模拟电子技术基础期中试卷02.doc

一、填空题（每空1分，共28分）1.PN结正向偏置时 ，反向偏置时 ，这种特性称为PN结的 。2.最常用的半导体材料有 和 。3.硅二极管导通时的正向压降为 伏，锗二极管导通时的正向压降为 伏。 4引起放大电路静态工作点不稳定的主要因素是 ，最常用的稳定静态工作点的放大电路是 。5.晶体三极管有两个PN结，即 结和 结，在放大电路中 结必须正偏， 结必须反偏。6.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 、 和 。当三极管工作在 区时，关系式ICIB才成立；当三极管工作在 区时，IC0；当三极管工作在 区时，UCE0。7.桥式单相全波整流电路组成有 ， ， 。9三极管的基本联接方式有：共发射极接法、 、 。10.在单级共射放大电路中，输出电压vo与输入电压vi，它们频率 ，相位 ， 被放大，二、选择题 （每题2分，共20分）11. 二极管两端加上正向电压时（ ）A一定导通 B超过死区电压才能导通C超过0.7伏才导通 D超过0.3伏才导通12. 二极管最主要的特性是：A.单向导电特性B.放大特性C.稳压特性D.发光特性13.半导体稳压管的稳压性质是利用下列哪特性实现的:APN结单向导电特性； BPN结的反向击穿特性； CPN结的正向导通特性； DPN结反向截止特性。14要将交流电转换成直流电，应采用的方法是:A变压 B整流 C滤波 D稳压15.如图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（ ）AAOD BAOC CBOC DBODV1V2RVi=20VVo+第15题图 第16题图16. 电路如图所示，已知两个稳压管的V1=5V、V2=7V，它们的正向压降均为07V，则输出电压为( )。A.5伏 B.77伏 C.12伏 D.57伏17. 在直流稳压电源中加滤波电路的主要目的是( ) A、变交流电为直流电 B、去掉脉动直流电中的脉动成分 C、将高频变为低频。 D、将正弦交流电变为脉冲信号18.NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，晶体管（ ）A、基极电流不变 B、集电极对发射极电压VCE下降C、集电极对发射极电压VCE上升 D、基极电流减小19在三极管输出特性曲线中，当时IB=0时IC等于（ ） AICM BICBOCICEO D.020. NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（ ）A. UCUBUE B. UCUBUEUB D.UC UE UB三、判断题：（每题2分，共20分）21. （ ）晶体二极管击穿后立即烧毁。 22. （ ）用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。23. （ ）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以 极 e 和 c 极 可 以 互 换 使 用。 24.（ ）要保证晶体三极管工作在放大区，必须使发射结和集电结都处于正偏情况。 25.（ ）用万用表测得电子线路中晶体管的UCE0V，则该管子处于饱和状态。26（ ）三极管由三个PN结构成的一种半导体器件。27（ ）万用表的黑表笔接基极，红表笔分别和另外两个电极相接，如果测得的电阻都较小，则是PNP管。28.（ ）必须在不失真的条件下，才能考虑计算电压放大倍数。 29.（ ）晶体三极管具有能量放大功能。 30.（ ）共射基本放大器中，基极偏置电阻过小，容易产生饱和失真。 四、分析计算题：（共4小题 共计32分）31根据如图所示三极管的各管脚电位，试分析其工作状态，其中NPN型管为硅材料，PNP型管为锗材料。（6分）（1） （2） （3） 32.有一单相桥式电容滤波电路如图所示，已知交流电源为频率f=50Hz的市电，负载电阻RL=200，要求直流输出电压VL=30V，试求：（10分） （1）请在图上标出负载电阻的电压极性及电容的极性。 （2）变压器副边电压V2为多大？ （3）计算整流二极管中通过的电流及承受的最高反向电压值。33.已知三极管的=100，Ib=10A，则该管的Ic=？ Ie=？（6分）34. 电路如图所示，RB