控制插件三极管配置后导通状态的流程.doc

控制插件三极管配置后导通状态的流程插件三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，为了理解插件三极管的工作情况，重说一下真空管理论是有益的。6L6是一个束射功率管，有阴极、控制栅极、帘栅极、抑制栅极和阳极。抑制栅极实际上是一个由两块聚束板提供的虚拟抑制栅极，但是你可以将6L6束射功率管作为五极管来对待。你可以将五极管看作是具有下列电极功能的n沟道JFET;五极管(a)能输出比三极管(b)大得多的功率，但采用插件三极管配置除外(c)。极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。热电子阴极：电子源（对应于JFET源极）；控制栅极：控制阴极电流；在相对于阴极的负电位下工作（对应于JFET栅极）；帘栅极：静电屏蔽控制栅极和三极管板极，从而减小阳极电压对阴极电流的影响；在相对于阴极的正电位下工作；抑制栅极：防止插件三极管电子离开阳极到达帘栅极；在阴极电位下工作；阳极：收集电子（对应于JFET漏极）。 五极管的负载曲线表明，阳极可在阳极电压仅为50V时吸收150 mA电流。 示出了控制栅极电压为0-25V和帘栅极电压为250V时的五极管特性曲线。请注意理想化的负载线以及该五极管可以在板极电压仅为50V时吸收150 mA的阳极电流。高电压增益、高阳极阻抗和高输出功率是五极管放大的三个特点。实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，插件三极管并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。 稳压二极管用途广泛，使用极多。看起来应用很简单，但如果不注意，也极易损坏。以下是选用时的几点注意事项：可将多只稳压二极管串联使用，但由于二极管参数的离散性比较大，不得并联使用。温度对半导体器件的特性影响较大，当环境温度超过 50 时，温度每升高 1，应将最大耗散功率降低1。稳压二极管管脚必须在离管壳 5mm 以上处进行焊接，最好使用 30W 以下的电烙铁进行焊接。若使用 4075W 电烙铁焊接时，焊接时间应不超过 810s。尽量使用内装焊料的焊锡丝焊接，不要使用大块焊锡加松香的方法。为了使稳压二极管的电压温度系数得到补偿，可以将稳压二极管与硅二极管（包括硅稳压二极管）串联使用，