半导体存储器和可编程逻辑器件.doc

第九章 可编程逻辑器件第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件8-1ROM由主要由哪几部分组成？8-2试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同？8-3PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点？8-4RAM由主要由哪几部分组成？各有什么作用？8-5静态RAM和动态RAM有哪些区别？8-6RAM和ROM有什么区别，它们各适用于什么场合？8-7试用ROM实现下列组合逻辑函数。8-8 比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同？8-9 试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示，写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D的逻辑关系表达式。图题8-98-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示，写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？8-12在下列应用场合，选用哪类PLD最为适合。（1）小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。（2）产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。（3）要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。图题8-108-13选择题1一个容量为1K8的存储器有 个存储单元。A.8 B.8K C.8000 D.81922要构成容量为4K8的RAM，需要 片容量为2564的RAM。A.2 B.4 C.8 D.323寻址容量为16K8的RAM需要 根地址线。A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K4若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线（即字线加位线）共有 条。A.8 B.16 C.32 D.2565某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为 。A.83 B.8K8 C.2568 D. 2562566.采用对称双地址结构寻址的10241的存储矩阵有 。A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列7随机存取存储器具有 功能。A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写8欲将容量为1281的RAM扩展为10248，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为 。A.1 B.2 C.3 D.89欲将容量为2561的RAM扩展为10248，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为 。A.4 B.2 C.3 D.810只读存储器ROM在运行时具有 功能。A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写11只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变12随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变13一个容量为5121的静态RAM具有 。A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根14用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 相应地并联在一起。A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线15PR