南昌大学2012届论文全套格式.doc

注：完成格式模板的相关内容后，注意删除标注部分。直接复制标题：宋体30磅加粗，行距固定值67磅，段前段后0行。标题：宋体32磅加粗居中，行距固定值67磅，段前段后0行。宋体三号加粗，单倍行距，段前段后0行。毕业论文任务书（文理科使用）宋体四号，单倍行距，段前段后0行。题 目： 学 院： 专 业： 会计学 班 级： 会计055班 学 号： XXXXXXX 学生姓名： XXX 起讫日期： 2011年12月2012年5月15日 指导教师： 何恩良 职称： 教授 系负责人： 审核日期： 2011年11月15日 一级标题：宋体四号加粗，1.5倍行距，段前段后0行。一、毕业论文的要求和内容论文要求：1.独立完成毕业论文2.学会查找有关专业文献（12篇以上），其中至少一篇英文文献（译文2000字以上）。3.毕业论文需要符合要求，即有题目、目录、摘要、引言、正文、结论。4.中文摘要在250300汉字左右，而相应外文摘要在250字左右。5.题目字数一般不超过20字。6.论文总字数在8000字以上（不包括摘要和谢辞在内）。7.按照规定的格式修改论文。 正文：宋体五号，单倍行距，段前段后0行，左起空2字符。论文内容：1.我国。2.完善中小企业内部控制。3.完善中小企业。二、研究方案、目标 本文主要研究方法是：定性与定量分析相结合的方法，通过研究。 研究目标：企业内部控制的有效实施，。 正文：宋体五号号，单倍行距，段前段后0行，左起空2字符。三、阅读书目清单 （普通图书：（包括教材等）、会议论文集、资料汇编、学位论文、报告（包括科研报告、技术报告、调查报告、考察报告等）、参考工具书（包括手册、百科全书、字典、图集等标注方法示例如下） 1刘国钧,陈绍业,王凤翥.图书馆目录M.北京:高等教育出版社,1957:15 - 18. 2辛希孟.信息技术与信息服务国际研讨会论文集:A集C.北京:中国社会科学出版社,1994. 3张筑生.微分半动力系统的不变集D.北京:北京大学数学系数学研究所,1983. 4冯西桥.核反应堆压力管道与压力容器的LBB分析R.北京:清华大学核能技术设计研究院,1997. 5公安部交管局.4999五十年交通事故统计资料汇编G.北京:群众出版社,2000. 6张加铨,关景时,程鹏.常用药物手册K.北京:人民卫生出版社,1982:337. 7JONES R M.Mechanics of Composite MaterialsM. New York :McGraw Hill Book mpany,1975. （期刊文章：序号 主要责任者.文献题名J.刊名(建议以S-格式在外文刊名后加ISSN号),年,卷(期):起止页码.标注方法示例如下）8金显贺,王昌长,王忠东,等.一种用于在线检测局部放电的数字滤波技术J.清华大学学报:自然科学版, 1993,33(4):6267. 9KANAMOR I H. Shaking Without QuakingJ. Science(S0036-8075),1998,279:2063.（报纸文章：序号 主要责任者. 文献题名 N. 报纸名，出版日期 (版次).标注方法示例如下）10谢希德.创造学习的新思路N.人民日报, 1998-12-25 (10).（标准(包括国际标准、国家标准、规范、法规等)标注方法示例如下）11 GB/T 7714-2005,文后参考文献著录规则S. 12JT/T 623-2005,集装箱吊具S.北京:人民交通出版社出版,2005.（专利标注方法示例如下）13姜锡洲.一种温热外敷药制备方案:中国,88105607.3P. 1989-07-26 . （析出文献标注方法示例如下）14钟文发.非线性规划在可燃毒物配置中的应用C/赵玮.运筹学的理论与应用中国运筹学会第五届大会论文集.西安：西安电子科技大学出版社,1996:468 - 471.（电子文献标注方法示例如下）正文：宋体五号，单倍行距，段前段后0行，左起空2字符。数字为Times New Roman字体。15方舟子.学术评价有新招N/OL.中国青年报, 2006-01-11 .(2006-01-11）2006-03-02. /GB/1057/4017988.html.16萧钰.出版业信息化迈入快车道EB/OL.(2001-12-19)2002-04-15. /news/20011219/200112190019.html.17西安电子科技大学.光折变效应应用中的预置光栅方法:中国，1580873P/OL.( 2005-02-16 ) 2006-04-28 . http//infoweb/entryview.jsp?rid=20337.18江向东.互联网环境下的信息处理与图书管理系统解决方案J/OL.情报学报1999，18(2):4. 2005-01-18 . 43/was40/detail?record=216&channelid=51954注：参考文献采用顺序编码制 四、毕业论文进度计划序号各阶段工作内容起讫日期备 注1编写开题报告和大纲2011/12/15-2012/01/10交导师审批后开题2完成论文写作前期工作2012/01/11-2012/01/313完成论文初稿2012/02/01-2012/03/15初稿4指导老师指导修改论文2012/03/16-2012/04/15二稿5导师指导再次修改论文2012/04/16-2012/05/15三稿6准备毕业论文答辩工作2012/05/15-2012/06/10五、主要参考资料（标注方法同阅读书目清单，数量可少于阅读书目，但列出的必须是开题和论文写作参考的资料） 六、毕业论文进度表（本表每两周由学生填写一次，交指导教师签署审查意见）第一、二周（2011年 月 日至 月 日）学生主要工作： （学生手写）与导师见面确定论文选题。毕业论文进度表中各页的内容，由学生和导师参考示范的内容，做相应调整和更改后填写，不要完全一样。指导教师审查意见：（导师手写）按照论文选题，查阅有关资料，撰写开题报告。 （教师签名，填写日期 ）年 月 日第三、四周（2012 年1月1日至1 月 15日）学生主要工作：（学生手写）采用各种途径查阅相关文献资料。指导教师审查意见：（导师手写）对已查阅的相关资料要加以梳理并做好相关记录，着手写论文提纲。 （教师签名，填写日期 ）年 月 日第五、六周（2012年1月18日至2月6 日）学生主要工作： （学生手写）整理文献资料，写出论文提纲，并交指导老师批阅。指导教师审查意见： （导师手写）根据修改意见，对论文提纲修改完善后交回审阅。（教师签名，填写日期 ）年 月 日第七、八周（2012年3月9日至3 月20日）学生主要工作：（学生手写）依据论文提纲，开始社会实践，收集整理论文写作资料。指导教师审查意见： （导师手写）按论文提纲，进行社会实践调查，完成论文初稿。（教师签名，填写日期 ）年 月 日第九、十周（2012年3月 日至4 月 5日）学生主要工作： （学生手写）继续进行社会实践调查，酝酿修改论文初稿。指导教师审查意见： （导师手写）完成修改论文初稿，形成论文二稿和撰写实践总结。（教师签名，填写日期 ）年 月 日第十一、十二周（2012年4月 日至4 月20 日）学生主要工作： （学生手写）根据导师的指导意见，修改完善论文二稿。指导教师审查意见：（导师手写）对论文中提出的修改意见，继续调整完善，完成二稿。（教师签名，填写日期 ）年 月 日第十三、十四周（2012年4月 日至 5 月 6日）学生主要工作： （学生手写）整理完善三稿，完成外文译文和实践报告。指导教师审查意见：（导师手写）注意对整套毕业论文资料，严格按要求的式样完成。 （教师签名，填写日期 ） 年 月 日第十五、十六周（2012年5月7 日至 5月22 日）学生主要工作： （学生手写）提交全部毕业论文资料给导师审阅。指导教师审查意见： （导师手写）完成三稿，对全部资料按要求的顺序，整理成册归档批阅。（教师签名，填写日期 ）年 月 日第十七、十八周（2012年5月 日至 6月 10 日）学生主要工作： （学生手写）熟悉论文内容，准备论文答辩。指导教师审查意见： （导师手写）要熟悉论文的具体内容，就论文写作的目的、方法和解决的问题，列出提纲，做好答辩前的阐述准备。 （教师签名，填写日期 ）年 月 日七、其他（学生提交）1开题报告1份 2外文资料译文1份（1500字以上，并附资料原文） 3论文1份（理科6000字以上，文科8000字以上） 汉字用四号宋体，居中，日期用四号Times New Roman字体。 指 导 教 师： XXX 系 负 责 人： XXX 学生开始执行任务书日期： 2011年11月15日 学 生 姓 名： XXX 送交毕业论文日期： 2012年5月15日 9标题： 宋体30磅加粗，行距固定值55磅，段前段后0行。标题： 宋体二号加粗居中，行距固定值55磅，段前段后0行。毕业设计（论文）开题报告宋体三号加粗，单倍行距，段前段后0行。题 目： 浅析XXXXXXXXX的有效实施 宋体四号，单倍行距，段前段后0行，首行缩进3.21字符。学 院： 专 业： 会计学 班 级： 055班 学 号： XXXXXXXX 姓 名： XXX 指导教师： XXX 填表日期： 2011 年 12 月 15 日一级标题：黑体小四号，悬挂缩进0.85厘米，行距多倍1.25。一、 选题的依据及意义：二级标题及正文：宋体五号，行距多倍1.25。首行缩进2字符。该部分两项内容不能少于1000字。（一）选题依据我国近年来。（二）选题意义企业内部控制的有效实施.。二、 国内外研究现状及发展趋势（含文献综述）：正文：宋体五号，首行缩进2字符，行距多倍1.25。该部分内容不能少于1500字。（一）国外内部控制理论的研究现状及发展趋势2004年,美国COSO发布了.。（二）国内内部控制理论的研究现状及发展趋势我国对内部控制的研究主要是，和丽芬、柳叶青（2006）认为，贺斌（2006）认为，。总的来说，我国理论界目前.。三、 本课题研究内容本课题通过对。总共分为以下几个部分： 第一部分引言主要对 。第二部分我国发展状况主要概述 第三部分我国存在的问题 主要分析第四部分我国应对策略主要针对提出。第五部分结论综合分析阐述主要观点，四、 本课题研究方案本文主要研究方法是采用。五、 研究目标、主要特色及工作进度：研究目标：主要特色：本文创新之处主要体现在以下几个方面。1.2.工作进度：2011年12月15日-2012年01月10日，开题和构思论文写作大纲。2012年01月11日-2012年01月31日，完成论文编写的前期工作。2012年02月01日-2012年03月15日，完成论文初稿。2012年03月16日-2012年04月15日，撰写、提交、修改论文二稿。2012年04月16日-2012年05月15日，撰写、提交、修改论文三稿。2012年05月16日-2012年06月10日，准备毕业论文答辩工作。六、 参考文献：（普通图书：教材等、会议论文集、资料汇编、学位论文、报告（包括科研报告、技术报告、调查报告、考察报告等）、参考工具书（包括手册、百科全书、字典、图集等标注方法示例如下） 1刘国钧,陈绍业,王凤翥.图书馆目录M.北京:高等教育出版社,1957:15 - 18. 2辛希孟.信息技术与信息服务国际研讨会论文集:A集C.北京:中国社会科学出版社,1994. 3张筑生.微分半动力系统的不变集D.北京:北京大学数学系数学研究所,1983. 4冯西桥.核反应堆压力管道与压力容器的LBB分析R.北京:清华大学核能技术设计研究院,1997. 5公安部交管局.4999五十年交通事故统计资料汇编G.北京:群众出版社,2000. 6张加铨,关景时,程鹏.常用药物手册K.北京:人民卫生出版社,1982:337. 7JONES R M.Mechanics of Composite MaterialsM. New York :McGraw Hill Book mpany,1975. （期刊文章：序号 主要责任者.文献题名J.刊名(建议以S-格式在外文刊名后加ISSN号),年,卷(期):起止页码.标注方法示例如下）8金显贺,王昌长,王忠东,等.一种用于在线检测局部放电的数字滤波技术J.清华大学学报:自然科学版, 1993,33(4):6267. 9KANAMOR I H. Shaking Without QuakingJ. Science(S0036-8075),1998,279:2063.（报纸文章：序号 主要责任者. 文献题名 N. 报纸名，出版日期 (版次).标注方法示例如下）参考文献正文五号宋体，数字和英文五号Times New Roman字体。10谢希德.创造学习的新思路N.人民日报, 1998-12-25 (10).（标准(包括国际标准、国家标准、规范、法规等)标注方法示例如下）11 GB/T 7714-2005,文后参考文献著录规则S. 12JT/T 623-2005,集装箱吊具S.北京:人民交通出版社出版,2005.（专利标注方法示例如下）13姜锡洲.一种温热外敷药制备方案:中国,88105607.3P. 1989-07-26 . （析出文献标注方法示例如下）14钟文发.非线性规划在可燃毒物配置中的应用C/赵玮.运筹学的理论与应用中国运筹学会第五届大会论文集.西安：西安电子科技大学出版社,1996:468 - 471.（电子文献标注方法示例如下）正文：宋体五号，单倍行距，段前段后0行，左起空2字符。数字为Times New Roman字体。15方舟子.学术评价有新招N/OL.中国青年报, 2006-01-11 .( 2006-01-11 ） 2006-03-02 . /GB/1057/4017988.html.16萧钰.出版业信息化迈入快车道EB/OL.( 2001-12-19 ) 2002-04-15 . /news/20011219/200112190019.html.17西安电子科技大学.光折变效应应用中的预置光栅方法:中国，1580873P/OL.( 2005-02-16 ) 2006-04-28 . http//infoweb/entryview.jsp?rid=20337.18江向东.互联网环境下的信息处理与图书管理系统解决方案J/OL.情报学报，1999,18(2):4. 2005-01-18 . 43/was40/detail?record=216&channelid=51954注：上述文献数量要求总量在1218篇之间，采用近三年的文献资料。南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3）编排。四、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2 英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下： 密级： 校名标识（cm）1.886.59，居中校名外文（大写）Times New Roman，四号，居中 NANCHANG UNIVERSITYTimes New Roman，四号，居中宋体，30磅，居中 学 士 学 位 论 文 THESIS OF BACHELOR中文：宋体；数字：Times New Roman四号，居中（20 20 年）宋体，四号，居右页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉1.5cm,页脚1.75cm ,1.35倍行距，应用于整篇文档校徽标识（cm）3.333.33，居中宋体，三号，居中题 目 宋体，四号，居中注意线条长度一致学 院： 系 专业班级： 学生姓名： 学号： 指导教师： 职称： 起讫日期： 此页可直接下载南 昌 大 学学士学位论文原创性申明本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。作者签名： 日期：学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密，在 年解密后适用本授权书。本学位论文属于 不保密。（请在以上相应方框内打“”）作者签名： 日期：导师签名： 日期：摘要页眉：中文宋体，五号，居中宋体，小二号，居中III-族氮化物及其高亮度蓝光宋体，五号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究专 业： 学 号：学生姓名： 指导教师： 标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：中文宋体，外文字符Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔 摘要宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 - 31 -Abstract页眉：外文Times New Roman，五号，居中Times New Roman，小二号，居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstract标题：Times New Roman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔 GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目录宋体，小三号，居中目录摘要Abstract第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用11. 2 III族氮化物的基本结构和性质41. 3 掺杂和杂质特性121. 4 氮化物材料的制备131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料与其它材料的比较221. 7 本论文工作的内容与安排24第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺31 2. 1 MOCVD材料生长机理31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备32目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman，小四页码编号：摘要,Abstract使用页码“I,II,”；正文开始使用页码“1,2,3,”；小节标题左侧缩进1字符；页码数字居中对齐 结论136参考文献（References）138致谢150第一章 GaN基半导体材料及器件进展节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中第一章 GaN基半导体材料及器件进展1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的行距），段前0行，段后0行。 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。12 III族氮化物的基本结构和性质 表1-1 用不