工艺材料及性能.doc

材料进口陶瓷基片厚度：0.38mm，0.25mm国产陶瓷基片厚度：0.4mm，0.5mm，0.8mm，1.0mm1.1导电胶品名特性Ablestik 84-1A填充：银粘度：18,000cps25固化条件： 10min/6min180/200冲模抗切强度（70miF 1C）：6000psi25体电阻率：0.0005/cm粹取水杂质离子含量 氯化物：50ppm钠：5ppm钾：5ppm导电率：35umhos/cm玻璃化转变温度（Tg）：99热膨胀系数：53ppm/（温度小于Tg），23ppm/（温度大于Tg）热传导系数：1.9W/mK121存储时间：1年-40AITME8456无应力，大面积芯片固定体电阻率：4*10-4/cm热传导率：7.9W/m冲模抗切强度：2000psiTg：-20粘度：130,000cps0.5rpmME8550DA高生坯强度，抗湿体电阻率：4*10-4/cm热传导率：7.9W/m冲模抗切强度：1000psiTg：-55粘度：20,000cps0.5rpmDAD-87粘度：1500025000mpa.s体积电阻率：5.0*10-4.cm室温剪切强度：4.0MpaAl, 6.4Mpa铝合金, 9.9Mpa黄铜,0.5Mpa紫铜,8.2Mpa镀金8.6Mpa镀银,10.4Mpa镀镍,2.0Mpa200粹取水杂质离子含量 钠：5mg/g 氯离子：10g/g玻璃化转变温度（Tg）：99热分解温度：341电阻温度系数：0.0022/EPOXY TECHNOLOGY H37MP固化温度：1501h粘度：2200026000cps10rpm23玻璃化温度：90，芯片剪切力：10Kg/3400psi体电阻率：0.0005/cm导热率：1.59W/mK热膨胀系数：52*10-6148*10-6/in/in/失效温度：358最大连续操作温度：200操作时间：28天1.2绝缘胶型号特性ME7156无应力，不匹配热膨胀系数（mismatched CTEs）体电阻率：1014/cm热传导率：1.7W/m冲模抗切强度：2400psiTg：-25粘度：144,000cps0.5rpmME7159无应力，diamond filled体电阻率：1014/cm热传导率：11.4W/m冲模抗切强度：1800psiTg：-25粘度：310,000cps0.5rpm1.3焊锡AuSn1.4外贴元器件 薄/厚膜工艺不能提供的分立元器件（1）电阻器常用的为贴片电阻器、非包封电阻器。贴片电阻是将金属粉和玻璃铀粉混合，通过丝网印刷在基板上制成的电阻器。耐潮湿、高温，温度系数小。工作温度-55125，最大工作电压与尺寸有关，一般有50V，150V，200V。非包封电阻器带有引线，可满足特殊场合和性能。典型的由1/8瓦碳合成电阻器和1/20瓦金属膜电阻器。（2）电容器焊盘常用芯片尺寸与推荐的焊盘尺寸芯片芯片尺寸(mm)焊盘尺寸(mm)2p, 9.4p0.6*0.540.9*0.920p0.6*0.60.9*0.945p0.84*0.841.2*1.290p, 140p, 180p, 200p1.0*1.231.4*1.633560.38*0.380.7*0.75810.4*0.650.8*1.095110.38*0.380.7*0.7414000.25*0.250.5*0.5221, 10p, 6p 0.3*0.3540.5*0.5最大0.6*0.6对焊盘的要求：（1）用环氧胶粘接时，焊盘的边长应比芯片对应边长200um以上（2）用共熔焊贴片时，焊盘边长应比芯片对应边长300um以上（3）焊盘尺寸应比片状元件尺寸大200um 以上（4）贴片焊盘边缘到相邻图形的间距，推荐200um以上，最小100um工艺电路互联：将外贴元器件组装到混合集成电路中去。互联分类为：合金键合、固相键合、熔焊、导电胶粘合。键合的有关规定(1)键合点与贴装元件边缘距离大于0.4mm(2)芯片边到基片上的键合点最小距离是0.3mm(3)键合点到管壳壁的最小距离是1.0mm(4)布线图上点到点测量的焊线最大长度小于2.5mm(5)键合线尽量在x,y方向，尽量减少斜线(6)键合线禁止跨过贴装元件。2.1金线键合熔断电流：17.5um0.3A，30um0.6A，50um1.4A额定电流：25um250mA2.2硅铝线键合熔断电流：25um0.5A额定电流：25um200mA2.3封装封装材料室温膨胀系数（*10-6/）密度（g/cm3）室温热导率(W/（cm.）)杨氏模量（/GPa）金属4J-294.55.58.170.19254J-424.45.68.120.1523冷轧钢7.98.300.6020Cu17.08.963.80135陶瓷AlN4.33.261.80330BeO7.82.901.25350Al2O35.73.600.167380项目单位AlNAl2O3BeOSiC热导率W/(cm.)1.80.1671.25热膨胀系数*10-6/（25400）4.37.38介电常数1MHz8.88.56.5介电损耗*10-4/1MHz51035体积电阻率.cm101410141014介电强度Kv/mm151010密度g/cm33.263.92.9抗弯强度MPa392490235255167毒性无无有成本适中低高商品化程度高高高基片贴装方法：合金贴装和环氧贴装（1）合金贴装AuSn焊片，温度310-320（2）环氧贴装焊接工艺（1）器件焊盘与基片金属化焊区之间键合Al/Au（2）倒装焊接：通过芯片表面的焊锡凸点对应的焊接到基片的焊盘上进行键合。（3）自动载带焊接（TAB），芯片焊到经过特殊设计的聚酰亚胺载带上，以便使芯片在装到芯片上之前，可以预先进行电性测试和老炼。（1）非气密性树脂封装技术传递模注塑封型、液态树脂封装型、树脂块封装性。（2）气密性封装钎焊气密封装技术、激光熔焊封装技术（可靠性更高）钎焊技术将金属外壳固定在多层布线板上，要求焊料与被钎焊材料之间有良好的浸润性，且与焊料的互相扩散尽量小。通常采用Sn63/Pb37焊料。氧化铝布线板最好采用可伐合金外壳，金属外壳和氧化铝基板电镀Ni/Au层或Au层，以改善浸润性。焊接时在大约240下