SCI1 3下列外设上：ATD0/TIM/PWM/SPI0 4以下外设上：ATD0/TIM/PWM 5下列外设上：ATD0/TIM S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体669 电气特性 表A - 13。伪停止和全面停止当前 条件列于表A - 4，除非另有说明 数荤等级符号最小典型最大单位 伪停止电流（空气污染指数，RTI的，以及缔约方会议的残疾人）锁相环起飞，LCP的模式 荤10A条荤荤荤荤荤荤荤-40 荤27 荤70 荤85 荤105 荤110 荤130 荤IDDPS -150 - - - - - - - 155 171 199 216 233 270 350 452 300 400 - - - - - 阿m- 伪停止电流（空气污染指数，RTI的，以及缔约方会议的残疾人）锁相环关闭，全汉模式 荤第10B P P P P P -40 荤27 荤110 荤130 荤IDDPS -150 - - - - 60 70 160 210 400 80 100 2400 2400 阿m2400 伪停止电流（空气污染指数，RTI的，以及缔约方会议的启用）锁相环起飞，LCP的模式 11荤荤荤荤荤荤荤27 荤70 荤85 荤105 荤125 荤IDDPS -150 - - - - - 186 209 245 270 383 487 - - - - - 阿m- 停止电流 荤12个P陆炳荤荤荤荤荤P -40 荤27 荤70 荤85 荤105 荤110 荤125 荤130 荤互动系统 -150 - - - - - - - - 20 25 40 65 80 95 220 250 380 60 80 - - - - - - 阿m2000 停止电流（API的活动） 荤13 -40 荤27 荤85 荤110 荤互动系统 -130 - - - - 25 40 70 100 255 - - - - 阿m- 停止电流（扶贫活动） 荤14吨 27 荤85 荤互动系统 -125 - - 190 230 400 - - 阿m- S12XS系列参考手册，修订版1.09 670飞思卡尔半导体 A.2节特色扶贫 本节描述的特征模拟到数字转换器。 电气特性 A.2.1条扶贫工作特性 在表A - 14和表A - 15显示在何种条件下运作的国际运动。存在以下制约因素得到全面的，全方位的结果： .内径自由程跳跃VIN的VRLVSSA 由于存在这种限制的样品缓冲放大器不能驾驶超过了电力供应水平 它关系到。如果输入的水平去外面这将有效地裁剪范围。 表A - 14。扶贫工作特性 1完整的准确性时，不保证差分电压低于4.50 V 2当转换停止模式（ICLKSTP = 1）停止扶贫恢复时间tATDSTPRCV需要切换到基于ATDCLK总线时钟停止模式时离开。不要在此期间，访问寄存器扶贫。 3最短的时间假定为4个时钟周期扶贫采样时间。假设的最大时间为24个时钟周期扶贫和放电功能（SMP_DIS）采样时间启用，这增加了2个时钟周期扶贫。 A.2.2精度影响因素 源电阻，电容和电流源注入有一个对国际运动精度的影响。 另一个因素是，PortAD引脚的输出驱动器的开关配置。 A.2.2.1港口广告输出驱动器开关 PortAD输出驱动器的开关可以产生不利影响，而转换的精度扶贫其他PortAD引脚的模拟电压输出驱动器，因为是从VDDA / VSSA扶贫电源引脚提供。虽然内部设计采取措施来减少影响噪声输出驱动器，它 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体671 电气特性 建议配置PortAD只对低频率，低负荷输出，输出引脚。的影响 对扶贫的准确性取决于负载，而不是指定。指定的值是有效的条件下， 没有PortAD输出驱动器开关转换过程中。 A.2.2.2源电阻 由于与源电阻有一起输入引脚泄漏表指明当前- 7和表A - 8将是从信号源电压下降到扶贫的投入。最高源电阻Rs指定了一个错误（10位分辨率）小于1 / 2 LSB的（2.5压在最大漏电流）的结果。如果设备或操作条件低于最坏的情况下或泄漏引起的误差是可以接受的，产地的抵抗较大的值10Kohm是允许的。 A.2.2.3源电容 当取样额外的内部电容切换到输入。这可能会导致由于电压下降 收取与外部交流和引脚电容。10241LSB的（10位resilution），那么外部滤波电容，参看对于抽样误差最大的输入电压 *（CINS -肉桂酸）。 A.2.2.4电流注入 有两种情况需要考虑。 1。阿电流注入到通道被转换。该频道是强调拥有$ 3FF的转换值（在10位模式）比自由程跳跃模拟输入的值更大，比VRL不到$ 000，除非当前高于规定的条件的破坏性。 2。电流注入在通道附近被转换成针。这个电流拾起，通道（耦合比K），此额外当前影响部分的精度可达 转换的根据源电阻。 额外的输入转换的通道上的电压误差可以计算为：VERR =亩*恏巴* IINJ 与IINJ作为进入相邻的两个引脚的转换通道注入的电流之和。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 672飞思卡尔半导体 电气特性 表A - 15。电气特性扶贫 1参见A.2.2.2进一步有关信息源电阻 A.2.3精度扶贫 表A - 16和表A - 17指定不包括任何错误，由于电流注入，输入源电阻，电容和转换效果扶贫。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体673 电气特性 A.2.3.1扶贫精度定义 对于下面的定义参见图A - 1。 微分非线性误差（DNL）定义为两个相邻的开关步骤差异。 六 - 六 - 1 = i)(微分非线性 - - 1 1LSB的 积分非线性误差（INL）是指所有DNLs金额： 越南 - 扎 DNL的内核层 = i = - - 无 1LSB的 = 1 S12XS系列参考手册，修订版1.09 674飞思卡尔半导体 电气特性 微分非线性 LSB的 - 1型六 10位绝对误差边界 $ 3FF的 $ 3FE 8位绝对误差边界 $ 3FD $ 3FC $法郎 $ 3FB $ 3FA $ 3F9 $ 3F8 $有限元 $ 3F7 $ 3F6 $ 3F5 $ 3F4 $衍生 $ 3f3中 9 理想传输曲线 8 2 7 6 10位传输曲线 5 4 1 3 2，8位传输曲线 1 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 5000 + 葡萄酒压 图A - 1。扶贫精度定义 注意 图A - 1只显示定义，规范值是指表A - 16和表A - 17。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体675 电气特性 表A - 16。转换效果扶贫5V范围 1 8位和10位模式运行的结构测试生产测试。测试绝对值在12位模式。 二是可以更好的使用性能而特别设计的多层印刷电路板或平均技术。 3这些值包括量化误差的本质上是一对任何A / 2计数/ D转换器。 表A - 17。转换效果3.3扶贫范围 1 8位和10位模式运行的结构测试生产测试。测试绝对值在12位模式。 二是可以更好的使用性能而特别设计的多层印刷电路板或平均技术。 3这些值包括量化误差的本质上是一对任何A / 2计数/ D转换器。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 676飞思卡尔半导体 A.3节的NVM，闪光 电气特性 A.3.1时序参数 基地的时间为所有的NVM编程或擦除操作是由振荡器产生。阿最低 振荡器频率fNVMOSC必须履行的程序或擦除操作。在非易失性存储器模块 没有任何的办法，监测频率，不会阻止程序或清除操作时 频率高于或低于规定的最低。当试图编程或擦除的非易失 在较低的频率，一个完整程序模块或擦除过渡没有保障。 在编程和擦除操作是使用从计时使用FCLKDIV得出的时钟振荡器 注册。这个时钟频率内必须设置为fNVMOP规定的限值。 最低纲领和擦除时间表A所示，18人计算，最高fNVMOP最大fNVMBUS除非另有所示。最高时间计算的最低fNVMOP A.3.1.1验证所有块擦除（空白支票）（FCMD = 0x01）后 需要的时间来执行一个空白支票上的第一个非位置的空白Word依赖开始 在相对地址为零。这需要每个短语核实另加命令安装总线周期。假设没有非空的位置被发现，然后确认删除所有块由下式给出。 tcheck = 33500 1 - f NVMBUS A.3.1.2擦除验证块（空白支票）（FCMD = 0x02） 需要的时间来执行一个空白支票上的第一个非位置的空白Word依赖开始 在相对地址为零。这需要每个短语核实另加命令安装总线周期。假设没有非空的位置被发现，然后删除验证一个256K的NVM阵列时间给出 tcheck = 33500 1 - f NVMBUS 对于一个128K的非易失性存储器或D -闪存阵列擦除验证时间由下式给出 tcheck = 17200 1 - f NVMBUS A.3.1.3擦除验证的P -闪光科（FCMD = 0x03） 最高的时间取决于所验证（奈韦拉平的短语数） 1 -)(= tcheck 752 +奈韦拉平 - f NVMBUS S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体677 电气特性 A.3.1.4读取一次（FCMD = 0x04） 最高读取一次时间给出 1 -)(400吨= - f NVMBUS A.3.1.5计划的P -闪光（FCMD = 0x06） 一类4个P用一句话编程时间闪光字+相关的8位ECC的是依赖 作为上以及频率fNVMOP可以计算和按下列公式总线频率。 典型的短语的编程时间，可以使用以下计算公式 tbwpgm = 128 1 - f NVMOP 1 - f NVMBUS 最高短语的编程时间，可以使用下面的计算公式 tbwpgm = 130 1 - f NVMOP 1 - f NVMBUS A.3.1.6的P -闪存程序一旦（FCMD = 0x07） 最高的P -闪存程序一旦时间给出 1 1 - + -2400 - tbwpgm 162 fNVMOP fNVMBUS A.3.1.7清除所有块（FCMD = 0x08） 所有的块擦除时间： f100100tmass 1 -1 - + 35000 f - NVMOP - NVMBUS S12XS系列参考手册，修订版1.09 678飞思卡尔半导体 电气特性 A.3.1.8擦除的P -闪光块（FCMD = 0x09） 256K的擦除块需要的NVM f100100tmass 1 -1 - + 70000 f - NVMOP 擦除块采用128K的非易失 1 - NVMBUS 1 f100100tmass - + -35000 f - NVMOP - NVMBUS A.3.1.9擦除的P -闪存部门（FCMD =字符0x0A） 典型的时间抹去a1024字节的P -闪存部门可以计算 德特拉= 20020 1 - + f NVMOP 1 - f NVMBUS 最大时间抹去a1024字节的P -闪存部门可以计算 德特拉= 20020 1 - + f NVMOP 1 - f NVMBUS A.3.1.10不安全的闪光（FCMD = 0x0B） 对于unsecuring闪存的最大时间由下式给出 tuns f100100 1 -1 - + 70000 f = - NVMOP - NVMBUS A.3.1.11验证后门访问键（FCMD = 0x0C） 最高核实后门进入关键时期，由下式给出 吨= 1 -400 - fNVMBUS A.3.1.12设置用户保证金水平（FCMD =字符0x0D） 最高设置用户保证金水平为给出 吨= 1 -350 - fNVMBUS A.3.1.13 SET域保证金水平（FCMD = 0x0E） 外地的最高保证金水平设定的时间由下式给出 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体679 电气特性 1 -吨= 350 - fNVMBUS A.3.1.14擦除验证闪光科（FCMD = 0x10） 擦除验证的D - 1的净重是给予一定数目字闪光。 1 -)( tcheck 840 +净重 - fNVMBUS A.3.1.15- Flash编程（FCMD = 0x11） - Flash编程时间取决于字数目和所在位置的编程 关于行的边界，因为在连续边界编程需要额外的步骤。在D - Flash编程时间指定不同的情况（1,2,3,4字和4跨连续边界字） 在40MHz的总线频率。典型的编程时间，可以使用下面的计算公式，即净重表示的单词数;年= 0如果没有越过边界和BC = 1，如果边界划线。 1)公元前16)(+ +(= - 640(460 + + 1 -)公元前500(+) 净重tdpgm 15 54 - f NVMOP - 糯f NVMBUS 最高的编程时间，可以使用下面的计算公式 1)公元前16)(+ +(= - 840(460 + + 1 -)公元前500(+) 净重tdpgm 15 56 - f NVMOP - 糯f NVMBUS A.3.1.16擦除闪光部门（FCMD = 0x12） 典型闪光扇区擦除时间是在新的设备，如果没有预期的利润验证失败发生。他们可以使用以下计算公式。 f5025teradf 1 -1 - + 700 f - NVMOP - NVMBUS 最大- Fash扇区擦除，可以使用以下计算公式倍。 f20100teradf 1 -1 - + 3300 f - NVMOP - NVMBUS 在D -闪