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文档简介

泉州师范学院理工学院主讲人 袁放成 多媒体教学课件 模拟电子技术基础 第四版 FundamentalsofAnalogElectronics华成英童诗白主编 模拟电子技术课程 教材 常用半导体器件 3 PN结的电流方程 4 PN结的伏安特性 图1 1 8PN结的伏安特性 P16 反向击穿区 击穿原因 PN结内大量共价键被破坏而生成大量的自由电子 三PN结 续 1 1半导体基础知识 常用半导体器件 什么是N型半导体 什么是P型半导体 当两种半导体制作在一起时会产生什么现象 为什么采用半导体材料制作电子器件 空穴是一种载流子吗 空穴导电时电子运动吗 PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律 问题讨论 5 PN结的电容效应 势垒电容Cb 利用反偏电容特性可制成变容二极管 图1 1 9PN结的势垒电容 P17 常用半导体器件 扩散电容Cd 总电容Cj Cb Cd 一般情况下结电容较小约为几个pF 常用半导体器件 常用半导体器件 1 2半导体二极管 一半导体二极管的几种常见结构 图1 2 2二极管的几种常见结构 P18 常用半导体器件 二二极管的伏安特性 注意 1 正向存在两个区 存在开启电压Uon 2 反向也存在两个区 图1 2 3二极管的伏安特性 P19 常用半导体器件 3 温度对半导体二极管伏安特性的影响 图1 2 3二极管的伏安特性 P19 温度太高时可能导致单向导电性被破坏 三二极管的主要参数 手册上给出的主要参数 1 最大整流电流IF 二极管长期使用时 允许流过二极管的最大正向平均电流 2 最高反向工作电压UR 击穿电压U BR 的一半 常用半导体器件 3 反向电流IR 衡量管子质量好坏的参数 二极管未击穿时的反向电流 在交流电路中 二极工作时的上限频率 4 最高工作频率fM 四二极管的等效电路 1 理想二极管模型 u 0 iD 0 正向导通 导通电压即二极管端电压UD 0V u 0 iD 0 反向截止 二极管呈高阻状态 等效电路符号 常用半导体器件 当电源电压和电阻R较大时 二极管可等效为理相二极管 2 恒压源模型 u Uon iD 0 正向导通 导通电压即二极管端电压恒UD 0 7V 硅管 u 0 iD 0 反向截止 二极管呈高阻 等效电路符号 当电源电压不太大但电阻R较大时 二极管可等效为恒压源模型 3 具有正向电阻的二极管模型 u Uon iD 0 正向导通 导通电压与正向电流有关 伏安特性近似为线性特性 二极管的正向电阻为rD u 0 iD 0 反向截止 二极管呈高阻状态 等效电路符号 常用半导体器件 例1理想二极管电路如下图所示 试判别电路中的二极管是导通还是截止 并求输出电压UO D2 D1 4V 2V R UO D1 D2 UO 12k 6k 6k 6V 6V A a b 常用半导体器件 解 常用
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