微机原理接口技术课件4.ppt

第一章8086程序设计第二章MCS 51程序设计第三章微机基本系统的设计第四章存贮器与接口第五章并行接口第六章计数器 定时器与接口第七章显示器与键盘接口第八章串行通信及接口第九章数模转换器和模数转换器接口 本章知识点 常用存贮器 微处理器与存贮器的连接 存贮器信息的断电保护 本章知识点 常用存贮器 微处理器与存贮器的连接 存储器信息的断电保护 常用存贮器 只读存储器 只读存储器 只读存贮器 ROM 的信息在制造时或通过一定的编程方法写入 在系统中通常只能读出不能写入 在断电时 其信息不会丢失 它用来存放固定的程序及数据 如监控程序 数据表格等 只读存储器 只读存储器 EPROM能够重复编程光檫除 整片一起檫除写入数据的字节数无限制用编程器编程 EPROM27648KX8字节存储器 只读存储器 2764工作方式 只读存储器 由于EPROM的擦或写均需专用设备 在使用时即使只要求修改一个或少数几个数据也需要将其从系统中取出 编程后再装入系统 只读存储器 光擦除的EPROM用于存放程序或固定的数据 通常只需采用其读出工作方式 CE为片选信号 OE为程序存储器的读信号 只读存储器 EPROMAT27C256R32KX8字节存储器 只读存储器 27C256R工作方式 只读存储器 只读存储器 只读存储器 E2PROM能够重复编程电檫除 在写入的同时檫除字节与页 64字节 的写入方式写入包括了数据锁存与编程编程时间10mS可在系统中编程 E2PROMAT28C25632KX8字节存储器 只读存储器 只读存储器 AT28C256的工作方式 E2PROMAT28C256的数据读出类似于静态RAM SRAM 的数据读出 只需提供地址信号和读控制信号即可 当 CE和 OE为低 WE为高时 存储在由地址信号决定的存储单元内的数据呈现在数据输出端 只读存储器 AT28C256的数据写分为字节写入和页写入两种模式 在器件内包含了一个64字节的页寄存器 允许最多写入64个字节 一页 的数据 写入操作包括数据锁存和编程2个过程 写周期最大为10ms 在写入操作的同时 原先的数据即被擦除 AT28C256不需提供额外的高编程电压 外部只需提供5V的电压即可 只读存储器 只读存储器 在字节写入模式时 一个字节的数据先被锁存 接着进行编程操作 当 OE为高时 如 CE为低 WE输入一负脉冲或 WE为低 CE输入一负脉冲 写周期开始 CE和 WE相或 其下降沿锁存地址信号 上升沿锁存数据信号 字节写周期开始后 时序自动控制编程操作完成 只读存储器 在页写入模式时 允许1到64个字节的数据在一个编程周期写入 页写入操作的开始类似于字节写入 在第一个字节的数据锁存后 接着输入1 63个额外的字节 每个接着的字节必须在前一个字节结束后的150 s 字节装入周期 之内 如超过字节装入周期的规定时间 AT28C256将终止数据写入 并开始内部编程操作 只读存储器 只读存储器 FlashMemory能够重复编程电檫除 在写入的同时檫除整页 64字节 的写入方式写入包括了数据锁存与编程编程时间10mS可在系统中编程 只读存储器 FlashMemoryAT29C25632KX8字节存储器 只读存储器 AT29C256的工作方式 只读存储器 AT29C256的编程基于整页操作方式 即先通过写操作将64字节 一页 的内容装入器件 然后同时编程 因此 编程操作包括了数据装入和编程两个部分 只读存储器 AT29C256的整页编程方式要求在一页中的一个数据需修改 整个页的数据必须都装入器件 在编程时 一页中未装入的数据将为不确定数据 随机存取存储器 随机存取存储器 随机存取存贮器可根据需要写入或读出数据 随机存取存储器可以分为静态RAM 铁电存储器 FRAM 及动态RAM 随机存取存储器 随机存取存储器 SRAM能够重复编程电檫除 在写入的同时檫除字节与页 64字节 的写入方式写入包括了数据锁存与编程编程时间10mS可在系统中编程 随机存取存储器 SRAM62648KX8字节存储器 随机存取存储器 6264的工作方式 随机存取存储器 静态RAM用于存放数据或作为程序运行时工作单元 因此在使用时不仅需利用它的读出方式 还需用到它的写入方式CS信号为片选信号 OE为存储器读出控制信号 WR为存储器写入控制信号 随机存取存储器 随机存取存储器 FRAM信息在掉电后不会丢失读写时序与SRAM相同 随机存取存储器 FRAMF16088KX8位存储器 随机存取存储器 F1608的工作方式 随机存取存储器 铁电存储器与静态RAM时序的差异是 FRAM的片选 CE信号具有双重作用 第一是锁存写入数据的地址 第二是在 CE为高电平时产生必要的内存预充电时间 因此在设计接口时 不能像静态RAM一样将 CE引脚接地 随机存取存储器 随机存取存储器 对于大容量的存储器采用动态RAM较经济 其功耗小于同样容量的静态RAM 存取速度也较快 但它需要刷新电路 每隔一定的间隔需对其刷新 使各个单元的信息得到保持 和静态RAM不同的是 动态RAM除了读写操作外 还需定时刷新 随机存取存储器 IS41C16256262144X16位高性能CMOS同步随机存储器 行与列地址的输入形式数据的刷新 随机存取存储器 本章知识点 常用存贮器 微处理器与存贮器的连接 存储器信息的断电保护 微处理器与存贮器的连接 EPROM2764 27C256E2PROM28C256FlashMemory29C256SRAM6264FRAM1608 微处理器与存贮器的连接 微处理器与存贮器的连接 数据信号与数据总线的连接地址信号的译码读控制信号数据 程序存储器统一编址 数据读信号数据程序存储器分别编址 数据读 程序存储器选中信号数据写入控制信号 WR 微处理器与存贮器的连接 数据程序存储器统一编址程序存储器指令的读出用读信号 RD程序的写入用写信号 WR数据存储器指令的读出用读信号 RD数据的写入用写信号 WR 程序存储器 数据存储器 读信号 RD 写信号 WR 微处理器与存贮器的连接 微处理器与存贮器的连接 数据程序存储器分别编址程序存储器指令的读出用程序存储器读信号程序的写入用数据写信号 WR数据存储器指令的读出用数据读信号 RD数据的写入用数据写信号 WR 微处理器与存贮器的连接 读信号 RD 写信号 WR 程序存储器 数据存储器 程序存储器选中 89C51扩展2片6264地址0000H 2000H地址分离采用74LS373数据线驱动采用74LS245 微处理器与存贮器的连接 微处理器与存贮器的连接 74LS373 74LS245 本章知识点 常用存贮器 微处理器与存贮器的连接 存储器信息的断电保护 存储器信息的断电保护 SRAM与FRAM具有同样的读写时序在微机系统中采用FRAM不必考虑断电保护问题在微机系统中采用SRAM应考虑断电保护问题 存储器信息的断电保护 利用静态RAM的低电压保持信息的功能 对这些静态RAM采用后备电源供电 静态RAM6116 6264都具有这一功能 当VCC大于2V 而片选信号 CS VCC 0 2V时 能以极小的功耗保持其存贮的信息 此时流过电路的电流仅1 100 A 存储器信息的断电保护 存储器信息的断电保护 正常供电 存储器信息的断电保护 在正常供电时 D1导通 D2截止 电池不起作用 6116或6264的电源电压为5V减去二极管的压降 三极管的导通与否受到译码器输出的控制 当译码器输出为低电平时 三极管导通 该存贮器被选中 当译码器输出为高电平时 三极管截止 该存贮器未选中 断电 存储器信息的断电保护 在断电时 D1截止 D2导通 由电池供电 6116或6264的电源电压为电池电压减去二极管的压降 三极管的基极电压为零 因而此三极管截止 存贮器的片选端与