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LED新光源 技术部 陆恒注明：为使文章翻译后连贯，本文少部分内容为互联网，论文，期刊及其他媒体上摘录，可能因为时间的关系，存在不实之处，敬请谅解。 何为LED：简单的讲，LED就是一个发光二极管，就是一种能将电能转换为光能的半导体，目前所指LED光源通常为组装后的。下图为传统 5mm发光二极管的构造图: 从构造图分析，整个发光二极管去除LED芯片部分涉及工艺技术问题无法解决外，其它问题都是可以克服的，至于其它的，例如：灯具设计，电路方面均对我厂所要上的生产线不会产生很大的困难。LED的历史： 1962年，Red LED由GE公司开发 GaAsP，这就是第一个使用的LED，并形成了碳化硅衬底的垄断；1993年，由日本Nichia公司的中村修二开发出 GaN Blue&Green LED，并形成了蓝宝石衬底的垄断，目前我国已有多家科研院所和高校在GaN基LED的Si衬底开发上取得进展，并成功制备了世界上最大的泡生法生长出来的蓝宝石单晶。同其他光源一样，LED也是由红绿蓝三基色组成，因此用不同材料和工艺制造可以产生自然界所有颜色。LED的优势： 1高能效：同白炽灯相比节省80%，同荧光灯相比节省60%：发光效率同白炽灯相比提高20倍，同荧光灯相比提高5倍。从照明协会发布的数据看，未来用LED只需代替三分之一的荧光灯，每年将节省一个三峡发电站。2寿命长：是白炽灯的50倍，荧光灯的6倍，理论上可以点亮100000-120000小时。 3污染小：LED替代荧光灯后每年将减少8000万吨CO2，65万吨SO2，32万吨NO2；减少Hg的危险；无红外线和紫外线的发射。 4智能灯：小尺寸光源，色彩再现良好、瞬时点亮；可进行传统光源无法进行的等级控制；分光光谱、色温、零食调制、偏振。LED应用的六大领域： 显示屏，小尺寸背光源（手机屏），车灯（BMW、奔驰），室内装饰，景观照明，通用照明。 随着新型发光技术的发展，诸如白炽灯和荧光灯等低效率发光设备将逐渐从市场上消失，美国和欧盟已经制定新法，在2-3年内淘汰低效率的白炽灯。反观国内，对半导体（LED）照明行业的国家支持计划（从2006年开始的5年计划），直接导致LED行业保持火热的势头一直走下去。尤其是LED在2008的表现，不用说奥运开幕式4.5万颗LED组成的“梦幻五环”，也不必细数几千平米的显示屏，更不必说“神舟七号”翟志刚使用的LED照明，我们只需去看，天津工业大学2000盏LED路灯示范区，广东“千里十万”路灯工程，东莞22100盏LED路灯。随处可见，LED作为第三代照明光源，正在以摧枯拉朽之势替代白炽灯，正在以它的蓬勃发展争夺每一块照明市场。LED产品的制造过程：外延：高技术领域，用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长化合物半导体制作外延晶片芯片：中技术领域，在外延晶片上形成电极，制作芯片封装：中低技术领域，封装支架焊线与芯片的电极连接，用树脂密封来封装芯片以制作LED灯。应用：低技术领域，用LED灯制作各种应用产品。MOCVD（外延片生长设备）：全称Metal Organic Chenical Vapor Deposition (有机金属化学气象沉积)目标生产能力：45005000外延片/月生产工序配置：劳动力计划：总人数180人，其中工程师10人，操作工170人。工作计划：每日白班，中班，夜班三倒，每日24小时，365天工作制。使用面积：外延车间：560m2(洁净度 10，000) 芯片车间：700 m2 其它：500 m2设备：外延：15台MOCVD；9台其他设备 芯片：约45台设备包括曝光机 其它：约20台设备包括 CDA/PCW/DI/GN2/H2/Cooling&换气设备 普士达股份有限公司及其产品简介该公司创立于2007年8月，英文名Firstar Photon Co.,Ltd，现任执行总裁为严澈（Yim，Heechoul），公司总部位于韩国京几道龙仁市处仁区慕贤面草芙里562号，业务类别及公司定位为“发展服务于半导体技术”，主要产品PSS和LED生产设备。总部联系方式：电话：+82 31 339 2970； 传真：+82 31 339 2972工厂联系方式：电话：+82 62 605 9568 邮箱：firstar0802H公司主页： (暂无中国大陆注册网址)公司产品：以蓝宝石为衬底进行外延的生长PSS，经典尺寸“2”“3”“4”（单位英寸）。1 PSS产品概述：可选择的晶片尺寸分别为2英寸，3英寸，4英寸。（注：1英寸=2.54cm）生产能力：5000片/月。设备包含：步进，跟踪系统，等离子体刻蚀，湿浴晶圆大小：高度1.3m1.9m 底部（最大径） 1.8m3.8m （注：1m=10-3mm） 可选晶圆厚度：430m900m一致性：在2%的范围之内，任意两个之间差异保持在3%范围内。销售范围：中国，日本，美国2 PSS生产的过程光致抗蚀剂涂层-持续步进暴露-暴露扩展生长-仪器ICP-RIE干化 外界条件紫外光照射 等离子体照射分划板 变化图：光致抗蚀剂（长条） （圆柱） （半球）蓝宝石衬底 蓝宝石衬底 蓝宝石衬底3 PSS设备组成：步进系统+等离子体刻蚀+跟踪系统+湿浴+测量仪器4 PSS晶块列表产品代码晶块（m）蚀刻纵深基部尺寸D0B4*7C0D3*22.03.3B5C2.5*B8B2.8*1.21.883.26B0A2*11.562.42A5A1.5*11.331.845 检验标准：等级分为A B C等级圆度地带宽度伤痕缺陷A2mm,忽略不计4mm,忽略不计无伤痕B2mm忽略不计4mm,忽略不计1点伤且长2mmC2mm忽略不计2mm晶块形状因客户需求而定默认标准：深：1.71.9m底径：2.83.1m6 PSS的生产过程D 1.90 D1.84 D1.78 均是芯片尺寸千分之二十四mil（约0.61 um）；D 1.56 芯片尺寸千分之十四mil（约0.356 um）。7 PSS的深度和强度8外延生长设备（MOCVD：NEXTPAK NEP2007） 注意事项：安装环境无尘，且位于房间的中央便于操作。9 GaN 外延生长同PSS的标准电子组件过程成像。 缓冲型号U1GaN输入电压400s+1200s+2400s 型号U2 GaN输入电压1000s