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文档简介
光电技术习 题第一章第一部分:1 已知表示光电导体的灵敏度的G(光电增益)= / tL ,式中为量子产额;为光生载流子寿命;tL为载流子在光电导两极间的渡越时间,如果在光电导体中自由电子与空穴均参与导电,请推导:G = (nn +pp )U/l2 式中n和p分别为自由电子和空穴的寿命;n和p分别为自由电子和空穴的迁移率。答: G=/tL tL=l/E=l2/U G=U/l2 G = (nn +pp )U/l22 简答P型与N型半导体杂质能级区别.答:N型半导体掺有5价的杂质原子,如磷、砷。杂质引进的额外的电子占有恰在导带下方的某些分立的能级;其距离可为十分之几电子伏特。这些额外的电子容易被杂质原子释放出来并被激发至导带。于是,激发电子对半导体的电导率有贡献。P型半导体掺有3价的杂质原子,如硼、铝。杂质引进空的分立能级,这些能级的位置很靠近价带顶。因此,容易把价带中一些具有较高能量的电子激发到杂质能级上。这个过程在价带中产生空态即空穴。3 比较直线性光电导与抛物线性光电导的主要特性。答:在直线性光电导的弛豫中,光电流都按指数规律上升和下降。在t=时,光电流上升到饱和值的(1-),或下降到饱和值的,上升和下降是对称的。显然,直线性光电导的弛豫时间与光强无关。 在非线性光电导情况下,光电导的弛豫现象比较复杂。它取决于复杂的复合机理,并且上升和下降都不对称,我们可以用()1/2来表示弛豫时间。光照开始后,经过这段时间,光电导增加到定态值tanh 1=0.75。而光照停止后,光电导在这段时间内减少到定态值的一半。显然,抛物线性光电导的弛豫时间与光强有关。光强越高,弛豫时间越短。4 举一简例说明研究光电导的光谱分布有何实际应用。答:(1)做特定的光谱特性的传感器(2)起节省滤光片的作用5 简述光生伏特效应与热释电效应的原因及其应用。答:光生伏特效应:由光照引起电动势的现象。包括两种类型: (1)发生在均匀半导体材料内部;(2)发生在半导体的界面。pn结的空间电荷区的电场,称为自建电场。光照产生的电子空穴对,在自建电场作用下的运动,是形成光生伏特效应的原因。光生伏特效应的应用: (1)太阳能电池;(2)光电探测器件。 热释电效应:某些晶体的电极化强度随温度变化而变化,从而在晶体特定方向上引起表面电荷变化的现象。此效应只能发生在不具有中心对称的晶体中。某些晶体内正负电荷中心并不重合,有一定的电矩,其表面容易吸附自由电荷以抵消总电矩所产生的宏观电场。温度变化时,由于极化强度的改变而释放出表面吸附的部分电荷,从而表现出热释电效应。热释电效应的应用:红外探测器,热电激光量热计,夜视仪以及各种光谱反接收器等。6 观察图1.1.3-4,指出本征光电导与杂质光电导的长波限位置。答:金元素在锗中存在多重能级,在不加砷施主杂质时,金是受主,锗是P型半导体,从曲线中看到,长波限在0.05eV处。当加入少量砷施主杂质,此时锗晶体仍是P型,长波限相应于0.15eV。当加入足够多的砷施主杂质时,致使锗晶体从P型转变为N型,从曲线中可看到长波限相应于0.2eV。这与用其他方法测出的金锗中形成多重能级的电离能是一致的。7. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。l0SRc第1题图 答: Ie=, d= ,d e=Ie*8. 如图所示,设小面源的面积为DAs,辐射亮度为Le,面源法线与l0的夹角为qs;被照面的面积为DAc,到面源DAs的距离为l0。若qc为辐射在被照面DAc的入射角,试计算小面源在DAc上产生的辐射照度。(选做题, 参见讲稿1.2.1 光的有关概念与度量)LeDAsDAcl0qsqc第2题图用定义和求解。*9. 从黑体辐射曲线图可以看出,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长lm随温度T的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出 (选做题, 参见讲稿1.2.1 光的有关概念与度量)。这一关系式称为维恩位移定律,其中常数为2.89810-3mK。第二部分: 1.正透镜的共同特征是中心厚度比边缘厚度 厚 ;负透镜的共同特征是中心厚度比边缘厚度 薄 。 2 单片正透镜 是一个最简单的放大镜。 3工作在物镜面附近的透镜称为 场镜 4探测器与浸没透镜平面间或胶合或光胶,使像面浸没在折射率较高的介质中。它的主要作用是 显著地减小探测器的光敏面积,提高信噪比 。 5阶梯透镜是有“阶梯”形不连续表面的透镜;“阶梯”由一系列同心圆环状带区构成,故又称环带透镜。优点: 厚度小 ,重量轻,光吸收损失小。 6设球面曲率半径为R,则球面镜的焦距为 R/2 ,这一数值与光的波长无关,也就是说球面镜不产生 色差 。7光锥为一种非成像的聚光元件,可增加光照度或 减小探测面积 的作用。8光楔常用作 光学测微器补偿器 ,利用光楔的移动或转动来测量或补偿微小的角量或线量。9干涉滤光片主要功能是 分割光谱带 ,常见的有:截止滤光片和带通滤光片 。10光调制指的是使光信号的一个或几个 特征参量 按 被传送信息 的特征变化,以实现信息检测传送目的的方法。11分别简答下列三个图调制方法(光强度调制) 答:(1)利用电磁感应的机械调制 :将永磁铁固定在基座上,中间加入激磁线圈,该线圈中铁芯的一端经簧片后固定在基座上,在铁芯另一端上固定挡片。在激磁线圈中加入交变电流,则铁芯两端产生交变磁场,在永磁铁作用下挡片产生左右摆动,对光束进行调整,其调制频率是激磁电流交变频率的两倍。而其调制波形应与激磁电流的波形和强度、光束和挡片的相对形状和大小有关。(2)调制盘:在圆形板上由透明和不透明相同的扇形区构成。旋转时,通过盘的光脉冲周期性地变化。光脉冲的形状:决定于扇形尺寸和光源在盘上的像的大小和形状。(3)受抑全反射调制器:入射光在固定棱镜斜面处满足全反射条件。在交变电压作用下,压电晶体周期性的变形,使入射光束分解为两束相互垂直的调制光。12光波在传播时被超声波衍射的现象叫做 声光 效应。13利用偏振光振动面旋转,实现光调制最简单的方法是用两块偏振器相对转动,按马吕斯定理,输出光强为 I=I0cos2 ,式中I0为两偏振器主平面一致时所通过的光强;为两偏振器主平面间的夹角。14克尔效应:指的是某些各向同性的介质在电场作用下变成各向异性,光束通过将会产生_双折射_现象。15.实验表明,克尔效应的两束偏振光的折射率之差ne-n0与 电场强度E 成正比 ,而泡克耳效应的两束偏振光的折射率之差ne-n0 与所加 所加电场E 成正比。16何为磁光效应?目前在磁光效应方面,主要是哪两种效应来获得光偏振调制?“法拉第”旋光效应偏振光在磁场内偏振面旋转的角度表达式如何? 答:磁光效应指的是介质或晶体在磁场作用下,其光学性质发生变化的各种现象。主要利用“法拉第”旋光效应和科登-穆顿效应来获得光偏振调制。 “法拉第”旋光效应指的是某些物质在磁场的作用下,能使通过该物质的偏振光振动面产生旋转的现象。 在磁场内偏振面的旋转角度 =VBL 交变磁场 B=B0sint 调制光强 I=I0cos(-BVLsint) 17光的频率调制,主要是指光学_多普勒_频移18波长调制有哪几种(至少举三种)?下图为利用热色物质颜色变化的波长调制来检测液体温度的示意图,说明其检测原理。答:(1)利用热色物质的颜色变化进行波长调制 检测原理:白光进入热变色溶液,其反射光经650nm 和800nm 的滤光片,由探测器接收。上图所示的热变色溶液,温度为20o C 时,在500 nm 处有个吸收峰,溶液呈红色;升到75o C 时,在650 nm 处也有一个吸收峰,溶液呈绿色。在波长为650 nm 时,光强随温度变化最灵敏;在波长为800 nm 时,光强与温度无关。因此,选这两个波长进行检测(即波长检测)就能确定外界物理量。(2)利用磷光(荧光)光谱的变化进行波长调制(3)利用黑体辐射进行波长调制(4)利用滤光器参数的变化进行波长调制19. 放大器的电压放大系数通常是频率的复函数,可以写成 Au=Au(j)= Au(j)ej() . 式中f是频率,是角频率,Au(j)表示放大器的放大量与频率的关系,称为 幅-频特性 ,()表示放大器输出相对于输入的相位差与频率的关系,称为 相-频特性 ,它们合称为放大器的频率特性,也称为频率响应。 21.利用理想运算放大器的近似条件写出下列各图的u0的值u i+uoRR2CuIRuOARRfC图a图b 答:图a:u0= - (u1+u2+ un)图b:u0= - RC图c:图d:u01=(1+ )U1 + U2=U1-(U2-U1) u02=(1+) U2 - U1= U2+( U2 U1) U0=(U01-U02)=(1+)(U2+U1)21 .上题的图b中,当输入为方波时,输出为尖脉冲波;图C中,当输入为方波时,输出为三角波,当输入为正弦波时,输出为余弦波;图d中,当输入为方波时,输出为方波,当输入为正弦波时,输出为正弦波 。22 指出下面两图各何种滤波器,分别写出其传递函数及幅频特性表达式 RR1RFC+-+RR1RFC+-+ 答:图一:一阶有源滤波器图二:一阶有源高通滤波器传递函数: 频幅特性:传递函数:频幅特性: RR1RFC+-+CR 23. 写出下图的传递函数答: AF=1+RF/R1 24下图所示为开关电容滤波器,画出其等效电路并写出其传递函数 答: 等效电路:25下图为迟滞比较器电路,请写出其迟滞宽度 (上门限电压UIH 和下门限电压UIL 之差) U表达式. 答:UREF 为参考电压;输出电压 uO 为 +UZ 或 -UZ;uI 为输入电压。 当 u+ = u- 时,输出电压的状态发生跳变。 若uO = +UZ,当uI逐渐增大时,使uO由+UZ跳变为-UZ所需的门限电平UT+若uO= -UZ ,当uI逐渐减小时,使uO由-UZ跳变为+UZ所
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