QT2晶体管图示仪使用方法介绍.doc

QT 2使用方法介绍QT2晶体管图示仪使用方法介绍Lab one QT2一、实验目的 熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数。二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理 1概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器，尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压、饱和压降等。2主要技术指标 （1） Y轴偏转系数 集电极电流范围为10A/div0.5A/div，分15档，误差不超过5%；二极管反向漏电流0.2A/div5A/div，分5档，2A/div、5A/div误差不超过5%，1A/div误差不超过7%，0.5A/div误差不超过10%，0.2A/div误差不超过20%；外接输入为0.1V/div误差不超过5%。 （2） X轴偏转系数 集电极电压范围为0.1V/div50V/div，分9档，误差不超过5%；基极电压范围为0.1V/div5V/div，分6档，误差不超过5%；外接输入为0.05V/div误差不超过7%。 （3） 阶梯信号 阶梯电流范围为0.1A/级50mA/级，分18档；1A/级50mA/级，误差不超过5%，0.1A/级误差不超过7%；阶梯电压范围为0.05V/级1V/级，分5档，误差不超过5%；串联电阻10、10K、0.1M，分3档，误差不超过10%；每簇级数410级连续可调。24集电极扫描电源、高压二极管测试电源 其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表：5V档05V 10A50V档 050V 1A500V档 0500V 0.1A3kV档 03kV 2mA功耗限制电阻0.5M，分11档，误差不超过10%。（4） 其它 校正信号为0.5Vp-p误差不超过2%（频率为市电频率），1Vp-p误差不超过2%（频率为市电频率）；示波管15SJ110Y14内（UK=1.5Kv，UA4=+1.5kV）；电源电压为（22010%）V；电源频率为（505%）Hz；视在功率在非测试状态约50W；满功率测试状态约80W。3 仪器使用说明 YB4810型晶体管特性图示仪正反面结构图（按钮用加相应标号表示）（1） 主机 将电源开关按键1按下，将电源线接入，按电源开关以接通电源；改变示波管栅阴极之间电压来改变电子束强度，从而控制辉度2，该电位器顺时针旋转，逐渐变亮，使用时辉度应适中；当示波管屏幕上水平光迹3与水平内刻度线不平行时，可调节该电位器使之平行；改变示波管第二阳极电压使电子聚焦4；改变示波管第三阳极电压使电子聚焦5通常在使用时图象清晰。 （2） Y轴作用 晶体管测试时可将其特性在示波管波形屏幕6直观地显示出来；电流/度开关7是一种具有22档四种偏转作用的开关，其中含有集电极电流IC10A/div0.5A/div，分15档，二极管反向漏电流IR0.2A/div5A/div，分5档，基极电流或基极源电压，外接；Y轴移位8顺时针旋动，光迹向上，反之向下。 （3） X轴作用 X轴移位10顺时针旋动光迹向左，反之向右；电压/度开关11是一种具有17档四种偏转作用的开关，其中含有集电极电压VCE0.05V/div50VA/div，分10档，基极电流或基极源电压，外接；双簇移位12可使二簇特性曲线显示在合适的水平位置上。 （4） 校正及转换开关 校正及转换开关13是由三个按钮组成的直键开关，上面是Y轴10度校正信号，下面是X轴10度校正信号，中间是转换开关，按入和弹出两个状态满足NPN和PNP管子测试的需要。 （5） 阶梯信号 级/簇14是用来调节阶梯信号的级数，能在410级内任意选择；调零15；串联电阻16；电流-电压/级17是一个23档具有两种作用的开关，其中基极电流0.1A/级50mA/级共18档，基极电压源0.05V/级1V/级；重复/关选择开关18，重复表示阶梯信号连续输出，作正常测试，关表示阶梯信号没有输出，但处于待触发状态；单簇按键19可方便、准确地测试半导体器件的极限参数；极性按钮20是为了满足不同类型的器件需要来选择阶梯信号的极性。 （6） 集电极电源 保险丝21起保护作用；容性平衡22克服误差；辅助容性平衡23；功耗限制电阻24在测试击穿电压或二极管正向特性时作限制电阻；峰值电压25旋钮可在05V、020V、0100V、0500V之间连续选择；极性开关26可以转换集电极电源的正负极性；峰值电压范围27可分为5V（5A）、20V（2.5A）、100V（0.5A）、500V（0.1A）四档；3kV高压测试按钮28；3kV高压输出插座29。 （7） 测试控制器 测试插孔B30、A31；测试选择开关32，其中零电压钮用来校正阶梯信号作电压源输出时其起始级的零电压，该钮按入时被测管的栅极接地，零电流钮按入时被测管的基极开路，A钮按入时A测试插孔接通，B钮同理，全部弹出时同时测试比较两个管子。 （8） 其它 1Vp-p校正信号输出插孔34；0.5VVp-p校正信号输出插孔35；Y轴输入插孔36；X轴输入插孔37；电源插座38；CT测试端39；CT地40。四、实验仪器及测试器件：YB4801A晶体管特性图示仪，硅NPN三极管9014，N沟耗尽型场效应管3DJ7F，硅NPN三极管2SC1815，硅整流二极管1N4007，锗二极管（锗三极管3AX22代替），硅稳压二极管0.5W 7.5V和1W 12V。五、实验内容及步骤：1测量硅NPN三极管9014的共发射极输出特性（ICVCE）峰值电压调为0，按图插上三极管9014峰值电压范围：020V； 极性：+功耗电阻：250X轴 集电极电压1V/度 （VCE）Y轴 集电极电流1mA/度 （IC）阶梯信号：重复； 极性：+阶梯电流：10A/级 （IB）峰值电压调大至合适位置。测试并画出ICVCE特性曲线，并分别标出放大区、截止区、饱和区和击穿区。2测量硅NPN三极管9014的共发射极直流电流增益（hFE）峰值电压调为0，按图插上三极管9014峰值电压范围：020V； 极性：+功耗电阻：250X轴 基极电流 （阶梯信号）Y轴 集电极电流1mA/度 （IC）阶梯信号：重复； 极性：+阶梯电流：10A/级 （IB）峰值电压调大至合适位置。测试并求出值。3测量硅NPN三极管9014的共发射极输入特性（IBVBE）峰值电压调为0，按图插上三极管9014峰值电压范围：020V； 极性：+功耗电阻：250X轴 集电极电压0.1V/度 （实际为VBE）Y轴 集电极电流2mA/度 （实际为IB）阶梯信号：重复； 极性：+阶梯电压：0.5V/级 （VCE）峰值电压调大至合适位置。测试并画出IBVBE特性曲线。4测量硅NPN三极管9014的共基极输出特性（ICVCB）峰值电压调为0，按图插上三极管9014峰值电压：020V，极性：+功耗电阻：250X轴 集电极电压1V/度 （实际为VCB）Y轴 集电极电流1mA/度 （IC）阶梯信号：重复； 极性： 阶梯电流：1mA/级 （IE）峰值电压调大至合适位置。测试并画出ICVCB特性曲线。5测量硅NPN三极管9014的共基极直流电流增益（hFB）峰值电压调为0，按图插上三极管9014峰值电压范围：020V； 极性：+功耗电阻：250X轴 基极电流（阶梯信号）Y轴 集电极电流1mA/度 （IC）阶梯信号：重复； 极性：阶梯电流：1mA/级 （IE）峰值电压调大至合适位置。测试并求出值。根据测量结果验证：6测量N沟耗尽型场效应管3DJ7F的共源极输出特性（IDVDS）峰值电压调为0，按图插上N沟耗尽型管3DJ7F峰值电压范围：020V； 极性：+功耗电阻：1KX轴 集电极电压1V/度 （实际为VDS）Y轴 集电极电流0.5mA/度 （实际为ID）阶梯信号：重复； 极性：阶梯电压：0.2V/级 （VGS）峰值电压调大至合适位置。测试并画出ID-VDS特性曲线。7测量硅NPN三极管2SC1815双管输出特性（共发射极），进行比较峰值电压调为0，按图插上两个三极管2SC1815峰值电压范围：020V； 极性：+功耗电阻：50X轴 集电极电压1V/度Y轴 集电极电流2mA/度阶梯信号：重复； 极性：+阶梯电流：10A/级测试选择：双簇（AB同时按下）峰值电压调大至合适位置。测试并画出ICVCE特性曲线，根据特性曲线判断是否适合作对管。8测量硅整流二极管1N4007和锗二极管的正向特性，加以比较3AX22峰值电压调为0，按图两边同时插上硅、锗二极管（用锗PNP三极管3AX22的集电结）峰值电压范围：05V，极性：+功耗电阻：2.5X轴 集电极电压0.1V/度 （实际为VD）Y轴 集电极电流20mA/度 （实际为ID）峰值电压调大至合适位置，A、B交替测试，并画出正向特性曲线，分别求出硅、锗二极管的导通电压。9测量硅稳压二极管0.