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文档简介

西北师范大学物理与电子工程学院20082009学院度第1学期 微机原理与接口技术 课程期中考试试卷序号 班级 姓名 任课教师 题号一二三四五六七八九十总分分数一、填空(每空1分,共20分)1下列各数均为二进制补码:a=00110010B b=01001010B c=11101001B d=10111010B,试求下列运算的十进制数真值:a+b= d-c-a= 2设机器字长为8位,写出真值-0010101B表示的二进制数原码、补码和反码。原码= 补码= 反码= 3MOV DL,86 ADD DL,0AAH 上述两条指令执行后,标志寄存器中各标志位和DL的值是:DL CF= OF= AF= SF= ZF= 4存储器芯片2114的存储量为10244, 若用2114 构成16KB的存储器,需要 片2114。5设(CS)=4000H,(SS)=6000H,(IP)=200H,则IP所指的物理地址为 。6设堆栈指针(SP)=0110H,顺序执行下面三条指令后,PUSH AX;PUSH BX;POP AX。SP的内容是 。7设某程序中数据定义如下:A DW ?B DB 2 DUP(0,1)C DB 1234D EQU $-A则,变量D的值是 。其表示的意义是 。8已知某门电路的IOH=15mA ,IOL=24mA ,它的IIL=0.2mA ,IIH=0.1mA 。若用这样的门可驱动同样的门理论上可驱动 个。实际应用时 , 一般不超过 个。98086/8088在最大工作模式中,8086/8088CPU不直接提供用于 等控制信号。10在指令MOV AX,ES:BX中,采用的是 寻址方式。二、分析程序填空(每空1分,共10分)1如果当前(DS)=2000H,(BX)=1000H,(21000H)=0FFH,(21001H)=0FFH,程序如下:MOV CL,16MOV AL,BXINC BXMOV AH,BXROL AL,CL执行完之后,(AX)= ,CF= 。2 DA1 DB 34 MOV AL,DA1MOV AH,0MOV CX,3MOV DL,10LOP:DIV DL MOV BL,AH MOV BH,0 PUSH BX LOOP LOP当执行完这段程序时, 它向堆栈压了 个数, 压入的第一个数值是 , 执行后(AL)= 。3下面程序段是判断DA1和DA2两个字存储单元中的数是否同为正数,若是则将0AX中,否则-1 AX,试在每一个空白处各填上一条条件分支指令(两个空白处要求利用不同的标志位,选用适应的条件分支指令)。 MOV AX,DA1 MOV BX,DA2 XOR AX,BX TEST BX,8000H MOV AX,0 JMP DONENEXT:MOV AX,-1DONE:4下面程序段完成的功能是: 请将该程序补充完整。 X DB 25HY DB ? MOV AL,X PLUS PLUS:MOV Y,AL HLT三、接口03FBH的BIT5为状态标志,当该位为1时,表示外设忙;当其为0时,表示可以接受数据。当CPU向接口03F8H写入一个数据时,上述标志就置1;当它变为0状态时,又可以写入下一个数据。根据上述要求,编写程序,将当前数据段偏移地址为SEDAT的顺序50个单元中的数据由接口输出。(12分)四、编写程序,在屏幕上显示“西北师范大学物理与电子工程学院”的英文名称。要求:调用09H号功能写出完整程序。(10分)五、试判断8088系统中存储系统译码器74LS138的输出,和所决定的内存地址范围,见图1。(8分)六、已知SRAM芯片如图2所示。(15分)1利用该芯片构成从B2000HBDFFFH的内存,试画出连接电路图。(8分)2从地址B2000H开始,顺序将00,01,FFH重复写满上面构成的内存,编写程序。(5分)3若发现上面构成的内存中无论写入什么数据,读出数据的D3总为1而其他各位均正常,试说明出现该故障的原因。(2分)七、假定已定义了以下数据段 DATA SEGMENT BUF DW 7F6AH COUNT DW ? DATA ENDS试编程统计单元BUF中“1”的个数,存入COUNT单元。(10分)八、求 ,分别存放在XBUF和YBUF单元中,所得结果存放FBUF中,要求用子程序完成。(15分)(提示:一个整数平方根可通过将该整数依次减去1,3,5,7,9,(n-1)的奇数, 所够减的次数即为平方根的结果。)20072008学院度第1学期 微机原理与接口技术 课程期中考试试卷参考答案一、填空(每空1分,共20分)1a +b01111100+124;d-c-a=10011111=-972原=10010101B ;补=11101011B ;反=11101010B3DL=30H,CF=1,OF=1,AF=1,SF=0,ZF=0432540200H6SP=010EH711 ;变量A,B,C所占有的存储单元的字节数。8120 ;209存储器或I/O读写的读写命令10寄存器间接寻址二、程序填空(每空2分,共20分)1(AX)=0FFFFH ;CF=123 ;0004H ;(AL)=00H3JS NEXT ;JZ NEXT4OR AL,AL ;JNS ; NEG AL三、(12分)解:这是利用查询外设状态,向接口输出数据的问题,每输出一个数据,等待外设不忙,在输出下一个数据,依次将要求的数据全部输出。编程如下:SEDAT: MOV CL,50 MOV SI,OFFSET SEDATGOON: MOV DX,03FBHWAIT: IN AL,DX ;取外设状态 TESE AL,20H JNZ WAIT MOV AL,SI MOV DX,03F8H OUT DX,AL ;由接口输出数据 INC SI DEC CL JNZ GOON HLT四、(10分)解:DATA SEGMENTSTRING DB Physics & Electronics Engineering College of Northwest Normal University,0DH,0AH,$DATA ENDSCODE SEGMENT ASSUME CS:CODE,DS:DATA MOV AX,DATA MOV DX,AX MOV DX,OFFSET STRING MOV AX,09H MOV AX,4CH INT 21HCODE ENDS END五、(8分)解:根据图1所示的译码电路,我们分析此译码器的特征如下:A19A18A17A16A15A14A13A12Y0Y4Y6Y7地址范围1000000译码输入10000000080000H81FFFH100000011110000000C0000HC1FFFH11000001110001000088000H89FFFH100010011110010000C8000HC9FFFH1100100111000110008C000H8DFFFH100011011110011000CC000HCDFFFH1100110111000111008E000H8FFFFH100011111110011100CE000HCFFFFH110011111六、(20分)解:1、图2所示的SRAM芯片是一片容量为16KB的芯片,要构成的内存空间为48KB,因此需要三片SRAM芯片。画出连接图如图所示。2、按题目的要求编程如下:PORWMY:MOV DX,0B000H MOV DS,DX MOV SI,20000H MOV CX,0C000H MOV AL,00HGOON: MOV SI,AL INC SI INC AL LOOP GOON HLT3、这种故障很可能是总线上的D3断开,没有连接到芯片上,当读内存时,D3是悬空的,而悬空状态读出来一般会呈现高电平。也有可能D3与+5v短路,不小心碰到一起,则有可能使D3总为高电平。但这种情况会使CPU不能正常工作,甚至损坏器件。七、(10分)解:算法:一个字节中含有8位二进制数,先取1字节数据,将其左移或右移,通过判断进位标志位CF,当CF=1时计数,完成8次循环后,该1字节数据才处理完,然后再取下1字节数据重复8次移位,判断计数,直到2个字节数据都处理完为止。显然这是一个双重循环,内循环为8次,外循环为2次。流程图和完整程序如下:DATA SEGMENT BUF DB 7F6AH COUNT DW ?DATA ENDSCODE SEGMENT ASSUME CS:CODE,DS:DATA MOV AX,DATA MOV DS,AX MOV SI,OFFSET BUF MOV CX,2;外循环次数CXREPT0:XOR BX,BX;BX清零,存放结果寄存器 MOV DH,08H;内循环次数 MOV AL,SI;取第1个数REPT1

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